瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）声称首次采用垂直氮化镓（GaN）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与6英寸硅基板上生长的续流肖特基势垒二极管（SBD）通过金属有机化学气相沉积进行单片集成。
研究人员希望找到一种成本更低的垂直GaN功率器件。GaN衬底用于避免降低击穿的临界电场的缺陷。垂直功率器件应该能够比横向结构处理更高的电压和电流。大直径硅衬底的使用应该降低成本，但是GaN在硅上的生长倾向于引入许多性能破坏缺陷。
除了使用低缺陷密度的GaN衬底外，改善的击穿性能可能来自会增加漂移层厚度和降低背景载流子浓度，以及部署场板，边缘终端和保护环技术。也可以从诸如沟槽或结SBD的替代架构中提取益处。
