氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)功率半导体技术领导者Navitas Semiconductor(纳微半导体)近日宣布与力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp., PSMC)达成战略合作,共同推进200mm硅基氮化镓(GaN-on-Si)量产技术开发。
(合作核心内容)
量产基地:
力积电竹南科技园区8B厂(2019年投产)将承接Navitas GaN器件制造,该厂已具备从Micro-LED到射频GaN器件的多种量产工艺。
技术节点:
采用优化的180nm CMOS工艺节点
实现:
更高功率密度
更快开关频率
更优能效表现
同时提升成本优势与量产良率
产品规划:
2025年Q4完成100V-650V器件认证
100V系列预计2026年上半年率先量产
650V器件将在12-24个月内从台积电转至力积电生产
"180nm节点的200mm硅基氮化镓产线,将推动我们在AI数据中心与电动汽车领域的技术领先地位,"Navitas宽禁带半导体技术平台高级副总裁Sid Sundaresan博士表示。此次合作主要面向48V基础设施应用,包括:
超大规模AI数据中心
800V高压直流架构(与英伟达合作开发)
电动汽车车载充电器(长安汽车已采用GaNSafe技术)
Navitas首席执行官Gene Sheridan强调:"与力积电的合作将加速200mm氮化镓量产进程,未来数年持续推动产品性能革新与成本优化。"值得注意的是,Enphase能源新一代IQ9微逆系统也已集成Navitas 650V双向GaNFast芯片。