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《Nordic推出nPM1304电源管理芯片：突破超低功耗精准电量计量技术》

  • 来源专题：新一代信息技术
  • 编译者： 刘飞
  • 发布时间：2025-09-19

  • 北欧半导体（Nordic Semiconductor）发布nPM1304电源管理集成电路（PMIC），首次为小型可充电电池应用提供超低功耗精准电量计量功能。该芯片支持低至4mA的充电电流，专为智能戒指、身体传感器、触控笔等微型设备优化，采用3.1×2.4mm WLCSP封装，将于10月启动量产。

    【技术突破】精准电量计量：基于电压、电流和温度监测的算法模型，在超低功耗下实现精确电池电量估算系统管理创新：集成硬复位功能、失败启动恢复机制和电源故障警告中断，提升设备可靠性能效优化：370nA船运模式功耗，四路稳压电源输出，大幅延长微型设备续航时间。

    该芯片与Nordic nRF52/nRF53/nRF54系列SoC协同工作，主要面向：智能穿戴设备，如运动表现追踪器、健康监测设备；微型物联网终端，如密封式传感器、智能触控笔便携以及一次性身体传感器、远程监测贴片等医疗设备。

    nPM1304通过高度集成设计降低系统复杂度与BOM成本，解决小型电池设备长期存在的电量计量精度问题。将加速超低功耗物联网产品的开发周期，推动可穿戴设备向更小体积、更长续航方向发展。

  • 原文来源：https://www.eetindia.co.in/nordic-pmic-offers-ultra-low-power-precision-fuel-gauging-for-compact-applications/
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  • 《洞见 | MicroLED主要的芯片玩家及专利突破》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2023-06-25
    • 万亿规模的显示产业正面临着传统应用市场步入电竞、车载、AR/VR等新兴应用领域，迫使显示技术加速迭代升级。在此背景下，具备超低功耗、高发光效率、高对比度、高集成度、小体积小尺寸等优点的MicroLED，成为最有希望主导面板市场的新一代显示技术。 新一代显示技术MicroLED迸发巨大应用前景，带动上游显示芯片需求快速增长。集邦咨询预测，预计2021年至2026年MicroLED车用显示驱动芯片产值将以10倍以上的速度增长，年复合增长率高达1384%；2023年至2026年MicroLED AR显示驱动芯片产值年复合增长率也将高达643%。 为了抓住这巨大发展机遇，MicroLED显示驱动芯片开始成为国内外厂商的研究重点。谁能在MicroLED技术瓶颈上实现最先突破，就有可能成为显示面板半导体产业的新领跑者，拿下最大的一块蛋糕。 MicroLED显示驱动芯片的主要玩家 据电子发烧友此前对显示驱动芯片产业的梳理，目前已量产MicroLED 显示驱动芯片产品的企业，主要有联咏科技、聚积科技、集创北方、云英谷、爱协生、凌阳华芯、明微电子、禹创半导体、显芯科技、思坦科技等。 另外，瑞鼎与友达也进行合作研发Micro LED显示驱动芯片，苹果也在加紧投资研发MicroLED面板技术，预计2024年推出首款搭载自研MicroLED显示驱动芯片的Apple Watch。近日，国内的初创企业彩山微也获数千万投资，开展MicroLED驱动芯片的研发。 虽然它们都是MicroLED领域的显示驱动芯片企业，但各家的技术优势、研发重点、商业模式均有所不同，具体我们来看一下以下重点的几家企业： 聚积科技成立于1999年6月，是一家专注于电源管理与光电应用芯片设计的企业，成立最初是做LED驱动芯片出名的，2018年其开始拓展MicroLED全新产品线，并于同年8月发布首颗MicroLED显示驱动芯片产品，2020年一季度开始聚积科技开始量产MicroLED显示器，出货量逐季攀升。 据了解，聚积科技以电竞屏幕为切入点，进入MicroLED应用市场。而在TrendForce最新举办的Micro LED Forum研讨会上，聚积科技分享了MicroLED大型显示器在元宇宙应用的重要性及公司布局。 此前聚积科技的市场部部门副理蔡宗达表示，“针对MicroLED相关应用，公司已有MBI5359/MBI5759等高整合IC作为早期方案供应给各大厂商。MicroLED公司之前以大型显示器为主要切入领域，若要导入更小尺寸面板，PPI的指针将会是驱动芯片的挑战，如何实现更高整合度让MicroLED驱动芯片方案更加合理，同时满足视觉效果要求，将会是聚积科技投入的研发重点。”聚积科技持续坚持MicroLED创新技术开发，其采用先进制程开发了低电流高精准度且低功耗的驱动晶片，成功点亮微型发光二极管显示器。 集创北方成立于2008年，是一家为LED显示屏、LCD面板、OLED以及新型显示屏提供显示芯片解决方案的企业。目前，在国内集成北方是显示驱动芯片经营规模最大且产品线布局最广的企业之一。2018年集创北方推出了ICND2069共阴极驱动IC，延续了ICND2055/65系列的优势，并匹配四合一共阴极LED使用，当前集创北方ICND2069驱动了市面上80%以上的四合一LED屏幕。 集创北方MicroLED显示系列芯片产品具备创新的行列整合架构，具有集成度高的特点，内置高灰度时钟，能有效提升显示刷新率和灰度等级，同时能够支持HDR、动态节能等功能，可实时监测LED开/短路、温度等信息。招股书显示，集创北方近年投入近三千万持续迭代面向Mini/MicroLED应用的显示驱动芯片产品。但目前集创北方的科创板IPO终止了，拟投资7.27亿元的Mini/MicroLED显示驱动芯片研发及产业化募投项目也暂且搁浅了。 2022年集创北方实现营业收入58.05亿元，同比增长2.31%；归母净利润为1.75亿元，同比大幅下滑81.22%。 云英谷也是MicroLED赛道上的领先者，其开发的MicroLED显示驱动背板芯片主要是面向VR/AR等智能头戴式设备应用领域的。云英谷的MicroLED芯片集驱动和显示背板一体，多款产品已在客户端验证并大量商用。2023年开年不久，凭借领先的MicroLED技术，云英谷MicroLED VTOS6205芯片荣获优秀技术创新产品奖。据了解，这款MicroLED芯片是云英谷为了进一步布局增强现实眼镜应用市场而推出的，产品可支持高速接口，刷屏速率为90Hz，内置温度补偿和电压补偿。 更值得一提的是凌阳华芯这家企业，它自设立之初就直接挑战新一代显示技术Mini/MicroLED驱动芯片的研发，专攻Mini/MicroLED领域的技术壁垒。目前凌阳华芯已拥有Mini/MicroLED核心专利15项，另外还有20项专利正在申请当中，在显示驱动架构、色彩灰度优化等先进技术研发方面构建了专利“护城河”。 2022年凌阳华芯重磅推出了两款Mini/MicroLED产品XM10480G、XM11202G，新品有效解决了小/微间距模块视效的八大问题：上下鬼影、开路毛毛虫、坏点十字架、低灰色块色偏、首行暗线、高对比度耦合、跨板耦合、跨板渐层色温。而且凌阳华芯采用12英寸40nm~80nm先进制程，结合高集成技术解决了Mini/MicroLED显示驱动芯片功耗占比变高的问题。 MicroLED成最活跃的研发地带，2023年迎来多重专利突破 不管是显示面板厂商，还是显示芯片设计企业，显示产业链上相关厂商都将MicroLED作为目前的研发重点。在过去十年，行业风向标苹果已累计投资至少10亿美元研发MicroLED技术。今天，更是有重磅消息放出，三星、LG显示器巨头主要供应商之一的默克集团暂停研发LCD面板，将所有研发资金投入到MicroLED、OLED等自发光屏幕材料上。 一时之间，MicroLED成为显示产业最活跃的研发地带，特别是初创企业。从前面MicroLED显示驱动芯片的主要玩家梳理中，我们就可以看到对MicroLED显示芯片研发最积极的初创企业。大量初创企业正获得资本大佬的投资，助力它们在MicroLED技术瓶颈上突破。 根据万象智库数据，2022年全年Mini&MicroLED产业链投融资涉及40家以上企业，共计813亿元融资资金。2023年以来，MicroLED产业链上的观海微、创维集团、昇印光电、Mojo Vision、VueReal、科韵激光、雷鸟创新、小派科技、立琻半导体、JBD、麦沄显示等企业先后完成不同规模的融资，加大MicroLED技术研发投入。 在资本的加持下，2023年以来国产厂商在MicroLED领域的专利突破也频频来袭，截至目前中国厂商MicroLED专利申请量已达50多项，包括思坦科技的发明专利“一种用于Micro-LED的色转换层及其制备方法”，以及兆驰半导体的四项MicroLED专利“一种MicroLED器件及其制备方法”、“一种Micro-LED芯片的巨量转移方法”、“一种倒装Micro-LED芯片及制备方法”、“一种全彩Micro-LED芯片及其制备方法”，闻泰科技的“Micro-LED显示器件的制备方法”，数字光芯的“采用堆叠式封装的Micro-LED微显示芯片”、“一种阶梯式线阵MicroLED、扫描装置及扫描方法”的发明专利等等。 2023年以来专利突破大体集中在巨量转移、芯片结构、封装、全彩显示等技术领域，国产厂商正快速加强MicroLED知识产权“护城河”。
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  • 《突破性进展！纳米芯片制造新技术》
    • 来源专题：中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者：冯瑞华
    • 发布时间：2019-02-01
    • 近日，一个由美国纽约城市大学Riedo教授领导国际研究小组，在制造纳米芯片方面取得了突破性进展，可能对纳米芯片的生产和技术产生深远影响。研究称新型的热扫描探针光刻技术（t-SPL）比传统电子束光刻技术（EBL）相比具有明显的优势。相关成果发表在最新一期的《Nature Electronics》。 论文链接：https://www.nature.com/articles/s41928-018-0191-0 更小、更快的半导体二维材料是科学家一直追求的目标。该研究称，基于二维半导体材料二硫化钼的金属电极制造技术，采用100℃探针光刻技术效果优于标准的制造技术。这种过渡金属可能会取代硅，成为原子级芯片的材料之一。 与传统光刻技术相比，该热光刻技术显著的提升了二维晶体管的质量，芯片设计人员能够对二维半导体材料成像，并对电极进行图像化处理。此外，热光刻技术可以节省大量成本，降低功耗，并不需要采用高能电子和超高真空。 据美国纽约城市大学报道，Riedo希望热光刻技术能将大部分制造技术从洁净室转移到实验室，这便于快速的推进材料科学和芯片设计的发展。当热光刻技术的分辨率达到10nm，可使用120伏的标准电源，热光刻技术就会像3D打印技术一样出现在实验室。
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