《甘肃科学家实现纳米材料界面的原位精准原子级调控》

  • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
  • 编译者: 冯瑞华
  • 发布时间:2021-03-18
  • 经过近5年的研究,浙江大学、中国科学院上海高等研究院、丹麦科技大学的研究团队合作,利用环境透射电子显微镜的原位表征和第一性原理计算,提出并首次实现了界面活性位点的原子级别精准原位调控。而表界面结构是决定纳米材料性能的关键因素。但这个界面是活性的,如何对其进行调控是当今科学界的一大挑战。

      这对如何从机制出发自下而上的实现材料、器件结构和功能的精准调控和设计有着重要意义。该项成果于1月29日在线刊登在国际权威杂志《科学》上。

      负载在二氧化钛表面的金颗粒是将一氧化碳转化为二氧化碳的重要催化剂,也是工业催化研究中的常见组合。浙江大学依托其擅长的原位环境电镜开展催化反应实验,通过原子层面的原位表征,首次发现两大现象:一是看到催化反应时金颗粒发生外延转动,首次通过可视化实验直观证明了活性位点位于界面。二是发现停止通入一氧化碳催化时,金颗粒又神奇地转回到原来的位置。这次看到的催化剂旋转现象,通常被人们认为是不可能发生的现象。

      是什么化“不可能”成为“可能”?中国科学院上海高等研究院理论团队根据实验结果首先大胆猜测诱导颗粒转动的“元凶”是界面吸附的氧并就此推测进行了一系列的第一性原理及纳米尺度热力学计算。

      结果显示,界面缺氧状态下的颗粒与二氧化钛载体紧密结合的同时丧失了一定的吸氧能力,转动了一个小的角度之后的颗粒界面则能提供多且好的吸附氧活性位点。为了能更好地与吸附氧相结合,适应高氧环境,颗粒转动由此发生。而在界面氧被活化与一氧化碳反应之后,颗粒又回到了原有位置以便与载体紧密结合。

      “最近十多年的原位研究显示,纳米固体晶体材料远没有大家想得那么‘硬’,而是更像橡皮泥一样具有很强的原位可塑性。”科研人员解释说。科研团队由此进一步提出了通过改变反应环境来精确调控界面的设计思路,并最终在原位电镜实验中得以实现。

  • 原文来源:http://k.sina.com.cn/article_1784473157_6a5ce6450200258vg.html
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    • 作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石,这种材料具有卓越的绝缘性能,即使在厚度仅为1纳米时,也能有效阻止电流泄漏。相关成果8月7日发表于国际学术期刊《自然》。 “二维集成电路是一种新型芯片,用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建,有望突破传统芯片的物理极限。但由于缺少与之匹配的高质量栅介质材料,其实际性能与理论相比尚存较大差异。”中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰说。 狄增峰表示,传统的栅介质材料在厚度减小到纳米级别时,绝缘性能会下降,进而导致电流泄漏,增加芯片的能耗和发热量。为应对该难题,团队创新开发出原位插层氧化技术。 “原位插层氧化技术的核心在于精准控制氧原子一层一层有序嵌入金属元素的晶格中。”中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员田子傲说,“传统氧化铝材料通常呈无序结构,这会导致其在极薄层面上的绝缘性能大幅下降。” 具体来看,团队首先以锗基石墨烯晶圆作为预沉积衬底生长单晶金属铝,利用石墨烯与单晶金属铝之间较弱的范德华作用力,实现4英寸单晶金属铝晶圆无损剥离,剥离后单晶金属铝表面呈现无缺陷的原子级平整。随后,在极低的氧气氛围下,氧原子逐层嵌入单晶金属铝表面的晶格中,最终得到稳定、化学计量比准确、原子级厚度均匀的氧化铝薄膜晶圆。 狄增峰介绍,团队成功以单晶氧化铝为栅介质材料制备出低功耗的晶体管阵列,晶体管阵列具有良好的性能一致性。晶体管的击穿场强、栅漏电流、界面态密度等指标均满足国际器件与系统路线图对未来低功耗芯片的要求,有望启发业界发展新一代栅介质材料。
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    • 编译者:万勇
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