据Newswise网6月22日报道，韩国机械材料研究所（KIMM）和成均馆大学的研究团队宣布确定了通过使用三种气体混合物的等离子体蚀刻和基于密度函数的蚀刻来控制大规模（4英寸）MoS2原子层的机制，使用基于等离子体的反应离子蚀刻机（RIE）设备开发出用于MoS2的大规模（4英寸）原子层蚀刻技术。
等离子体刻蚀工艺作为最有可能突破传统刻蚀工艺限制的技术，受到了研究人员的极大关注。然而，等离子体蚀刻的主要缺点之一是工艺之后杂质（氟，“F”）残留在半导体表面上，因此，需要额外的步骤来去除这些残留物。出于这个原因，制备满足原子级精度和超高纯度的MoS2层需要高度复杂的等离子体工艺设计。在最新的研究中，研究团队通过采用基于密度泛函理论（DFT）的计算筛选系统来解决这些问题。研究人员提出了最先进的计算筛选系统，该系统模拟了候选气体的表面反应，并结合了最佳气体混合物以获得超细工艺质量。这种方法的一个关键进步是，与传统的基于实验的制造相比，筛选系统大大减少了等离子体工艺的开发时间和成本。研究人员还特别研究了表面反应的原子机制，并确定了工艺气体对MoS的作用? 基板，使混合气体配方合理化（Ar+O? + CF?).*
该研究成果以题名“First-Principles Calculation Guided High-Purity Layer Control of 4 in. MoS? by Plasma RIE”发表在《Chemistry of Materials》上。
