《Exagan开设电源解决方案中心,以扩展应用和市场范围》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-05-12
  • 法国的氮化镓技术初创企业Exagan继续加速采用硅半导体上的氮化镓(GaN)技术,并在图卢兹开设了一个新的电源解决方案中心,以扩大应用支持和市场范围。该企业与CEA Tech紧密合作,于去年10月在台湾台北推出了Exagan 的首个GaN应用中心。

    图卢兹工厂使用高度专业化的电子设备为客户提供新的应用开发和产品验证功能。它还使Exagan能够掌握GaN解决方案的新架构,同时提高当前拓扑结构的功率转换效率。G-FET功率晶体管可以在现有的200mm CMOS晶圆厂中制造,此为多源供电,具有易扩展性和最佳的成本性能优势比。

    凭借其fab-lite商业模式,Exagan可控制GaN技术集成,从原材料到最终产品的全面实施,实现产品优化和批量生产。该公司的产品组合涵盖各个功率级别和应用,包括小型快速充电系统、数据中心、车载汽车充电器、电动汽车快速充电站等。

    总裁兼首席执行官FrédéricDupont说道:“我们有强大的GaN技术和产品组合,Exagan现在正在欧洲和亚洲部署GaN电源解决方案中心,我们的目标是优化GaN器件在功率密度、功效、可靠性和系统成本等方面达到业界领先水平。”

    根据市场研究公司YoleDéveloppement的数据,预计到2023年,电力电子领域的GaN市场将以93%的复合年增长率(CAGR)增长。

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    • 美国Lumentum Holdings 公司已推出三款新型高速数据通信激光芯片,拓宽了其产品组合,以实现未来超大规模数据中心和5G无线应用的增长。Lumentum表示,它将利用数十年的行业经验开发先进的光子解决方案,从而满足这些要求。 Lumentum为100G PAM4应用提供高性能的外部调制激光器(EML),使数据中心能够提高其比特率并降低总体功耗。其50G PAM4垂直腔面发射激光器(VCSEL)可提供具有客户价值和生产能力的高性能。此外,Lumentum的新开发的50G PAM4直接调制激光器(DML)使用户能够以更简单、成本更低的DML格式提供与EML相当的性能,以用于50G和200G应用,从而降低总体成本。 适用于下一代数据中心的100G PAM4非冷却EML。 Lumentum的PAM4优化的53Gbaud EML无需使用热电(TE)冷却器即可实现完整的C温度收发器设计。凭借在复杂EML技术方面的专业知识,该公司已开发出业界首款不制冷的自密封EML。该激光芯片将于2020年第三季度提供样品,其目标是通过宽温度范围和高性能2 km PAM4模块,引领数据中心基础架构从100G过渡到400G。 适用于高速短距离光网络的50G PAM4 VCSEL。Lumentum的50G(28Gbaud)VCSEL凭借其技术经验,提供了大规模的均匀性。VCSEL将于2020年第二季度面向客户推出,适用于0ºC至80ºC的非密封应用,产量极高,并符合RoHS10和Telcordia GR-468的要求。 适用于5G中途,回程和超大规模数据中心的50G PAM4 DML。Lumentum DML采用复杂的腔体设计,可在宽广且苛刻的温度范围内运行。50G PAM4(28Gbaud)DML提供更高的带宽,可提供与EML相当的性能,但占用的空间更小且更具成本效益。该产品现已可提供样品。