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《加拿大Tenstorrent与日本尖端半导体技术中心合作设计开源新型边缘2nm AI芯片》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： 李衍
  • 发布时间：2024-02-29

  • 据SEMI大半导体产业网报道，2月27日加拿大AI芯片初创公司Tenstorrent宣布与日本尖端半导体技术中心（LSTC）达成多层次合作协议，双方将合作设计先进人工智能（AI）芯片。

    据悉，LSTC选择Tenstorrent的世界级RISC-V架构和芯片IP，用于其新型边缘2nm人工智能加速器。Tenstorrent将与日本半导体公司Rapidus合作开发最先进的逻辑半导体技术。该公司还将利用其Ascalon RISC-V CPU内核技术，为LSTC的新型边缘AI加速器共同开发RISC-V架构CPU芯片。

    据了解，Tenstorrent由业内资深人士Jim Keller领导，公司采用开源RISC-V标准。

  • 原文来源：https://www.semi.org.cn/site/semi/article/f762786c24cb4908a68973a86a9b6548.html
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  • 《半导体巨头争相推进下一代尖端芯片》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2023-12-18
    • 数十年来，芯片制造商一直在努力制造越来越紧凑的产品——芯片上的晶体管越小，能耗就越低，速度就越高。 全球领先的半导体公司正在竞相推出所谓的“2纳米”处理器芯片，这将为下一代智能手机、数据中心和人工智能提供动力。 台积电（TSMC）仍然是分析师们认为能够保持其全球行业领先地位的公司，但三星电子和英特尔已经确定了这一行业的下一个飞跃，看作是缩小差距的机会。 数十年来，芯片制造商一直在努力制造越来越紧凑的产品。芯片上的晶体管越小，能耗就越低，速度就越高。今天，“2纳米”和“3纳米”等术语广泛用作每一代新芯片的简称，而不是半导体的实际物理尺寸。 在下一代先进半导体领域取得技术领先地位的任何公司都将有望主导去年全球芯片销售超过5000亿美元的行业。由于对支持生成式人工智能服务的数据中心芯片需求激增，这一行业预计将进一步增长。 据两名直接了解讨论的情况的人士透露，全球处理器市场主导地位的台积电已经向一些最大的客户，包括苹果和英伟达，展示了其“N2”（或2纳米）的工艺测试结果。 但两名接近三星的人士表示，这家韩国芯片制造商正在以低价推出其最新的2纳米原型版本，试图吸引包括英伟达在内的知名客户。 美国对冲基金Dalton Investments的分析师James Lim表示：“三星认为2纳米将改变游戏规则，但人们仍然怀疑它是否能够比台积电更好地执行这一迁移。” 前市场领导者英特尔也对于在明年底生产其下一代芯片提出了大胆的声明。这可能使其重新超越亚洲竞争对手，尽管人们对这家美国公司产品性能仍然存在疑虑。 台积电表示，N2芯片的量产将于2025年开始，通常先推出移动版本，苹果是其主要客户。随后推出的是PC版本，然后是专为更高功率负载设计的高性能计算芯片。 台积电的新一代3纳米芯片技术首次在今年9月推出的苹果iPhone 15 Pro和Pro Max等最新旗舰智能手机上得到了应用。 随着芯片变得越来越小，从一代工艺技术迈向下一代的挑战加剧，这可能导致台积电的霸主地位出现问题。 台积电告诉《金融时报》称，其N2技术开发“进展顺利，计划在2025年投产，到时将是行业内在密度和能效方面最先进的半导体技术”。 但Isaiah Research副总裁Lucy Chen指出，进入下一个节点的成本正在上升，而性能的改善已经停滞。“（迁移到下一代）对客户来说不再那么有吸引力了，”Chen说。 专家强调，量产仍然需要两年时间，而问题是芯片生产过程的自然部分。 根据咨询公司TrendForce的数据，目前在全球先进晶圆市场中，三星占有25%，而台积电占有66%，知情人士认为三星看到了缩小差距的机会。 该韩国企业去年首次开始量产其3纳米芯片，称为“SF3”，并首次切换到一种名为“全围栅”（GAA）的新晶体管架构。 根据两名知情人士透露，美国芯片设计公司高通计划在其下一代高端智能手机处理器中使用三星的“SF2”芯片。这将是高通将其大多数旗舰移动芯片从三星的4纳米工艺转移到台积电的相应工艺之后的一次逆转。 三星表示：“我们已经为在2025年之前开始SF2的量产做好了准备。”“由于我们是第一个跨足并过渡到GAA架构的公司，我们希望从SF3到SF2的进展将相对无缝。” 分析师们警告说，虽然三星是第一家将其3纳米芯片投放市场的公司，但其“良率”——生产的芯片中被认为可发运给客户的比例——存在问题。 这家韩国公司坚称，其3纳米良率已经提高。但根据两名接近三星的人士透露，其最简单的3纳米芯片的良率仅为60%，远低于客户的期望，而在生产类似于苹果的A17 Pro或英伟达的图形处理单元等更复杂的芯片时可能进一步下降。 研究公司SemiAnalysis的首席分析师Dylan Patel表示：“三星试图实现这些飞跃，但他们可以宣称他们想要的一切，但他们仍然没有发布一款真正的3纳米芯片。” 首尔相明大学系统半导体工程教授李钟桓还补充说，三星还面临着其智能手机和芯片设计部门与其晶圆生产部门产生竞争关系的问题，这两者是其晶圆生产部门的逻辑芯片的潜在客户。“三星的组织结构让许多潜在客户对可能发生技术或设计泄漏感到担忧，”李说。 与此同时，曾经的市场领导者英特尔正在推动其下一代“18A”节点在技术会议上宣传，并向芯片设计公司提供免费的测试生产。该美国公司表示，计划于2024年底开始18A的生产，有望成为首家迁移到下一代的芯片制造商。 但台积电首席执行官魏哲家看起来并不担心。他在10月份表示，根据台积电内部评估，其最新的3纳米变种已经上市，与英特尔的18A在功耗、性能和密度方面相当。 三星和英特尔还希望从寻求减少对台积电依赖的潜在客户中获益，无论是出于商业原因还是出于对台湾可能存在的中国威胁的担忧。今年7月，美国芯片制造商AMD首席执行官表示，除了台积电提供的之外，该公司还将“考虑其他制造能力”，以追求更大的“灵活性”。 RHCC咨询公司首席执行官Leslie Wu表示，需要2纳米级技术的主要客户正寻求将其芯片生产分散到多个晶圆厂。他说：“单纯依赖台积电太冒险了。” 但伯恩斯坦亚洲半导体分析师Mark Li对“这种（地缘政治）因素与效率和进度等因素相比有多大意义”提出了质疑。他认为在成本、效率和信任方面，台积电仍然更为优越。
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  • 《美国应用材料公司推出全新2nm及以下尖端制程芯片检测系统》
    • 来源专题：集成电路与量子信息
    • 发布时间：2025-03-25
    • 据官网2月19日报道，美国半导体设备大厂应用材料公司宣布推出最新的半导体缺陷检测系统——SEMVision H20，以帮助领先的半导体制造商进一步突破芯片微缩的极限。该系统将业界最灵敏的电子束技术（第二代冷场发射技术）与先进的 AI 图像识别相结合，可以更好、更快地分析世界上最先进芯片中的纳米级缺陷。 SEMVision H20系统利用以下两项重大创新，能以极高精度对芯片缺陷进行分类，同时分析检测结果比当今最先进技术快3倍： （1）第二代冷场发射（CFE）技术：应用材料的CFE技术是电子束成像的突破，可实现亚纳米分辨率，用于识别最小的隐藏缺陷。与传统的热场发射（TFE）技术相比，CFE在室温工作时会产生更窄的电子束，从而将纳米级图像分辨率提高50%，成像速度提高10倍。通过SEMVision H20，应用材料公司推出的第二代CFE技术，在保持业界最高灵敏度和分辨率的同时，提供了更快的吞吐量。更快的成像速度增加了每个晶圆的覆盖范围，使芯片制造商能够在三分之一的时间内收集相同数量的信息。 （2）深度学习AI图像模型：SEMVision H20使用深度学习AI功能从虚假缺陷中自动提取真实缺陷。应用材料公司的专有深度学习网络不断使用芯片制造商晶圆厂的数据进行训练，并对缺陷类型进行分类，包括空隙、残留物、划痕、颗粒等数十种缺陷类型，从而能够更准确、更有效地表征缺陷。
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