美国Teledyne e2v HiRel公司在GaN Systems I公司技术的基础上，正在推出一种650V / 60A氮化镓功率高电子迁移率晶体管（HEMT），即TDG650E60 GaN HEMT。
新型TDG650E60 GaN功率HEMT被认为是市场上用于高功率军事和太空应用的最高电压GaN功率器件，现已提供顶侧冷却或底侧冷却功能选项。TDG650E60 GaN HEMT的发布最终提供了航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度。该公司会进行高可靠性应用程序的认证和测试，包括硫酸测试、高空模拟、动态老化、175°C的环境中的阶跃应力、9V的栅极电压以及全温度测试。
TDG650E60 GaN功率HEMT的外形尺寸非常小，并且利用了GaN Systems专有的Island技术，该技术是一种可扩展的垂直电荷消散系统，可为功率晶体管提供超低热损耗，高功率密度，无电荷存储和高开关速度。基于GaN的TDG650E60可以轻松地并行实现增加负载电流或降低有效导通电阻（RDSon）。独家的GaNpx封装可实现非常高的频率开关和出色的热特性，从而可大大减少功率电子器件的尺寸和重量。
Teledyne e2v HiRel业务开发副总裁Mont Taylor说：“ Teledyne e2v在太空产品领域拥有悠久的传统，我们现在正在将GaN功率效率提升到前所未有的高度，为客户带来良好的体验。这些设备使设计工程师能够创建高效的小型电源和电机控制器，从而可以在高辐射环境中工作。”
