氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体技术领导者Navitas Semiconductor（纳微半导体）近日宣布与力积电（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp., PSMC）达成战略合作，共同推进200mm硅基氮化镓（GaN-on-Si）量产技术开发。
（合作核心内容）
量产基地：
力积电竹南科技园区8B厂（2019年投产）将承接Navitas GaN器件制造，该厂已具备从Micro-LED到射频GaN器件的多种量产工艺。
技术节点：
采用优化的180nm CMOS工艺节点
实现：
更高功率密度
更快开关频率
更优能效表现
同时提升成本优势与量产良率
产品规划：
2025年Q4完成100V-650V器件认证
100V系列预计2026年上半年率先量产
650V器件将在12-24个月内从台积电转至力积电生产
"180nm节点的200mm硅基氮化镓产线，将推动我们在AI数据中心与电动汽车领域的技术领先地位，"Navitas宽禁带半导体技术平台高级副总裁Sid Sundaresan博士表示。此次合作主要面向48V基础设施应用，包括：
超大规模AI数据中心
800V高压直流架构（与英伟达合作开发）
电动汽车车载充电器（长安汽车已采用GaNSafe技术）
Navitas首席执行官Gene Sheridan强调："与力积电的合作将加速200mm氮化镓量产进程，未来数年持续推动产品性能革新与成本优化。"值得注意的是，Enphase能源新一代IQ9微逆系统也已集成Navitas 650V双向GaNFast芯片。
