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《Vishay推出蓝色和绿色超亮LED，采用2.3mm x 2.3mm x 2.8mm紧凑型封装并带有半球形透镜》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2019-04-08

  • 美国的Vishay Intertechnology光电子集团推出了Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列，即采用无色表面贴装和半球形透镜的465nm蓝色和525nm真绿色超亮LED（分别为VLDB1232 ..和VLDTG1232 ..）。

    Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列采用该公司最新的氮化铟镓（InGaN）/蓝宝石芯片技术，无需外部透镜即可提供±9°的窄发射角，其发光强度为16,000mcd（典型值）。具体而言，在正向电流（IF）为20mA时，真绿色VLDTG1232 .. LED的发光强度范围为7100-28,000mcd，VLDB1232 .. LED的发光强度范围为1800-7100mcd。

    由于其高亮度和小巧的塑料外壳（2.3mm×2.3mm×2.8mm），LED适用于各种应用，包括交通信号和标志、内外部照明、音频视频的指示器和背光等。

    该器件提供鸥翼式和反鸥翼型，具有高光通量，可承受高达2kV的ESD电压，符合JESD22-A114-B标准，并且每个包装单元均采用发光和颜色分类。符合RoHS标准，无卤素和Vishay Green，VLD.1232 ..系列LED与J-STD-020的回流焊接工艺兼容，并可根据JEDEC Level 2a进行加工。

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  • 《Eta推出抛光外延式100mm n型GaN晶圆》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2019-09-08
    • 中国上海临港自由贸易区的Eta（镓特半导体）成立于2015年，主要开发独立式氮化镓（GaN）晶圆，目前正在销售抛光外延式n型100mm GaN晶圆。 Eta已经将GaN晶圆研发商业化，制造了独特的氢化物气相外延（HVPE）设备，完善了晶圆分离工艺和抛光工艺。在2018年，该公司展示了直径为100mm的生长的GaN晶圆，可以切割成最终尺寸成为英寸或3英寸的晶圆。今年，Eta开发了5英寸的生长的GaN晶圆，可以切割加工成100mm晶圆。 Eta非常强调晶体质量和晶格曲率的重要性。对于（002）和（102）反射，生长的晶片的典型摇摆曲线全宽半最大值（FWHM）为50-60弧秒。基于抛光晶片的阴极发光（CL），测量穿透位错密度为1E6 / cm2。晶格曲率对于晶片上的切口变化的量度是重要的，中心点切口指定为朝向GaN m方向的0.35°，并且可以根据客户的要求进行修改。格子曲率半径大于10米，目标大约30米或更大。 该公司已开发出GaN抛光工艺，原子力显微镜（AFM）测量平均粗糙度超过10μm，形貌测量<0.3nm。Eta在GaN晶圆上生长了MOCVD GaN外延层和器件结构，MOCVD生长层显示出良好的表面形态，并且具有类似于基底的X射线衍射（XRD）摇摆曲线FWHM。 目前，该公司少量出售100mm GaN晶圆、2英寸、3英寸晶圆。到2019年底，位于中国安徽省铜陵市的新生产工厂将上线更多的HVPE产能。该公司希望在不久的将来能够为大批量客户提供服务。
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  • 《Plessey的micro-LED生长技术在单个晶圆上结合了天然的蓝色和绿色Epi》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2019-10-07
    • Plessey是一家面向增强和混合现实（AR / MR）显示应用且拥有最前Micro-LED技术的嵌入式技术开发商。Plessey表示已经进一步发展了其专有的硅氮化镓（GaN-on-Si）工艺，以实现同一晶片上的原生蓝光绿光基板发光层。 微型LED的潜力众所周知，但在推广到市场之前，仍然存在一些挑战。为了形成RGB micro-LED显示器，典型的方法是使用“拾取和放置”过程转移离散的R、G和B像素，或者使用原生蓝色LED作为光源，随后将颜色转换为红色和绿色。 Plessey最新增长方法是在同一晶片上同时创蓝色和绿色发光层。两种颜色的整体式形成大大简化了显示器的制造。绿色微型LED具有高效率和窄光谱宽度的优势，因此与高性能蓝色微型LED一起工作时，被称为出色的色域。该公司的新方法形成了具有高电流密度操作和长使用寿命的微型LED。天然蓝色和绿色微型LED在同一硅基板上的单片集旨解决以前的挑战。蓝色和绿色微型LED集成的另一个过程挑战是在第二结的生长过程中精确调整热预算，以防止蓝色有源区中的铟相分离。Plessey表示已经精确设计了热预算，以维持高亮度显示应用所需的高效率（IQE），低缺陷率和高电导率。 GaN micro-LED形成过程中的最终操作为去除氢原子的生长后处理，否则氢原子会损害p型层的导电性。第二个结的存在使从掩埋的器件结构中除去氢变得复杂，从而消除了标准的生长后活化处理的影响。 Plessey表示，我们已经克服挑战，创造了一种单片蓝色和绿色微型LED制造工艺，从而实现了非常可重复且稳定的二极管性能，这远远超出了典型二极管。
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