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《射频N极性GaN金属绝缘体半导体HEMT进行了首次演示》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2019-04-14

  • 美国加利福尼亚大学分校（UCSB）报告了第一个射频氮极性GaN-on-GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）。使用GaN衬底能够降低位错密度，使在AB模式放大中使用的晶体管典型的低电荷密度下的载流子散射最小化。

    N极取向反转了Ga极性结构，特别使移动电荷的沟道层由背势垒而不是顶部势垒引发。N极设备往往具有更高的功率输出，但效率降低。器件的外延结构通过等离子体辅助分子束外延（PAMBE）在轴上半绝缘体GaN上生长。阻挡层由10nm的1nm / 2nm AlN / GaN超晶格组成，并用2nm的AlN覆盖。该结构在20nm UID GaN沟道层中感应出二维电子气。2nm AlN层减少了阻挡界面散射。外延材料用1nm / 1nm AlN / GaN完成。

    当沟道载流子密度低时，AB模式放大使晶体管偏向夹断。AB操作降低了耗散损耗，并且当偏置朝向B模式而不是A模式的折衷结束时获得更高的效率，即所谓的“深度”AB偏置。在N极装置中，这种偏置遭受电子迁移率的降低，这显然是由于从背势垒散射而产生的。相比之下，在Ga极性器件中，深AB偏置将电子推离顶部屏障界面。

    进行4GHz的负载牵引测量以评估大信号性能。使用AB类偏置，漏极电流为270mA / mm，约为最大值的四分之一（-6V VGS，5V VDQ，Q）。这种优化的功率附加效率在4GHz时与增益进行权衡。输出功率密度达到0.56W / mm。最大PAE为24％。

    研究人员希望在缩放和优化设备中实现深度AB偏置。例如，需要增加~15V的栅极-漏极击穿电压，以便在低电荷密度下增加增益和PAE。

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    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
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  • 《深度对比半导体照明三条主要技术路线》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：tengfei
    • 发布时间：2016-03-15
    • 在LED的制备过程中，上游的衬底材料是决定LED颜色、亮度、寿命等性能指标的主要因素。衬底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间是否匹配，这些因素与高亮度LED的发光效率与稳定性密切相关。因此，衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石，衬底材料的技术路线必然会影响整个产业的技术路线，是整个产业链的关键。目前半导体照明主要有三条技术路线，分别是以日本日亚化学为代表的蓝宝石衬底LED技术路线、以美国Cree为代表的碳化硅衬底LED技术路线，以及以中国晶能光电为代表的硅衬底LED技术路线。2016年1月8日，南昌大学联合晶能光电的江风益团队“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”技术项目获得2015年度国家科学技术奖技术发明类唯一的一等奖，LED业界中国芯的梦想再次被激发。硅衬底技术项目的获奖，说明硅衬底已被国家证实可行，并已提升到国家战略层面。硅衬底或将迎来规模化的商业应用。 GaN基LED三种主要衬底材料对比 LED各种衬底材料的市场占有率 蓝宝石（Al2O3）衬底 2014 年10 月7 日瑞典皇家科学院宣布：赤崎勇、天野浩和中村修二因发明“高效蓝色发光二极管”获得2014 年诺贝尔物理学奖。这3 位科学家的突出贡献在于，1993年他们突破了在蓝宝石衬底上制备高光效GaN 基蓝光LED 的核心技术。20多年来，基于蓝宝石衬底的GaN 基蓝光LED技术和产业发展迅猛，占据了衬底市场90%以上的市场份额，成为目前市场上的主流技术路线。 蓝宝石具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，强度高、硬度大、耐冲刷。作为衬底材料，蓝宝石具有高温下（2000℃）化学性质稳定好、可见光不易吸收、价格便宜等优点。 蓝宝石衬底也有缺点，比如：第一，晶格失配和热应力失配会导致外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难；第二，蓝宝石是绝缘体，电阻率很大，无法制成垂直结构的器件；第三，通常只在外延层上表面制作N型和P型电极，造成了有效发光面积减少，材料利用率降低；第四，蓝宝石的硬度非常高，仅次于金刚石，难以对它进行薄化和切割；第五，蓝宝石导热性能不是很好，因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量，对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。 目前蓝宝石衬底的技术发展比较成熟，不足方面虽然很多，但都被逐个克服，例如：过渡层生长技术克服了较大的晶格失配问题；采用同侧 P、N 电极克服了导电性能差的问题；不易切割的问题可以通过雷射划片机解决；由于热失配导致的对外延层的压力问题也可以得到解决。不过，江风益认为，蓝宝石衬底很难做到8 英寸至12 英寸等大尺寸外延，且因蓝宝石散热性能差，又难以剥离衬底，故在大功率LED 方面具有性能局限性。 蓝宝石衬底技术以日亚化学、丰田合成为代表。在蓝宝石晶体和晶片制备方面，国外主要集中在日本、美国、俄罗斯等国家，2010 年俄罗斯首次展出了200 mm 蓝宝石晶片。我国相对于国外存在较大差距，代表企业有元亮科技、同人电子、协鑫光电、重庆四联光电、中镓半导体、奥瑞德等。在外延方面，国内除了清华大学、北京大学、南昌大学、中国科学院半导体所等研究单位外，三安光电、华灿光电、上海北大蓝光、南昌欣磊光电、江西联创光电等企业在进行外延片的生产与研究。 蓝宝石材料目前生产能力过剩，低端市场竞争激烈。为延长LED产业链，应当高起点大力推进蓝宝石图形衬底发展。重点发展纳米级图形化蓝宝石衬底（PSS）、半球形和锥形图形衬底，以及激光诱导湿法刻蚀（LIBWE）、干法刻蚀等技术。同时，推动蓝宝石图形衬底相关的光刻和刻蚀以及相关检测设备、材料等发展。 碳化硅（SiC）衬底 SiC具有优良的热学、力学、化学和电学性质，不但是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一，而且可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料，打破了蓝宝石一统天下的局面，尤其在路灯和室外照明领域具有巨大的市场潜力。在半导体领域最常用的SiC是4H-SiC 和6H-SiC 两种。 碳化硅与蓝宝石相比，在结构上，蓝宝石不是半导体而是绝缘体，它只能做单面电极；碳化硅是导电的半导体，它可以做垂直结构。碳化硅衬底的导热性能要比蓝宝石高10倍以上；蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制造器件时底部需要使用银胶固晶，银胶的传热性能也很差。而使用碳化硅衬底的芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。 在碳化硅衬底领域，美国Cree几乎垄断了优质碳化硅衬底的全球供应，其次是德国SiCrystal、日本新日铁、昭和电工、东纤-道康宁。我国企业实力较弱，国内能生产和加工碳化硅衬底的企业或机构有北京天科合达、山东天岳、山东大学、中国科学院物理所、中国科学院上海硅酸盐所、中国电子科技集团46所等。2015年7月，山东天岳自主研制的一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。 用碳化硅做光电器件衬底主要挑战是成本仍相对较高、技术门槛较高和专利技术不足，面临着行业垄断者的专利威胁。不过LED市场有高中低端之分，碳化硅衬底LED定位在高端。大功率LED市场需求巨大，碳化硅材料性能优越，具有功率大、能耗低、发光效率高等显著优势，可以很好满足大功率LED需求。 硅（Si）衬底 硅片作为GaN 材料的衬底有许多优点，如晶体品质高，尺寸大，成本低，易加工，良好的导电性、导热性和热稳定性等。 由于单晶硅材料生长技术成熟度高，容易获得低成本、大尺寸（6-12 英寸）、高质量的衬底，可以大大降低LED 的造价。并且，由于硅单晶已经大规模应用于微电子领域，使用单晶硅衬底有望实现LED 芯片与集成电路的直接集成，有利于LED 器件的小型化发展。因此使用单晶硅作为LED 衬底一直是本行业梦寐以求的事情。此外，与蓝宝石相比，单晶硅在性能上还有一些优势：热导率高、导电性好，可制备垂直结构，更适合大功率LED 制备。 然而与蓝宝石和SiC 相比，在Si 衬底上生长GaN 更为困难，主要体现在：（1）两者之间的热失配和晶格失配更大；（2）Si 与GaN 的热膨胀系数差别也将导致GaN 膜出现龟裂；（3）晶格常数差会在GaN 外延层中造成高的位错密度；（4）Si 衬底LED 还可能因为Si 与GaN 之间有0.5 V 的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p 型掺杂效率低，导致串联电阻增大；（5）Si 吸收可见光会降低LED 的外量子效率。 从1999年第一个GaN/Si LED出现，到2002 年商品化GaN/Si LED 就已经问世，但是由于性能与蓝宝石及碳化硅制备的LED相差很大而没有被广泛应用。2010 年德国Azzurro 公司授权GaN-on-Si 技术予德国Osram 公司。2013 年4 月日本东芝公司收购美国普瑞光电（Bridgelux） 的技术，并开始8 英寸GaN-on-Si 外延片生产。国内江西晶能光电公司早在2012 年就宣布批量生产HB-LED 芯片；江西晶瑞光电也已推出了类似性能的LED 产品。 晶能光电的硅衬底技术，具有完全自主的知识产权，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术路线三足鼎立的局面。中国LED产业只有打破国际巨头的技术、专利垄断，掌握核心技术，才能真正实现由“跟随”到“跨越”的转变。
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