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《中国科大大幅增强单个碳化硅自旋色心的荧光亮度》

  • 来源专题：量子信息科技
  • 编译者： 于杰平
  • 发布时间：2023-10-12

  •  2023年5月8日，中国科大郭光灿院士团队在单个碳化硅自旋色心荧光增强的研究中取得新进展。该团队李传锋、许金时等人成功利用表面等离激元大幅增强了单个碳化硅双空位PL6色心的荧光亮度，并利用共面波导的特性大幅提高了自旋操控效率。这项技术成本低、无需复杂的微纳加工工艺，且不影响色心的相干性质，对于发展基于碳化硅自旋色心的量子应用具有重要意义。

      论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00568

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相关报告

  • 《Cree将投资10亿美元，扩大SiC碳化硅产能》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2019-05-15
    • 2019年5月7日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。 Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度（也就是我们开始扩大产能的第一阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。” 这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。 Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造超级工厂，将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。” 扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。
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  • 《总投资30亿开建国内最大第三代半导体碳化硅材料项目》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2018-11-16
    • 近日，天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工，标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建，也为长沙碳基材料产业发展增添“新引擎”。 据了解，天岳碳化硅材料项目系国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线，分两期建设：一期占地156亩，主要生产碳化硅导电衬底，预计年产值可达13亿元；二期主要生产功能器件，包括电力器件封装、模块及装置，新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等，预计年产值达50～60亿元，税收可达5～7亿元。 作为第三代半导体材料的碳化硅，被列入“中国制造2025”规划，是国家战略性新兴产业。而天岳则是中国宽禁带半导体材料领域当之无愧的“独角兽”。 国际先进，主要产品应用众多技术领域 山东天岳晶体材料有限公司的碳化硅半导体材料技术已经达到国际先进水平，个别产品全世界仅有山东天岳和美国一家企业可以批量生产，该产品是支撑关键装备的核心材料，被列入国家战略物资。据介绍，公司自2010年建立，仅用8年时间就成长为国际先进的碳化硅半导体材料高技术企业，其主要产品碳化硅衬底作为新一代半导体材料的代表，广泛应用于电力输送、航空航天、新能源汽车、半导体照明、5G通信等技术领域。 据了解，碳化硅半导体也称第三代半导体，是继硅半导体后发展起来的新一代功率半导体，因其具有高频高压、大功率、耐高温、大幅节能等显著特点和优势，对于保障国家安全，发展高端装备制造，促进产业升级换代都具有重大战略意义，是公认的划时代材料。 宗艳民表示，碳化硅半导体产业在节能环保和智能制造领域大有可为。他举例说，如果用半导体碳化硅LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯，可节省三分之一的照明用电，即1000亿千瓦时。“普通空调外挂机，如果使用碳化硅材料可以减少1/2的体积，同时节能2/3；碳化硅半导体是5G通信和物联网的基础材料，可以说没有碳化硅半导体就无法实现5G和物联网。” 选择长沙，抢占第三代半导体制高地 “碳化硅最大的应用市场在中国，占据全球近一半的使用量，但是我国的碳化硅产业还很不完善，而且长期以来被国外封锁。”宗艳民表示，这种局势要求企业必须自主可控、自谋出路，而这给了天岳扩大规模建设的时代要求，也是落子长沙的原因，“湖南有中车，有国防科大，既有市场需求，又有军民融合基础，落地长沙，符合我们发展选择的需要。” 实际上，长沙正在强力推进新一代半导体产业链建设，上中下游产业落地铸就了产业生态环境，具有一定产业引进的体系优势——作为国家战略性新兴产业，2017年，碳基材料产业链被长沙市委、市政府确立为长沙22个工业新兴及优势产业链之一，并将产业链推进办公室设在浏阳高新区。自成立以来，碳基产业链办公室通过深入研究产业态势、全面推进产业招商、精心培育产业主体、着力完善保障机制等举措，助力产业建链、补链、强链、延链。 “如今，第三代半导体产业发展迎来了前所未有的机遇窗口期，此次落户，我们希望能够抢占第三代半导体制高地，填补长沙在碳化硅产业的空白。”宗艳民表示，公司落户期待稳健推进产业生态建设，为半导体产业发展做出贡献，助力长沙打造国家智能制造中心，“我们的目标是到2020年跻身全球前两位，5-10年时间做到行业内全球第一，实现第三代半导体的中国梦!”
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