据Digitimes报道， 三安光电 计划在2019年第四季开始生产6英寸Micro LED 晶圆。
报道称，三安光电已开发10x20微米的Micro LED，并希望在2020年进一步微缩Micro LED的尺寸，为客户提供样品芯片和测试数据。使用6英寸晶圆对于降低Micro LED制造成本来说至关重要，目前，大部分厂商仍然采用4英寸Micro LED晶圆进行研发和试行生产。
据悉，三安光电希望Micro LED首先导入可穿戴设备的小型显示器，这意味着每个显示器巨量转移所需的芯片较少。随着巨量转移技术逐渐成熟，Micro LED技术 将可以用于大型显示器。
今年4月，三安光电宣布将在湖北省葛店经济技术开发区管理委员会辖区内投资兴办III－V族化合物半导体项目，主要生产经营Mini／Micro LED外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。7月底，Mini／Micro LED显示芯片产业化项目正式开工。
该项目计划总投资120亿元，用地约756亩，将争取在各项手续完备后36个月内完成项目建设并实现投产，48个月内实现达产；争取在各项手续齐备、相关配套设施完备的前提下，一期投资在24个月内完成项目建设并投产。
三安光电Mini／Micro LED芯片 项目，将建成Mini／Micro LED氮化镓芯片、Mini／Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列的研发生产基地，预计将形成年产Mini LED芯片210万片、Micro LED芯片26万片、4K显示屏用封装产品84000台的研发制造能力。预计氮化镓芯片系列年产161万片（其中蓝光Mini LED 72万片／年，蓝光Micro LED 9万片／年，绿光Mini LED 72万片／年，绿光Micro LED 8万片／年）；砷化镓芯片系列年产75万片（其中红光Mini LED 66万片／年，红光Micro LED 9万片／年）。
