《研究人员在室温单光子源方面取得进展》

  • 来源专题:计量基标准与精密测量
  • 编译者: 李晓萌
  • 发布时间:2024-04-18
  • 近日,一项研究由Boaz Lubotzky在博士研究期间牵头,与耶路撒冷希伯来大学拉卡物理研究所的Ronen Rapaport教授与美国洛斯阿拉莫斯国家实验室和德国乌尔姆大学的团队合作,揭示了在室温下单光子源的片上集成方面的重大进展。这一成就代表着量子光子学领域向前迈出的重要一步,并有望在包括量子计算、密码学和传感在内的各种应用中发挥作用。

    关键的创新在于实现了一种混合金属-电介质靶心天线,它提供了卓越的光子方向性。这种新颖的天线设计允许通过将发射器放置在位于天线中心的亚波长孔内来有效地反向激发光子。这种配置使得能够将发射直接反向激励和高效的正向耦合到低数值孔径光学器件或光纤。

    这项研究通过制造含有胶体量子点或含有硅空位中心的纳米金刚石的器件,证明了这一概念的多功能性,即使在室温下,这两种器件都是出色的单光子发射器。使用两种不同的纳米定位方法对这些发射器进行了精确定位。值得注意的是,这两种类型的背激器件在低至0.5的数值孔径下都表现出约70%的前收集效率。这意味着可以使用非常简单和紧凑的光学元件,并且仍然将大部分光子收集到所需的通道中,或者将发射的光子准确地发送到附近的光纤中,而不需要任何额外的耦合光学器件。这是将量子光源集成到真实量子系统中的关键因素。这一简化的过程有望简化未来的集成工作,并加速实现实用的量子光子器件。

    Boaz-Lubotzky评论了这一成就的意义,他说:“通过克服与单光子源芯片集成相关的关键挑战,我们为先进量子技术的发展开辟了令人兴奋的新可能性。”

    通过创新使用金属-电介质混合靶心天线,在室温下将单光子源成功集成到微小芯片上,这在推进量子密码技术以实现安全通信、改进传感技术和简化实用量子光子器件的集成过程方面具有直接应用。这项研究的发现为新兴量子技术领域的商业应用和新产品开发打开了大门。

    题为“基于背激纳米天线中胶体量子点和SiV中心的室温光纤耦合单光子源”的研究论文现已在《Nano Letters》期刊上发表,可访问https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c03672。

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    • 在近日发表在《Science Advances》上的一项研究中,由九州大学工程学院副教授Nobuhiro Yanai领导的一组研究人员与九州大学副教授Kiyoshi Miyata和神户大学的Yasuhiro Kobori教授合作,报告说他们已经在室温下实现了量子相干性:量子系统随着时间的推移保持良好状态而不受周围干扰影响的能力。 这一突破是通过将发色团(一种吸收光并发出颜色的染料分子)嵌入金属有机框架(MOF)(一种由金属离子和有机配体组成的纳米多孔晶体材料)而实现的。 他们的发现标志着量子计算和传感技术的重大进步。虽然量子计算被定位为计算技术的下一个重大进步,但量子传感是一种利用量子比特(经典计算中比特的量子类似物,可以以0和1的叠加形式存在)的量子力学特性的传感技术。 不同的系统可以用来实现量子位,其中一种方法是利用电子的内在自旋——一种与粒子磁矩相关的量子特性。电子有两种自旋状态:向上自旋和向下自旋。基于自旋的量子比特可以存在于这些状态的组合中,并且可以“纠缠”,从而允许从一个量子比特的状态推断出另一个量子比特的状态。 通过利用量子纠缠态对环境噪声极其敏感的特性,量子传感技术有望实现比传统技术更高的分辨率和灵敏度。然而,到目前为止,缠绕四个电子并使它们对外部分子做出反应一直是一个挑战,即使用纳米多孔MOF实现量子传感。 值得注意的是,发色团可以在室温下通过称为单线态裂变的过程激发具有理想电子自旋的电子。然而,在室温下,存储在量子位中的量子信息会失去量子叠加和纠缠。因此,通常只有在液氮水平的温度下才能实现量子相干性。 为了抑制分子运动并实现室温量子相干性,研究人员在uio型MOF中引入了一种基于并五苯(由五个线性融合苯环组成的多环芳香烃)的发色团。“这项工作中的MOF是一个独特的系统,可以密集地积累发色团。此外,晶体内部的纳米孔使发色团能够旋转,但角度非常有限,”柳井说。 MOF结构促进了并五烯单元中足够的运动,使电子从三重态过渡到五态,同时也充分抑制了室温下的运动,以保持五态多激子态的量子相干性。在用微波脉冲光激发电子的情况下,研究人员可以在室温下观察到超过100纳秒的量子相干性。“这是第一个纠缠五元的室温量子相干性,”兴奋的Kobori评论道。 虽然相干性仅在纳秒内被观察到,但这一发现将为在室温下产生多个量子位的材料的设计铺平道路。 Yanai推测:“未来,通过寻找能够诱导更多这种抑制运动的客体分子和开发合适的MOF结构,将有可能更有效地产生五种多激子态量子位。”“这可以为基于多量子门控制和各种目标化合物的量子传感的室温分子量子计算打开大门。”
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    • 编译者:李晓萌
    • 发布时间:2024-06-12
    • 近日,美国能源部费米国家加速器实验室超导量子材料与系统中心的科学家和工程师,?已经以0.6毫秒的记录值实现了超导transmon量子位寿命的可重复改进。这一结果是通过一种创新的材料技术实现的,该技术消除了器件中的一个主要损耗源。 这些结果已发表在《Nature Partner Journal Quantum Information》期刊上。 量子器件如量子位对于存储和操纵量子信息至关重要。量子位的寿命,即相干时间,决定了在错误发生之前数据可以存储和处理多长时间。这种现象被称为量子退相干,是操作量子处理器和传感器的关键障碍。 这种被称为“表面封装”的新工艺在制造过程中保护量子位的关键层,并防止在这些器件的表面和界面形成有问题的“有损”氧化物。通过仔细研究和比较各种材料和沉积技术,SQMS研究人员研究了不同的氧化物,这些氧化物可以延长量子位的寿命,减少损耗。 费米实验室的高级科学家、SQMS中心量子技术推进负责人Alexander Romanenko说:“SQMS正在突破量子位性能的极限。”。“这些努力表明,对工艺和材料进行系统审查,并首先解决最重要的问题,是推动量子位相干性的关键。追求器件制造和表征,与材料科学携手合作,是深化我们对损耗机制的科学理解,并在未来改进量子器件的正确方法。” 量子位最大的障碍:相干时间 量子位有很多种类型。量子计算机的这些基本构建块处理信息的方式与经典计算机不同,而且可能更快。量子位存储量子信息的时间越长,它在量子计算机中的应用潜力就越大。 自2020年成立以来,SQMS研究团队一直致力于了解transmon量子位中误差和退相干的来源。这种类型的量子位在由衬底(如硅或蓝宝石)顶部的金属铌层组成的芯片上图案化。许多人认为这些超导量子位是量子计算机最先进的平台。美国和世界各地的科技公司也在探索它们。 然而,科学家们仍然必须克服一些挑战,量子计算机才能实现他们解决以前无法解决的问题的承诺。用于创建这些量子位的材料的特定特性可能导致量子信息的退相干。在SQMS,对这些特性和损失缓解策略进行更深入的科学理解是一个活跃的研究领域。 为了使量子位使用寿命更长,请关注材料 研究transmon量子位损耗的SQMS科学家指出,铌表面是罪魁祸首。这些量子位是在真空中制造的,但当暴露在空气中时,铌表面会形成氧化物。尽管这个氧化物层很薄——只有大约5纳米——但它是能量损失的主要来源,并导致更短的相干时间。 Romanenko说:“我们之前的测量表明,铌是这些量子位的最佳超导体。虽然金属损耗接近零,但铌表面氧化物是有问题的,也是这些电路损耗的主要驱动因素。”。 SQMS的科学家们建议在制造过程中对铌进行封装,使其永远不会暴露在空气中,因此不会形成氧化物。虽然他们对哪种材料最适合封盖有一个假设,但确定最佳材料需要进行详细研究。因此,他们用不同的材料,包括铝、钽、氮化钛和金,系统地测试了这项技术。 每次尝试覆盖层时,SQMS的科学家都会在费米实验室、埃姆斯国家实验室、西北大学和坦普尔大学的材料科学实验室使用几种先进的表征技术分析材料。量子比特的性能是在费米实验室SQMS量子车库的稀释冰箱内测量的。这种低温设备将量子位冷却到绝对零度以上一点点。结果表明,与没有覆盖层(包含氧化铌层)的样品相比,研究人员可以制备出相干提高2到5倍的量子位。 研究小组发现,封端过程提高了研究中探索的所有材料的一致性时间。在这些材料中,钽和金被证明是实现更高相干时间的最有效材料,平均相干时间为0.3毫秒,最大相干时间高达0.6毫秒。这些结果进一步揭示了这些量子位中损耗的性质、层次和机制。发现它们是由非晶氧化物和界面的存在所驱动的。 “在制造量子位时,有许多或多或少隐藏的变量会影响性能,”费米实验室的科学家、SQMS纳米制造小组和工作组负责人Mustafa Bal说。“这是第一次在不同的制造设施中,在固定几何形状的芯片上,一次非常仔细地比较一种材料变化和一种工艺变化。这种方法确保了我们开发出可重复的技术来提高量子位的性能。” 连贯时间:我们已经走了多远 作为SQMS中心国家纳米制造工作组的一部分,这些团队在不同的设施中制造和测试量子位。费米实验室领导了由Bal领导的SQMS纳米制造小组,在芝加哥大学普利兹克纳米制造厂制造量子位。其他设施包括拥有量子铸造厂的量子计算公司Rigetti Computing和美国国家标准与技术研究所博尔德实验室。两者都是SQMS中心的旗舰合作伙伴。在Rigetti的商业铸造厂制造芯片证明,该技术易于在行业中复制和扩展。 Rigetti计算机公司量子系统高级副总裁Andrew Bestwick表示:“在Rigetti计算公司,我们希望制造尽可能好的超导量子位,以制造尽可能最好的量子计算机,而以可复制的方式延长量子位的寿命一直是最困难的问题之一。”。“这是该领域能够在二维芯片上实现的领先的transmon相干时间之一。最重要的是,这项研究以对量子位损耗的科学理解为指导,从而在不同实验室和我们的制造设施中实现了再现性。” 在NIST,科学家们对使用量子技术对光子、微波辐射和电压进行基本测量感兴趣。“这是一个伟大的团队努力,也是一个很好的旗帜,它表明了我们已经走了多远,也表明了我们仍然面临的挑战,”NIST物理学家Peter Hopkins说,他领导着超导电子小组,也是SQMS中心国家纳米制造工作组的主要成员。 在这项工作之后,SQMS的研究人员继续进一步推动量子位的性能前沿。下一步包括设计创造性和稳健的纳米制造解决方案,将这项技术应用于其他transmon量子位表面,以消除这些器件中存在的所有损耗界面。在其上制备这些量子位的底层衬底也代表了下一个主要的损耗源。SQMS的研究人员已经在努力研究和开发适合量子应用的更好的硅片或其他低损耗衬底。 此外,SQMS的科学家们正在努力确保相干研究的这些进展能够在具有几个互连量子位的更复杂的芯片架构中得到保留。 SQMS量子技术路线图 鉴于SQMS中心合作的广度,该中心的愿景和使命是多重的。研究人员试图提高量子计算机构建块的性能,并将这些创新应用于量子处理器的中型原型中。 在SQMS,两个主要的超导量子计算平台正在探索中:基于2D传输量子比特芯片和基于3D腔的架构。对于基于芯片的处理器,SQMS研究人员与Rigetti等行业合作伙伴携手合作,以提高这些平台的性能和可扩展性。 目前,来自费米实验室和里盖蒂的SQMS研究人员已经联合开发了一种9量子位处理器,该处理器融合了这些表面封装的进步。该芯片正在费米实验室的SQMS量子车库中安装。它的表现将在未来几周内进行评估和基准测试。 对于基于3D腔的平台,费米实验室的科学家们一直在努力将这些量子位与超导射频腔集成。科学家们最初为粒子加速器开发了这些空腔,费米实验室在制造世界上最好的SRF空腔方面积累了数十年的经验,证明了光子寿命长达2秒。当与transmon量子位结合时,这些腔也可以用作量子计算平台的构建块。这种方法有望实现更好的一致性、可扩展性和量子位连接性。到目前为止,费米实验室的科学家已经在这些腔-量子位组合系统中实现了长达几毫秒的相干。 Romanenko说:“我们知道如何制造世界上最好的空腔,但费米实验室正在建设的3D平台的成功在很大程度上也取决于我们能在多大程度上提高这些用于控制和操纵空腔中量子态的传输量子比特的性能。”。“所以,这有点一举两得。在我们推动转型3D技术的同时,我们还与业界合作,在基于2D芯片的量子计算平台上取得重要进展。” 超导量子材料与系统中心是美国能源部五个国家量子信息科学研究中心之一。SQMS由费米国家加速器实验室领导,由30多个合作机构——国家实验室、学术界和工业界——共同努力,在量子信息科学领域取得变革性进展。该中心利用费米实验室在建造复杂粒子加速器方面的专业知识,以最先进的量子位和超导技术为基础,设计多量子位量子处理器平台。SQMS将与嵌入式行业合作伙伴携手合作,在费米实验室建造一台量子计算机和新的量子传感器,这将带来前所未有的计算机会。