BAE系统公司与美国空军研究实验室（AFRL）签署了一项合作协议，旨在将美国空军开发的氮化镓（GaN）半导体技术转移到高级微波产品（AMP）中心。
作为努力的一部分，BAE Systems将接受转移和进一步增强该技术，将其扩展到6英寸晶圆，以降低每芯片成本，并加强防御系统来控制关键技术的可访问性。
AMP主管Scott Sweetland说：“今天的毫米波GaN半导体是在研发实验室低量生产，并且相关成本高，或者是生产于国防供应商无法广泛使用的专属铸造厂。这项工作将利用AFRL的高性能技术和BAE Systems的6英寸制造能力，推动GaN MMIC性能，使其更加可靠和实惠，同时促进这一关键技术更广泛的使用。”
该项目的工作将主要在BAE Systems的70,000ft2微电子中心（MEC）进行，自2008年以来，MEC一直是DoD 1A类可信赖供应商。
