美国宾夕法尼亚州的工程材料和光电组件制造商II-VI公司提供了用于电力电子设备的碳化硅（SiC）衬底，该公司介绍了说这是第一款用于5G无线基站天线和其他高性能射频应用的射频功率放大器的200mm直径半绝缘碳化硅衬底。
预计5G无线技术的部署将在全球范围内加速发展，从而推动对RF功率放大器的需求，这些功率放大器可以在新的高频频段高效运行。与基于硅的器件相比，碳化硅氮化镓RF功率放大器在千兆赫兹范围内（包括毫米波段）的5G宽工作频率范围内均具有出色的性能。 II-VI的原型200mm半绝缘SiC衬底可以使100mm和150mm衬底上生产的GaN-on-SiC RF功率放大器达到更高的制造规模。
半导体业务部门宽带隙副总裁Gary Ruland博士说：“ II-VI在2015年推出全球首个用于电力电子的200mm导电SiC衬底之后，又推出全球首个200mm半绝缘SiC衬底，这是我们发展的两个里程碑。在高带宽需求领域，采用波束成形技术的5G天线预计将得到密集部署，从而使SiC基GaN功率放大器的需求增加一倍或者更多。”
II-VI拥有30项有效的SiC衬底专利技术，这些专利使用了高度差异化的专有制造平台和技术，包括晶体生长、衬底制造和抛光。据估计，半绝缘SiC衬底发展到200mm可以继续扩大RF功率放大器市场规模，逐步取代硅基的器件所执行的功能，并实现新的应用。”
