《II-VI推出首款用于5G天线RF功率放大器的200mm半绝缘SiC衬底》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-10-21
  • 美国宾夕法尼亚州的工程材料和光电组件制造商II-VI公司提供了用于电力电子设备的碳化硅(SiC)衬底,该公司介绍了说这是第一款用于5G无线基站天线和其他高性能射频应用的射频功率放大器的200mm直径半绝缘碳化硅衬底。

    预计5G无线技术的部署将在全球范围内加速发展,从而推动对RF功率放大器的需求,这些功率放大器可以在新的高频频段高效运行。与基于硅的器件相比,碳化硅氮化镓RF功率放大器在千兆赫兹范围内(包括毫米波段)的5G宽工作频率范围内均具有出色的性能。 II-VI的原型200mm半绝缘SiC衬底可以使100mm和150mm衬底上生产的GaN-on-SiC RF功率放大器达到更高的制造规模。

    半导体业务部门宽带隙副总裁Gary Ruland博士说:“ II-VI在2015年推出全球首个用于电力电子的200mm导电SiC衬底之后,又推出全球首个200mm半绝缘SiC衬底,这是我们发展的两个里程碑。在高带宽需求领域,采用波束成形技术的5G天线预计将得到密集部署,从而使SiC基GaN功率放大器的需求增加一倍或者更多。”

    II-VI拥有30项有效的SiC衬底专利技术,这些专利使用了高度差异化的专有制造平台和技术,包括晶体生长、衬底制造和抛光。据估计,半绝缘SiC衬底发展到200mm可以继续扩大RF功率放大器市场规模,逐步取代硅基的器件所执行的功能,并实现新的应用。”

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