《中美研究人员开发出碳纳米管晶体管制造新工艺》

• 来源专题：半导体工艺技术
• 编译者： shenxiang
• 发布时间：2021-01-04

据IEEE官网12月14日消息，台积电公司、美国加州大学圣地亚哥分校和斯坦福大学联合研究团队开发出一种碳纳米管晶体管制造新工艺，可制造出更小、更稳定的碳纳米管晶体管。业界认为碳纳米管晶体管有望打破硅晶体管芯片无法进一步缩小的瓶颈，延续“摩尔定律”。研究人员将二氧化铪和氧化铝材料相结合，形成具有较高介电常数的介质材料，以作为碳纳米管晶体管结构中的栅极电介质。二氧化铪和氧化铝的综合电特性，使得研究人员能够构造一个厚度小于4nm的栅极电介质装置。仿真实验的结果表明，用这一方法制造出的碳纳米管元件，与基于CMOS(互补式金属氧化物半导体)的硅元件性能更为接近，且其尺寸还有望进一步缩小。该研究为碳基半导体的开发进一步拓宽了道路。