据外媒报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（通过Dmitrii Kuznetsov）公布了一项11.2 nm波长极紫外（EUV）光刻机的长期路线图，这是对该组织去年12月公开信息的补充。该路线图显示，俄罗斯最快将在2026年完成40nm制程光刻机的研发，2032年前完成28nm制程光刻机的研发，并在2036年底前完成亚10 nm制程的极紫外（EUV）光刻机研发。
俄罗斯光刻机路线图包括三个主要阶段：
第一阶段：计划于 2026-2028 年推出40nm制程光刻机，具有双镜物镜光学系统、套刻精度可达到10nm、曝光区域为 3 x 3mm，生产效率为超过 5 片晶圆/每小时。
第二阶段：计划于2029-2032 年推出28nm （具有 14 nm潜力）制程光刻机，将采用四镜物镜光学系统、套刻精度5nm、曝光区域为26 x 0.5 mm，生产效率为超过50片晶圆/每小时。
第三阶段：计划于2033-2036 年推出亚10 nm制程光刻机，将采用六镜物镜光学系统、套刻精度2nm、曝光区域为26 x 2 mm，生产效率将提升至超过100片晶圆/每小时。
俄罗斯没有复制阿斯麦（ASML）的EUV光刻机架构，选择采用混合固态激光器、基于氙等离子体的光源以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射镜片来产生波长为11.2nm的EUV光源，不仅能将分辨率提升约20%，还可以简化设计并降低整个光学系统的成本。此外，该设计还可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。
这些光刻机的目标不是面向超大规模晶圆厂，而是旨在降低小型代工厂的采用成本。然而，这个计划的可行性尚不清楚。
