《三星推出3纳米芯片制造工艺工具与技术》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2021-11-24
  • 11月20日消息,近日举行的第三届三星高级代工生态系统论坛上,三星电子公司推出了多款对3纳米芯片制造工艺至关重要的设计工具和技术,以及帮助加强代工生态系统的战略。代工业务是指为其他没有半导体工厂的公司制造定制芯片。
    三星旗下代工部门表示,他们将推出80多种针对半导体设计基础设施和封装解决方案进行优化的电子设计自动化工具、技术。这些工具和技术对3纳米制造工艺至关重要,三星计划于2022年上半年开始推出3纳米产品。
    三星电子高级副总裁兼代工设计平台开发负责人RyanLee表示:“在这个以数据为中心、快速变化的时代,三星及其代工合作伙伴取得了长足的进步,以应对日益增长的客户需求,并通过提供强大的解决方案来支持他们取得成功。在我们SAFE计划的支持下,三星将引领‘性能平台2.0’愿景的实现。”
    三星还谈到了其在代工业务基础设施方面的扩展,包括高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、电子设计自动化(EDA)、云计算、封装解决方案和设计解决方案合作伙伴(DSP)等领域的进展。
    此外,三星也介绍了该公司通过与无厂房公司合作取得的一些成就。这家芯片制造商正与12家全球设计解决方案合作伙伴合作,为其无厂房客户开发高性能、低能耗的半导体设计。
    英国芯片设计公司Arm首席执行官西蒙·塞加斯(SimonSegars)说:“我们的伙伴生态系统在许多市场都有不断增长的商机,我们与三星代工部门的长期合作对此至关重要。我们将继续密切合作,在三星代工的尖端工艺(包括GAA)上优化我们的Armv9下一代处理器,以提供针对当今世界和未来技术进行优化的同类最佳解决方案。”

相关报告
  • 《虎湖芯片推出SuperFin 10纳米工艺》

    • 来源专题:宽带移动通信
    • 编译者:张卓然
    • 发布时间:2020-11-26
    • 英特尔已经推出了第11代“核心”处理器——“虎湖”(Tiger Lake)——采用10纳米SuperFin FinFET制造工艺制造。 虎湖处理器实现了一个新的CPU架构,称为“柳树湖”,带有附加指令,包括一个新的称为“虹膜Xe”的图形处理单元。 英特尔称,这一组合使“虎湖”成为世界上最适合轻薄笔记本电脑的处理器。该处理器与一个配套芯片封装在一起,用于在其目标市场个人电脑上执行WiFi6通信,英特尔希望将该处理器销售到基于Windows和ChromeOS的笔记本电脑上。 10纳米制造工艺说成是包括SuperFin技术。10纳米SuperFin有一个改进的金属互连堆栈,电阻降低30%。在2020年8月英特尔的一次活动中,首席架构师Raja Koduri声称,使用SuperFin技术,可以提供几乎相当于完全节点转换的性能提升。 英特尔此前曾表示,其10纳米工艺大致相当于竞争对手的7纳米,因此进一步增加节点可以使英特尔与5纳米大致持平。英特尔宣布,计划使用铸造服务生产7纳米产品,作为10纳米产品的后续产品,这在一定程度上削弱了这一论调(参见因特尔因产量问题而铸造7纳米产品)。 10纳米“虎湖”处理器是英特尔U系列的一部分,分为三个性能频段:i3、i5和i7。 SuperFin的使用,使处理器的时钟频率达到4.8GHz,并且具有各种功能,从2核超高清图形和6兆字节片上缓存到4核Xe图形和12兆字节片上缓存。指令集包括对集成图形神经网络推理的支持,以及对INT8数据类型的本地支持。功耗从低端的7至15W到高端的12至28W不等。 英特尔拥有更高性能的处理器,有更多的核心,但采用旧的14纳米 FinFET技术。 英特尔没有透露基于“虎湖”处理器的电脑何时可以购买,但说有超过150种设计正在开发中。英特尔失去了一个关键客户苹果,苹果公司正转向使用基于ARM架构的内部设计的处理器(请参阅更多有关苹果将英特尔处理器从个人电脑中撤出的详细信息)。 英特尔失去苹果业务的一个原因是,英特尔推出10纳米工艺的过程一直受到拖延。然而,首席执行官鲍勃·斯旺最近表示,10纳米的生产速度比预期的要快,尽管他承认英特尔不得不去铸造厂生产7纳米产品。
  • 《为赶超台积电!三星开始批量生产6纳米芯片》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2020-01-09
    • 据businessKorea报道,三星电子已开始批量生产基于极紫外(EUV)技术的6纳米芯片。 三星于去年4月向全球客户提供7纳米产品,自开始大规模生产7纳米产品以来,三星仅在八个月内就推出了6纳米产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短,特别是向6纳米EUV工艺的过渡有望缩小与全球第一大晶圆代工厂台积电(TSMC)的差距。 据介绍,三星电子去年12月在京畿道华城校区S3线开始批量生产基于EUV技术的6纳米芯片。三星合作伙伴公司的一位官员说:“据我所知,6纳米产品已经交付给北美的大型企业客户。”行业专家认为,三星的6纳米产品将提供给高通公司。 三星希望通过开始批量生产6纳米产品给台积电施加压力。全球市场研究公司TrendForce表示,去年第四季度,台积电的市场份额占全球晶圆代工市场的52.7%,与三星的差距扩大到17.8%。 三星未能赶超台积电的主要原因是三星在16纳米和12纳米工艺之后开发7纳米工艺的时间很晚。台积电通过其7纳米技术,垄断了苹果(最大的无晶圆厂客户)的AP供应。 此前,三星电子在2014年首次将14纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺商业化,但在7纳米工艺开发中却失去了领先台积电的优势。目前,7纳米产品在三星销售中所占的份额很小。为了克服这个问题,三星正在加紧努力以缩短7nm以下微加工工艺的开发周期。 继大量生产6纳米产品之后,三星电子计划在今年上半年推出5纳米产品。此外,三星电子有在今年上半年采用正在研发中的最新3纳米全栅极(GAA)工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版,能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。