《Vishay推出蓝色和绿色超亮LED,采用2.3mm x 2.3mm x 2.8mm紧凑型封装并带有半球形透镜》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-04-08
  • 美国的Vishay Intertechnology光电子集团推出了Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列,即采用无色表面贴装和半球形透镜的465nm蓝色和525nm真绿色超亮LED(分别为VLDB1232 ..和VLDTG1232 ..)。

    Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列采用该公司最新的氮化铟镓(InGaN)/蓝宝石芯片技术,无需外部透镜即可提供±9°的窄发射角,其发光强度为16,000mcd(典型值)。具体而言,在正向电流(IF)为20mA时,真绿色VLDTG1232 .. LED的发光强度范围为7100-28,000mcd,VLDB1232 .. LED的发光强度范围为1800-7100mcd。

    由于其高亮度和小巧的塑料外壳(2.3mm×2.3mm×2.8mm),LED适用于各种应用,包括交通信号和标志、内外部照明、音频视频的指示器和背光等。

    该器件提供鸥翼式和反鸥翼型,具有高光通量,可承受高达2kV的ESD电压,符合JESD22-A114-B标准,并且每个包装单元均采用发光和颜色分类。符合RoHS标准,无卤素和Vishay Green,VLD.1232 ..系列LED与J-STD-020的回流焊接工艺兼容,并可根据JEDEC Level 2a进行加工。

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-09-08
    • 中国上海临港自由贸易区的Eta(镓特半导体)成立于2015年,主要开发独立式氮化镓(GaN)晶圆,目前正在销售抛光外延式n型100mm GaN晶圆。 Eta已经将GaN晶圆研发商业化,制造了独特的氢化物气相外延(HVPE)设备,完善了晶圆分离工艺和抛光工艺。在2018年,该公司展示了直径为100mm的生长的GaN晶圆,可以切割成最终尺寸成为英寸或3英寸的晶圆。今年,Eta开发了5英寸的生长的GaN晶圆,可以切割加工成100mm晶圆。 Eta非常强调晶体质量和晶格曲率的重要性。对于(002)和(102)反射,生长的晶片的典型摇摆曲线全宽半最大值(FWHM)为50-60弧秒。基于抛光晶片的阴极发光(CL),测量穿透位错密度为1E6 / cm2。晶格曲率对于晶片上的切口变化的量度是重要的,中心点切口指定为朝向GaN m方向的0.35°,并且可以根据客户的要求进行修改。格子曲率半径大于10米,目标大约30米或更大。 该公司已开发出GaN抛光工艺,原子力显微镜(AFM)测量平均粗糙度超过10μm,形貌测量<0.3nm。Eta在GaN晶圆上生长了MOCVD GaN外延层和器件结构,MOCVD生长层显示出良好的表面形态,并且具有类似于基底的X射线衍射(XRD)摇摆曲线FWHM。 目前,该公司少量出售100mm GaN晶圆、2英寸、3英寸晶圆。到2019年底,位于中国安徽省铜陵市的新生产工厂将上线更多的HVPE产能。该公司希望在不久的将来能够为大批量客户提供服务。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-06-08
    • 美国Navitas半导体公司宣布推出采用6mm x 8mm PQFN封装的新型650V GaNFast电源IC,并具有专有的集成冷却垫,适用于高效率、高密度电源系统。 Navita专有的AllGaN工艺设计套件(PDK)将GaN功率场效应晶体管(FET)与GaN模拟和逻辑电路整体集成在一起,从而为移动、消费类、企业级应用、电动汽车和新能源市场提供了更高的充电速度、功率密度和节能性。 新型的NV612x系列GaNFast电源IC通过立即改善通过印刷电路板(PCB)的散热来提供散热解决方案。具有先进散热垫的6mm x 8mm系列产品的价格与现有5mm x 6mm GaNFast系列产品的价格相同,并且在某些情况下,新的低温技术可使设计人员替代较小的裸片版本,从而进一步降低系统成本。 新系列的650V额定功率IC(300mΩNV6123、175mΩ NV6125和125mΩNV6127)包括完整的栅极驱动和保护电路,以及采用6mm x 8mm表面贴装PQFN,低电感(高速)封装的GaN功率FET。 Navitas表示,GaNFast电源IC可以实现下一代升级,从适用于智能手机和笔记本电脑的25-100W消费类和移动USB-C快速充电器和适配器到200-800W电视和多合一计算机,甚至高达多千瓦电动汽车(EV)、工业和数据中心电源。 GaNFast电源IC极大地缩小了快速充电器和适配器中无源组件的尺寸和成本,NV612x系列可将温度降低10-15°C,并具有扩大的至PCB的热接口以及与系统地面的直接热和电连接,从而实现了世界上最高的功率密度,并通过了所有热规范和机构认证。