《三星推出3纳米芯片制造工艺工具与技术》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2021-11-24
  • 11月20日消息,近日举行的第三届三星高级代工生态系统论坛上,三星电子公司推出了多款对3纳米芯片制造工艺至关重要的设计工具和技术,以及帮助加强代工生态系统的战略。代工业务是指为其他没有半导体工厂的公司制造定制芯片。
    三星旗下代工部门表示,他们将推出80多种针对半导体设计基础设施和封装解决方案进行优化的电子设计自动化工具、技术。这些工具和技术对3纳米制造工艺至关重要,三星计划于2022年上半年开始推出3纳米产品。
    三星电子高级副总裁兼代工设计平台开发负责人RyanLee表示:“在这个以数据为中心、快速变化的时代,三星及其代工合作伙伴取得了长足的进步,以应对日益增长的客户需求,并通过提供强大的解决方案来支持他们取得成功。在我们SAFE计划的支持下,三星将引领‘性能平台2.0’愿景的实现。”
    三星还谈到了其在代工业务基础设施方面的扩展,包括高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、电子设计自动化(EDA)、云计算、封装解决方案和设计解决方案合作伙伴(DSP)等领域的进展。
    此外,三星也介绍了该公司通过与无厂房公司合作取得的一些成就。这家芯片制造商正与12家全球设计解决方案合作伙伴合作,为其无厂房客户开发高性能、低能耗的半导体设计。
    英国芯片设计公司Arm首席执行官西蒙·塞加斯(SimonSegars)说:“我们的伙伴生态系统在许多市场都有不断增长的商机,我们与三星代工部门的长期合作对此至关重要。我们将继续密切合作,在三星代工的尖端工艺(包括GAA)上优化我们的Armv9下一代处理器,以提供针对当今世界和未来技术进行优化的同类最佳解决方案。”

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  • 《虎湖芯片推出SuperFin 10纳米工艺》

    • 来源专题:宽带移动通信
    • 编译者:张卓然
    • 发布时间:2020-11-26
    • 英特尔已经推出了第11代“核心”处理器——“虎湖”(Tiger Lake)——采用10纳米SuperFin FinFET制造工艺制造。 虎湖处理器实现了一个新的CPU架构,称为“柳树湖”,带有附加指令,包括一个新的称为“虹膜Xe”的图形处理单元。 英特尔称,这一组合使“虎湖”成为世界上最适合轻薄笔记本电脑的处理器。该处理器与一个配套芯片封装在一起,用于在其目标市场个人电脑上执行WiFi6通信,英特尔希望将该处理器销售到基于Windows和ChromeOS的笔记本电脑上。 10纳米制造工艺说成是包括SuperFin技术。10纳米SuperFin有一个改进的金属互连堆栈,电阻降低30%。在2020年8月英特尔的一次活动中,首席架构师Raja Koduri声称,使用SuperFin技术,可以提供几乎相当于完全节点转换的性能提升。 英特尔此前曾表示,其10纳米工艺大致相当于竞争对手的7纳米,因此进一步增加节点可以使英特尔与5纳米大致持平。英特尔宣布,计划使用铸造服务生产7纳米产品,作为10纳米产品的后续产品,这在一定程度上削弱了这一论调(参见因特尔因产量问题而铸造7纳米产品)。 10纳米“虎湖”处理器是英特尔U系列的一部分,分为三个性能频段:i3、i5和i7。 SuperFin的使用,使处理器的时钟频率达到4.8GHz,并且具有各种功能,从2核超高清图形和6兆字节片上缓存到4核Xe图形和12兆字节片上缓存。指令集包括对集成图形神经网络推理的支持,以及对INT8数据类型的本地支持。功耗从低端的7至15W到高端的12至28W不等。 英特尔拥有更高性能的处理器,有更多的核心,但采用旧的14纳米 FinFET技术。 英特尔没有透露基于“虎湖”处理器的电脑何时可以购买,但说有超过150种设计正在开发中。英特尔失去了一个关键客户苹果,苹果公司正转向使用基于ARM架构的内部设计的处理器(请参阅更多有关苹果将英特尔处理器从个人电脑中撤出的详细信息)。 英特尔失去苹果业务的一个原因是,英特尔推出10纳米工艺的过程一直受到拖延。然而,首席执行官鲍勃·斯旺最近表示,10纳米的生产速度比预期的要快,尽管他承认英特尔不得不去铸造厂生产7纳米产品。
  • 《三星半导体已经开始使用其7LPP制造工艺生产芯片》

    • 来源专题:半导体工艺技术
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2018-10-26
    • 据外媒消息,三星半导体昨日表示,它已经开始使用其7LPP制造工艺生产芯片,该工艺基于极紫外光刻技术(EUV)。新的制造工艺将使三星能够显着提高芯片的晶体管密度,同时优化其功耗。此外,EUV的使用使三星能够减少每个芯片所需的掩模数量并缩短其生产周期。 三星表示,7LPP制造技术可以减少40%的面积(同样的复杂性),同时降低50%的功耗(在相同的频率和复杂度下)或性能提高20%(在相同的功率和复杂性下) )。看起来,使用极紫外光刻技术使三星半导体能够在其下一代SoC中放置40%以上的晶体管并降低其功耗,这是移动SoC的一个非常引人注目的主张,将由其母公司使用。 三星在其位于韩国华城的Fab S3生产7LPP EUV芯片。该公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步进扫描系统和每个280 W光源上处理1500个晶圆。三星没有透露它是否使用薄膜来保护光掩模免于降级,但仅表明使用EUV可以将芯片所需的掩模数量减少20%。此外,该公司表示,它已经开发出专有的EUV掩模检测工具,可以在制造周期的早期进行早期缺陷检测并消除缺陷(这可能会对产量产生积极影响)。 三星Foundry没有透露其首先采用其7LPP制造技术的客户名称,但仅暗示使用它的第一批芯片将针对移动和HPC应用。通常,三星电子是半导体部门的第一个采用其尖端制造工艺的客户。因此,预计到2019年,三星智能手机将推出一款7nm SoC。此外,高通将采用三星的7LPP技术作为其5G移动芯片组。 “随着EUV工艺节点的引入,三星在半导体行业引领了一场静悄悄的革命,” 三星电子代工销售和营销团队执行副总裁Charlie Bae说。“晶圆生产方式的这种根本性转变使我们的客户有机会以卓越的产量,减少的层数和更高的产量显着提高产品的上市时间。我们相信7LPP不仅是移动和HPC的最佳选择,也适用于广泛的尖端应用。“ 此时,7LPP得到了众多三星高级代工生态系统(SAFE)合作伙伴的支持,包括Ansys,Arm,Cadence,Mentor,SEMCO,Synopsys和VeriSilicon。除此之外,三星和上述公司还提供HBM2 / 2E,GDDR6,DDR5,USB 3.1,PCIe 5.0和112G SerDes等接口IP解决方案。因此,2021年及之后的SoC芯片开发商将依靠PCIe Gen 5和DDR5开始设计他们的芯片。 至于封装,使用7LPP EUV技术制造的芯片可以与2.5D硅插入器(如果使用HBM2 / 2E存储器)以及三星的嵌入式无源基板耦合。 如上所述,三星在其Fab S3上使用了EUV机台量产,但其工厂仍然拥有大量的DUV(深紫外线)设备。如果想进一步扩大7LPP工艺技术产量,可能需要扩充更多的EUV机台。