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《Vishay推出蓝色和绿色超亮LED，采用2.3mm x 2.3mm x 2.8mm紧凑型封装并带有半球形透镜》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2019-04-08

  • 美国的Vishay Intertechnology光电子集团推出了Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列，即采用无色表面贴装和半球形透镜的465nm蓝色和525nm真绿色超亮LED（分别为VLDB1232 ..和VLDTG1232 ..）。

    Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列采用该公司最新的氮化铟镓（InGaN）/蓝宝石芯片技术，无需外部透镜即可提供±9°的窄发射角，其发光强度为16,000mcd（典型值）。具体而言，在正向电流（IF）为20mA时，真绿色VLDTG1232 .. LED的发光强度范围为7100-28,000mcd，VLDB1232 .. LED的发光强度范围为1800-7100mcd。

    由于其高亮度和小巧的塑料外壳（2.3mm×2.3mm×2.8mm），LED适用于各种应用，包括交通信号和标志、内外部照明、音频视频的指示器和背光等。

    该器件提供鸥翼式和反鸥翼型，具有高光通量，可承受高达2kV的ESD电压，符合JESD22-A114-B标准，并且每个包装单元均采用发光和颜色分类。符合RoHS标准，无卤素和Vishay Green，VLD.1232 ..系列LED与J-STD-020的回流焊接工艺兼容，并可根据JEDEC Level 2a进行加工。

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  • 《Navitas推出具有散热器6mm x 8mm PQFN封装的650V GaNFast电源IC》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2020-06-08
    • 美国Navitas半导体公司宣布推出采用6mm x 8mm PQFN封装的新型650V GaNFast电源IC，并具有专有的集成冷却垫，适用于高效率、高密度电源系统。 Navita专有的AllGaN工艺设计套件（PDK）将GaN功率场效应晶体管（FET）与GaN模拟和逻辑电路整体集成在一起，从而为移动、消费类、企业级应用、电动汽车和新能源市场提供了更高的充电速度、功率密度和节能性。 新型的NV612x系列GaNFast电源IC通过立即改善通过印刷电路板（PCB）的散热来提供散热解决方案。具有先进散热垫的6mm x 8mm系列产品的价格与现有5mm x 6mm GaNFast系列产品的价格相同，并且在某些情况下，新的低温技术可使设计人员替代较小的裸片版本，从而进一步降低系统成本。 新系列的650V额定功率IC（300mΩNV6123、175mΩ NV6125和125mΩNV6127）包括完整的栅极驱动和保护电路，以及采用6mm x 8mm表面贴装PQFN，低电感（高速）封装的GaN功率FET。 Navitas表示，GaNFast电源IC可以实现下一代升级，从适用于智能手机和笔记本电脑的25-100W消费类和移动USB-C快速充电器和适配器到200-800W电视和多合一计算机，甚至高达多千瓦电动汽车（EV）、工业和数据中心电源。 GaNFast电源IC极大地缩小了快速充电器和适配器中无源组件的尺寸和成本，NV612x系列可将温度降低10-15°C，并具有扩大的至PCB的热接口以及与系统地面的直接热和电连接，从而实现了世界上最高的功率密度，并通过了所有热规范和机构认证。
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  • 《Plessey的micro-LED生长技术在单个晶圆上结合了天然的蓝色和绿色Epi》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2019-10-07
    • Plessey是一家面向增强和混合现实（AR / MR）显示应用且拥有最前Micro-LED技术的嵌入式技术开发商。Plessey表示已经进一步发展了其专有的硅氮化镓（GaN-on-Si）工艺，以实现同一晶片上的原生蓝光绿光基板发光层。 微型LED的潜力众所周知，但在推广到市场之前，仍然存在一些挑战。为了形成RGB micro-LED显示器，典型的方法是使用“拾取和放置”过程转移离散的R、G和B像素，或者使用原生蓝色LED作为光源，随后将颜色转换为红色和绿色。 Plessey最新增长方法是在同一晶片上同时创蓝色和绿色发光层。两种颜色的整体式形成大大简化了显示器的制造。绿色微型LED具有高效率和窄光谱宽度的优势，因此与高性能蓝色微型LED一起工作时，被称为出色的色域。该公司的新方法形成了具有高电流密度操作和长使用寿命的微型LED。天然蓝色和绿色微型LED在同一硅基板上的单片集旨解决以前的挑战。蓝色和绿色微型LED集成的另一个过程挑战是在第二结的生长过程中精确调整热预算，以防止蓝色有源区中的铟相分离。Plessey表示已经精确设计了热预算，以维持高亮度显示应用所需的高效率（IQE），低缺陷率和高电导率。 GaN micro-LED形成过程中的最终操作为去除氢原子的生长后处理，否则氢原子会损害p型层的导电性。第二个结的存在使从掩埋的器件结构中除去氢变得复杂，从而消除了标准的生长后活化处理的影响。 Plessey表示，我们已经克服挑战，创造了一种单片蓝色和绿色微型LED制造工艺，从而实现了非常可重复且稳定的二极管性能，这远远超出了典型二极管。
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