《美国空军将合同授予Qorvo公司,以加速GaN设计,增加其性能和可靠性》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-11-11
  • 美国的Qorvo公司已被美国空军研究实验室(AFRL)授予为期四年的合同,以开发统一的氮化镓(GaN)建模框架,加速GaN器件的设计。

    Qorvo将领导一个团队,其中包括Modelithics公司、帕多瓦大学、NI AWR、HRL和科罗拉多大学博尔德分校,共同进行研究,创建一个统一物理建模和制造建模的工具,以提升GaN技术。

    Qorvo表示,GaN具有强大的功率密度并且可提供很高输的出功率和效率。包括毫米波频率,这使其成为雷达、电子战(EW)以及国防和商业应用通信系统首选的半导体技术。

    Qorvo基础设施和国防产品业务总裁James Klein说:“该合同使空军能够利用Qorvo近20年的专业知识,开发业界最可靠,性能最高的GaN工艺,新的建模和仿真工具将加速GaN设计,也可以降低成本。”

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