中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作，于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件，这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。
经过几十年的发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管已经成为制备量子芯片的热门候选体系之一。以石墨烯为代表的二维材料体系成为柔性电子学、量子电子学的重点研究对象，但由于其能带结构、界面缺陷杂质等因素，使得二维材料中的量子点无法实现有效的电学调控。
基于此，郭国平研究组近期与日本国立材料研究所、日本理化研究所学者合作，选择新型二维材料二硫化钼进行深入研究。他们利用一系列现代半导体工艺手段，结合氮化硼封装技术，有效减少了量子点结构中的杂质和缺陷，首次在这类材料中实现了全电学可控的双量子点结构。在极低温下，通过电极电压，实现了人造原子到人造分子的电学可控调制。
该研究揭示了二硫化钼这种材料中短程缺陷和自旋轨道耦合对电学输运性质的影响，深入探索了应用于半导体量子芯片的可能性，在量子电子学中具有广阔应用前景。
