《Littelfuse在SiC功率半导体器件系列中增加了GEN2 1200V肖特基二极管》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-06-10
  • 在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2018(电源转换和智能运动)中,提供电路保护技术的美国伊利诺斯州芝加哥的Littelfuse公司(包括保险丝,半导体,聚合物,陶瓷,继电器和传感器)推出了五款GEN2系列1200V,3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200V,2L TO-263肖特基二极管,扩展了碳化硅(SiC)功率半导体器件产品组合。与硅器件相比,GEN2 SiC肖特基二极管大大降低了开关损耗,并大大提高了电力电子系统的效率和稳健性。

    Littelfuse指出,SiC技术所带来的高效益可为电动汽车(EV)充电器,数据中心电源和可再生能源系统的设计人员带来多重优势。由于GEN2 SiC肖特基二极管消耗的能量较少,并且可以在比许多其他解决方案更高的结温下工作,因此它们需要更小的散热片并实现更小的系统占用空间。

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    • 编译者:Lightfeng
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    • 德国慕尼黑英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)通过在D²PAK真2引脚封装中添加六个器件,扩展了其碳化硅CoolSiC肖特基二极管1200V产品组合。 使用SMD封装,设计可以生产更紧凑和更具成本效益的产品。此外,新的D²PAK真2引脚封装消除了中间引脚,从而提供了4.7mm的爬电距离和4.4mm的间隙距离。与标准D²PAK封装相比,安全性更高。二极管非常适合工业电源、直流充电站、不间断电源(UPS)和太阳能串逆变器之类的应用。 新器件采用英飞凌的CoolSiC肖特基二极管1200V技术G5,该技术可提供同类最佳的正向电压和高浪涌电流功能。此外,它还可以防止反向恢复损耗,并允许与温度无关的开关行为。当以较高的开关频率使用时,这些功能可以简化对冷却要求和磁性要求较低的设计。 CoolSiC肖特基二极管1200V G5现已供货,额定电流为2A至20A,采用D2PAK真正2引脚封装,这代表业界最广泛的产品组合。 该公司表示,通过在D²PAK真2引脚封装中使用新型SiC二极管,与硅解决方案相比,设计人员能够将功率密度和可靠性提高到一个新的水平。新产品组合与其他Infineon产品结合在一起,例如结合CoolSiC MOSFET 1200V、TRENCHSTOP 1200V IGBT6、EiceDRIVER栅极驱动器IC等,为高效率设计提供了完整的解决方案。
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    • 编译者:shenxiang
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    • 美国伊利诺伊州芝加哥的Littelfuse公司提供电路保护技术(包括保险丝、半导体、聚合物、陶瓷、继电器和传感器),推出了LSIC2SD065XXA和LSIC2SD065AXXA系列第二代650V系列、AEC-Q101合格的碳化硅肖特基二极管。 可选择电流额定值(6A、8A、10A、16A或20A),它们为电力电子系统设计人员提供各种性能优势,包括可忽略的反向恢复电流、高浪涌能力和最高工作结温度175°C,因此它们适用于高效率、可靠性和热管理的应用。 与标准硅PN结二极管相比,650V系列SiC肖特基二极管可显著降低开关损耗,显著提高电力电子系统的效率和鲁棒性。由于它们比硅基解决方案消耗更少的能量,并且可以在更高的结温下工作,因此它们允许更小的散热片和更小的系统占地面积,从而为最终用户提供更紧凑、节能的系统的优势,以及降低总体拥有成本的潜力。 650V系列SiC肖特基二极管的典型应用包括:功率因数校正(PFC)、DC-DC变换器的降压/升压级、反相器级的自由旋转二极管、高频输出整流和电动汽车(EV)应用。 图1:Littelfuse的新LSIC2SD065XXA(左)和LSIC2SD065AXXA(右)Gen2 650V SiC肖特基二极管。: 据称,650V系列SiC肖特基二极管具有以下优点: 符合AEC-Q101标准的二极管在苛刻的应用中表现出卓越的性能。 开关损耗远低于硅双极二极管,且具有快速、与温度无关的开关特性,使器件适用于高频功率开关。 正温度系数使操作安全,易于并联。 175°C的最高工作结温度提供了更大的设计裕度和宽松的热管理要求。 LSIC2SD065XXA系列SiC肖特基二极管有TO-252-2L(DPAK)封装,采用磁带和卷轴格式,最小订购量为2500台设备。LSIC2SD065AXXA系列SiC肖特基二极管有TO-220-2L封装,50个器件封装在一个管中,最小订货量为1000个单元。样品申请可通过全球授权的Littelfuse分销商提出。