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《蔡司（ZEISS）和通快（TRUMPF）高数值孔径极紫外光刻技术（High-NA-EUV）研究团队荣获2024年度“Werner-von-Siemens-Ring”奖》

  • 来源专题：计量基标准与精密测量
  • 编译者： 李晓萌
  • 发布时间：2024-09-24

  • 如果想提高芯片的性能，必须能够使芯片上的结构小型化。为此，光刻技术必须使用波长尽可能小的激光，例如极紫外（EUV）光。

    近日，2024年度“Werner-von-Siemens-Ring”奖现已授予蔡司（ZEISS）和通快（TRUMPF）的研究团队，以表彰他们在高数值孔径极紫外光刻技术（High-NA-EUV）方面的突破性发展。

    High-NA-EUV光刻技术使用先进的激光技术和精确的光学元件，可以在相同大小的芯片上制造更多的细节，从而生产出性能更强、能效更高的半导体。这项技术对于数字化进程、人工智能、自动驾驶、医疗技术以及能源转型等领域的发展至关重要。High-NA-EUV光刻技术的成功实施标志着芯片制造领域的一个重要里程碑，它不仅展示了科学创新的力量，还强调了团队合作在实现技术突破中的重要性。

    Dr. Peter Kürz 代表蔡司半导体制造技术部门（ZEISS SMT）、Dr. Michael K?sters 代表通快（TRUMPF）接受了这一荣誉。颁奖典礼将于2024年12月13日在柏林举行。

    "Werner von Siemens Ring"奖被视为德国技术科学最高奖项之一，是为了表彰在技术科学领域做出杰出贡献的科学家或工程师，特别是那些通过自己的工作显著推动了技术科学进步或开辟了新技术途径的人。

  • 原文来源：https://www.ptb.de/cms/en/presseaktuelles/journalisten/news-press-releases/press-release.html?tx_news_pi1%5Bnews%5D=14160&tx_news_pi1%5Bcontroller%5D=News&tx_news_pi1%5Baction%5D=detail&tx_news_pi1%5Bday%5D=16&tx_news_pi1%5Bmonth%5D=9&tx_news_pi1%5Byear%5D=2024&cHash=144b9b98692743ecbff41229c1b3e790
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