德国英飞凌科技已通过650V器件扩展了其SiC产品组合。该公司表示，新推出的CoolSiC MOSFET可以解决很多应用对能效、功率密度和鲁棒性不断增长的需求，例如服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能量存储和电池组、UPS、电动机驱动器以及EV充电。
CoolSiC MOSFET 650V器件的额定功率为27mΩ至107mΩ，采用经典的TO-247 3引脚以及TO-247 4引脚封装，可降低开关损耗。对于以前的所有CoolSiC MOSFET产品，新的650V器件系列均基于英飞凌的沟槽半导体技术。该技术最大程度地发挥了SiC强大的物理特性，从而确保了这些器件具有出色的可靠性，同类最佳的开关和传导损耗。此外，它们具有最高的跨导电平（增益），4V的阈值电压（Vth）和短路鲁棒性。因此，Trench技术可以最大程度地减少应用程序的损失，并提供最高的运行可靠性。
与市场上其他硅和碳化硅解决方案相比，650V CoolSiC MOSFET具有更多优势，如高频率下的开关效率和高可靠性，更出色的热性能和换向稳健性。该器件包括坚固且稳定的体二极管，保留了少量的反向恢复电荷（Qrr），与最佳的超结CoolMOS MOSFET相比，降低了约80％。通过使用连续导通模式图腾柱功率因数校正（PFC）有助于实现98％的整体系统效率。
为了简化使用650 V CoolSiC MOSFET的应用设计并确保器件的高性能运行，英飞凌提供了专用的1通道和2通道电隔离EiceDRIVER栅极驱动器IC。该解决方案将CoolSiC开关和专用的栅极驱动器IC相结合，有助于降低系统成本以及总拥有成本，并提高能效。CoolSiC MOSFET还可以与英飞凌EiceDRIVER栅极驱动器系列的其他IC无缝协作。
