像黄金和白银这样的稀有金属为中超材料提供了许多障碍,例如:高损耗和缺乏可调性。此外,掺杂半导体的应用也使得克服了可调限制,与金属相比,其损耗更低。此外,掺杂半导体具有少量的负真介电常数,这是实现中IR双曲超材料的必要条件。我们从理论上证明了超级聚焦的基础上,基于所有的半导体平面,利用奈斯的异质结构。通过应用一个单缝,与掺杂的奈斯/纳斯相结合,入射光可以耦合到高传播波向量的HMM模式,导致子衍射聚焦在中红外波长范围内。我们提出的结构可以通过改变奈奈的掺杂浓度来显示一个广泛的可控制/可调的操作。因此,重点解决在中红外可调谐范围从4.64到19.57(μmμm与取得的最大分辨率0.045λμm 19.57操作的波长。此外,我们还展示了衬底折射率对调谐和增强聚焦分辨率的影响。我们提出的HMM是一种基于单一的材料,在制造过程中不会受到晶格错配的限制。
——文章发布于2017年11月10日