《用牺牲金属催化剂直接在绝缘子上生成无迁移、无岩性、快速生长的模式CVD石墨烯》

  • 来源专题:纳米科技
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2018-07-03
  • 化学气相沉积的石墨烯存在两个问题:从金属催化剂转移到绝缘体,以及在形成过程中光刻胶引起的降解。两者都导致宏观和微观的损害,如孔洞、撕裂、掺杂和污染,转化为性质和产量下降。我们试图同时解决这些问题。在二氧化硅上蒸发镍薄膜作为牺牲催化剂,在其表面生长石墨烯。一种聚合物(PMMA)支撑被包裹在石墨烯上。在镍湿浸蚀过程中,浸蚀剂可以渗透聚合物,使蚀刻效率提高。PMMA/石墨烯层通过控制镍膜在石墨烯生长过程中的表面形态而固定在基片上。在蚀刻之后,石墨烯自然地附着在绝缘衬底上。利用该方法实现了石墨烯的无转移、无结石和快速生长。整个实验具有较好的重复性和可控性。与石墨烯在基体之间的转移相比,这里不需要机械操作,导致最小的损伤。由于镍的存在,石墨烯的质量本质上优于无催化剂生长。控制镍的厚度和生长温度,以限制石墨烯层的数量。该技术可以扩展到与其他催化剂一起生长其他二维材料。

    ——文章发布于2018年6月28日

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