《加强版EPC eGaN FET通过AEC认证标准,适用于汽车电源系统》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-01-20
  • 位于美国的宜普电源转换公司(EPC)是一家制造增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管(FET)用于电源管理应用的公司。该公司宣布了其通过AEC Q101认证的两个eGaN器件,新产品EPC2206和EPC2212均为晶圆级芯片级封装(WLCS)中的分立晶体管,分别具有80VDS和100VDS的额定值。

    EPC2206是一款80V、2.2mΩ增强型FET,采用6.1mm x 2.3mm芯片级封装,脉冲电流额定值为390A,EPC2206适用于使用48V总线配电的车辆,以管理车的耗电电子驱动功能和功能。EPC2212是一款100V、13.5mΩ器件,采用2.1mm x 1.6mm芯片级封装,脉冲电流额定值为75A,EPC2212适用于激光雷达系统中的激光器。这些eGaN FET的尺寸较小,开关速度比硅MOSFET快10到100倍。

    首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示:“我们的eGa NFE比现有的硅MOSFET尺寸小、高效、成本低且更可靠。”

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-03-03
    • 美国的宜普电源转换公司(EPC)已公布其第十阶段可靠性报告,测试结果是通过汽车AEC-Q101认证。AEC-Q101要求功率FET符合最高的可靠性标准,不仅要求数据表零故障,还要求压力测试期间的参数漂移低。EPC采用的的晶圆级芯片级规模封装(WLCS)符合传统封装部件的测试标准,并且卓越的芯片级封装性能不会损害器件的稳定性或可靠性。 该报告还讨论了超出AEC-Q101标准的可靠性测试,以深入了解可能导致设备故障的各种机制。报告内的一个部分阐析在硬开关时,测试极端的动态导通阻抗。测试结果显示,氮化镓(eGaN)器件在长期、不间断的开关情况下,仍然可以稳定地工作。 第三部分扩展了EPC第六阶段可靠性测试报告中的加速压力测试。除了连续监视栅极泄漏之外,还会定期记录其他器件参数(VTH和IDSS)。这种数据可以更全面地了解器件在高栅极应力条件下劣化的情况,从而可观的 了解多个独立物理故障机制。测试表明,eGaN FET栅极非常坚固可靠。 首席执行官兼联合创始人Alex Lidow博士说:“eGaN器件已经批量生产超过9年,并且在实验室测试和客户反馈中表现出非常高的可靠性,例如自动驾驶汽车,4G基站和卫星的LiDAR 等。EPC公司的第十阶段可靠性测试报告丰富了之前的九份可靠性测试报告所构建的知识库,并代表我们继续承诺持续对氮化镓技术进行研究、学习及分享氮化镓技术可靠性的的信息。”
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    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-01-12
    • 美国高效电源转换公司(EPC)宣布推出15V,28A大电流脉冲激光二极管驱动器演示板EPC9144。该公司主要生产用于电源管理应用的增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管(eGaN FET)。 在飞行时间(ToF)系统中,物体检测的速度和准确性至关重要。如该板上所展示的,符合AEC Q101标准的EPC2216的快速转换能力可提供功率脉冲,以驱动激光二极管,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)或发光二极管(LED),其速度可比驱动器快10倍。 eGaN FET和集成电路能够提供高电流脉冲、极窄的脉冲宽度和较小的尺寸,使价格合理、高性能的光探测和测距(LiDAR)成为可能。短脉冲宽度实现了更高的分辨率,并且小尺寸和低成本使eGaN场效应晶体管适用于从汽车到工业、医疗保健到智能广告、游戏和安全的飞行时间应用。 EPC9144附带一个插入器板,该插入器板是一组可拆卸的5mm x 5mm方形PCB板,可容纳不同激光器的封装,RF连接器以及一些用于不同负载实验的其他封装。插入器的使用可支持安装许多不同的激光器或其他负载,从而允许用户使用合适的负载要求来测试性能。 EPC说,GaN是一个关键因素,使价格合理、高性能的激光雷达成为可能,因此GaN组件的使用进一步扩大了应用的数量,其中包括自动驾驶汽车和其他飞行时间应用,如面部识别、仓库自动化、无人机和拓扑映射。 EPC9144演示板的价格为378美元,EPC9144演示板上使用的EPC2216 eGaN FET的价格为0.532美元。