《韩国5G设备竞争再起,华为这次有望拿下订单吗?》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2020-01-08
  • 今年韩国3大通信商SK电信、KT、LGU+计划建设28GHz频段的5G网络,掀起新的相关设备订单竞争,外界关注,华为是否能在第二轮5G网建设中,拿下28GHz设备订单。

    由于3.5GHz和28GHz频段特性不同,通信商也需要不同的网络设备,韩媒《inews24》报道指出,今年上半年,三大电信商将评选28GHz频段的5G无线基站设备商。最受关注的是,SK电信、KT是否会追加华为设备,以及特定设备企业建设的无线基站比例。

    业界相关人士表示,为在上半年中选定设备商,将会从设备供应提案、证明文件,及5G技术与价格等方面评选。

    但3.5GHz频段的设备已尘埃落定,因此设备商的产品能否兼容两种频段相当重要,部分分析认为,此次竞争也可能再度掀起国产、海外设备等争论,最终结果可能不会与3.5GHz时期差不多。

    事实上,3大通信商为确保28GHz频段商用化日程,已与设备商合力试运营28GHz频段网络。目前SK电信与三星电子、诺基亚、爱立信共同开发28GHz技术,KT则开发企业专用的5G网络,包含28GHz天线、波束管理技术,LGU+则是在商用环境中,成功让网速提升至4Gbps。

    业界预期,3大通信商会续用3.5GHz频段时的设备商,但各大厂商能分配到多少数量成为焦点。特别是曾在3.5GHz频段中苦战的华为,SK电信、KT能否将华为列入追加设备供应名单中,是本次竞争最大看点。华为为拓展韩国市场,不仅抢先全球在韩国开设“5G开放实验室”,同时也在韩国建立研发中心,加大投资力度。

    日前华为韩国公司CEO孟少云也在访谈中表示,已经准备好28GHz基站等解决方案。2019年华为生产60万台5G设备,明年产量将扩大至150万台。

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  • 《“中国芯”有望领跑5G时代》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2019-06-28
    • 安俊明课题组和仕佳光子技术团队已与运营商标准研究院和国际互联网领军企业开展深入密切合作,在网络系统方案制定阶段,就切入核心AWG芯片的需求对接及产品研发,使高端AWG芯片产品可以在5G网络、超级数据中心中得到应用,有望从并跑向领跑迈进。 “一个快速反应、可靠保证的光网络,将对信息化应用起到强大的支撑作用,为我国制造业转型升级,向数字化、向智能化提升起到积极的促进作用。”近日,中国科学院半导体研究所研究员安俊明在接受《中国科学报》采访时表示。 目前,全球已进入5G规模商用的重要发展时期。安俊明正带领课题组对自主研发的5G前传循环型阵列波导光栅(AWG)芯片及模块进行优化和升级,安俊明透露:“我们的新产品已设计定型,进入产业化转移阶段。” 国产AWG芯片技术崛起 安俊明首先对AWG做了通俗易懂的解释,AWG可以将多路不同颜色(即不同波长)的光信号合成一路,或者将一路不同波长信息分开,通过每种颜色光加载不同的信息,实现单根光纤同时传输多路信号,最终在不增加光纤铺设的情况下大幅提升光纤网络的传输速率。 AWG主要应用于高速骨干网、城域网、高速数据中心及下一代无线网络信息传输领域。一直以来,全球AWG芯片市场主要被欧美、日韩企业占领,当记者问及“为什么国产AWG芯片发展缓慢,是什么原因造成的”,安俊明的回答是:“AWG产业化需要大量资金、高素质专业人才队伍和比较长的周期。” 前期,国家在AWG芯片相关的研发上投入了较多的经费,相关科研单位在技术上有一定的积累。但安俊明指出:“AWG芯片产业化需要上亿元的资金投入、国家对于产业化资金投入较少,科研单位也没有能力筹集产业化资金,而一般中小型企业盈利能力有限,无法承担相应的投资风险,只能从事下游封装业务,购买国外芯片。另外,专业人才队伍大多集中在科研单位,投资者对AWG芯片漫长的投资回收周期缺乏耐心,从而导致国产AWG芯片发展缓慢。” 20世纪90年代末,安俊明课题组便开始从事硅基光波导AWG材料及器件的研究工作,先后承担并完成了国家“863”“973”重点研发计划,以及国家自然科学基金等多项重大科研项目的研究工作,团队积累了大量芯片设计与加工的经验与数据。 在研发过程中,安俊明课题组面临着材料生长、波导结构设计、应力消除等难点问题,团队通过分工合作,深入开展了硅基二氧化硅光波导器件产业化技术的研究与开发,系统解决了大规模复杂集成波导模式平滑转换,低应力波导掺杂生长机制等问题,实现硅基二氧化硅阵列波导光栅的设计、制造等关键技术突破。 当前,安俊明课题组研发的AWG芯片已完成设计及关键技术研发,并进入产业化批量生产、销售阶段。 选择产业化合作对象 2010年起,一家来自河南鹤壁的企业——河南仕佳光子科技有限公司(以下简称仕佳光子,现已变更为河南仕佳光子科技股份有限公司)频频找到安俊明课题组,希望寻求合作。安俊明回忆道,“当时仕佳光子负责人的诚意打动了我们。自从跟我们课题组对接上后,这家企业的负责人每月至少专门跑两趟北京,同时每个月接我们的团队到郑州或鹤壁参观洽谈,前前后后坚持了整整一年。” 最终双方达成一致,安俊明课题组的技术成果正式落户鹤壁。“最初合作的是国家宽带战略、光纤到户PLC(平面光波回路)光分路器芯片。”安俊明告诉记者,“该系列芯片已广泛应用于我国光纤到户的建设,实现了我国宽带接入网核心PLC光分路器芯片的国产化。” 芯片是个长周期、大投入的产品,三五年之内想实现盈利,基本不可能。在从实验室到市场的推广过程中,安俊明团队遇到了各种各样的困难,比如,半导体器件研发、生产需要大量资金投入;从实验室出来的科研成果到大批量生产之间尚有很大距离,科研人员更善于做样品,对生产线上的事情不在行;企业产业化需要低成本、高可靠性、高成品率;等我们芯片做出来,属于市场后入者,推广难度很大,等等。 为此,安俊明课题组与合作企业共同努力磨合,深刻理解作为芯片产品所具有的基本要素后,最终实现了AWG芯片的研发及产业化。“我们双方不仅实现了产品性能优异,也实现了产业化所要求的高良率、低成本,使得自主研发的AWG芯片在与国外芯片激烈竞争中占有一席之地。”安俊明说。 各方支持加速替代进口 合作以来,仕佳光子PLC光分路器两大系列已有20余个种类由安俊明主持设计,这些产品累计实现销售收入达数亿元人民币,促进了我国光纤到户国家宽带战略核心芯片的国产化,为国家宽带建设节约了上亿美元外汇。 2018年7月,安俊明课题组的AWG芯片产业化项目入选中国科学院弘光专项,在研究所和中国科学院的支持下,加快了AWG芯片产业化进程。 由于中国科学院和半导体所的支持,以及研究团队和仕佳光子技术团队的共同努力,我国AWG芯片实现了从设计到工艺及产业化自主可控。安俊明对发展现状基本满意,谈及未来他表示,行业内和产业界关注得比较多的是下一代无线网络,千兆入户技术,因此需要进一步加快国产芯片替代进口芯片的进度,加快在下一代无线网络、千兆入户等高端AWG芯片的研发和产业化。 安俊明课题组和仕佳光子技术团队已与运营商标准研究院和国际互联网领军企业开展深入密切合作,在网络系统方案制定阶段,就切入核心AWG芯片的需求对接及产品研发,使高端AWG芯片产品可以在5G网络、超级数据中心中得到应用,有望从并跑向领跑迈进。
  • 《5G时代即将降临 GaN如何赢得竞争,哪种技术终将胜出?》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2019-05-14
    • 据麦姆斯咨询介绍,近年来,GaN凭借高频下更高的功率输出和更小的占位面积,被射频行业大量应用。在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下,预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。 过去十年,全球对电信基础设施的投资一直很稳定,并且,中国政府的投入近年持续增长。在这个稳定的市场中,更高的频率趋势,为RF GaN在5G网络频率低于6GHz(sub-6Ghz)的功率放大器(PA)中找到了用武之地。该应用预计将在未来五年内推动GaN市场的增长。 尽管下一代有源天线技术可以为硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术提供优势,但由于热管理等技术限制,以及在大多数高密度领域对此类天线的本地化需求,射频拉远头(RRH)将不会被替代,并将采用GaN PA长期存在。从2021年开始,小型蜂窝和回程连接的大规模应用也将为RF GaN带来重大机遇。 国家安全一直是全球各国的头等大事。国防应用总是优先考虑高端且高效的系统。在此背景下的主流技术趋势是,美国、中国、欧盟和日本已经用更小的固态系统取代行波管(TWT),以提供更高的性能和可扩展性。随着新型GaN基有源电子扫描阵列(AESA)雷达系统的应用,基于GaN的军用雷达预计将主导GaN军事市场,预计2018~2024年该细分市场的复合年增长率(CAGR)将超过21%。 对于需要高频高输出的卫星通信应用,GaN有望逐步取代砷化镓(GaAs)解决方案。对于有线电视(CATV)和民用雷达市场,GaN与LDMOS或GaAs相比仍然面临着高成本压力,但其附加价值显而易见。对于代表GaN重要消费市场机遇的RF能量传输市场,GaN-on-Si可提供更具成本效益的解决方案。 最后但并非最不重要的是,意法半导体(ST Microelectronics)刚刚正式宣布它们正在瞄准采用GaN-on-Si技术的手机PA。GaN PA能够进入手机应用吗?它们有哪些优势和瓶颈? GaN-on-SiC、GaN-on-Si、GaN-on-Diamond的未来发展 GaN如何赢得竞争,哪种技术终将胜出? 自从20年前第一批商用产品问世,GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手,并且,正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现,但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。GaN-on-SiC目前主导了RF GaN市场,已渗透到4G LTE无线基础设施市场,预计将部署在5G sub-6Ghz的RRH架构中。 不过,与此同时,经济高效的LDMOS技术也取得了显著进步,可能会对5G sub-6Ghz有源天线和大规模多输入多输出(MIMO)应用中的GaN解决方案发起挑战。在此背景下,GaN-on-Si作为潜在的挑战者可能会扩展到8英寸晶圆,为商用市场提供具有成本效益的解决方案。尽管到了2019年第一季度,GaN-on-Si仍然处于小批量生产阶段,但是,预计它将挑战基站(BTS)和RF能源市场中现有的LDMOS解决方案。 GaN-on-Si厂商的另一个目标市场是大规模消费类5G手机PA市场,如果成功,将在未来几年开辟新的市场机遇。随着GaN-on-Si产品的最终上量,GaN-on-SiC和GaN-on-Si可能会在一段时间内在市场上共存。 最后但并非最不重要的是,创新的GaN-on-Diamond技术正在参与竞争,与其它竞争技术相比,GaN-on-Diamond技术有望提供更高的功率输出密度和更小的占位面积。该技术主要针对性能驱动型应用,例如高功率基站、军事和卫星通信等。 RF GaN供应链现状 RF GaN商用产品或样品目前主要有三种不同的衬底平台:SiC、Si和Diamond。每种技术的成熟度对各个供应链的成熟度有很大影响。GaN-on-SiC作为一项成熟的技术,供应链已经成熟,拥有众多厂商和不同的集成水平。在RF组件层面,顶级供应商包括住友电工(SEDI)、科锐(Cree/Wolfspeed)和Qorvo。韩国艾尔福(RFHIC)自2017年上市后,营收获得了大幅增长。领先的化合物半导体代工厂稳懋半导体(Win Semiconductors)目前正在积极供应RF GaN产品。MACOM-ST联盟引领了GaN-on-Si竞争,而RFHIC和Akash Systems公司则是推动GaN-on-Diamond技术的两大主要供应商。 对于军事市场,各个国家和地区都在加强自己的GaN RF生态系统。GaN的应用受到许多强势厂商的推动,例如来自美国的雷神(Raytheon)、诺斯洛普·格鲁门(Northrop Grumman)、洛克希德马丁(Lockheed Martin)等,来自欧洲的UMS、空中客车(Airbus)、萨博(Saab)等,以及中国领先的垂直整合厂商中国电子科技集团公司(CETC)。 不过,在电信市场,情况有所不同。2018年发生了很多战略合作和并购。 ■ 市场领导者SEDI和贰陆(II-VI)建立了垂直整合的6英寸GaN-on-SiC晶圆平台,以满足5G领域不断增长的市场需求。 ■ 科锐收购了英飞凌(Infineon)RF业务,包括LDMOS和GaN-on-SiC技术的封装和测试。