《探索 | 巨反常霍尔角调控与磁性外尔霍尔传感》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: 胡思思
  • 发布时间:2025-04-11
  • 磁性材料的反常霍尔输运效应来源于能带内禀贡献及杂质外禀散射,其重要参量反常霍尔角代表纵向电流密度驱动横向反常霍尔电流密度的能力。大反常霍尔角在反常霍尔磁传感、自旋电子学磁畴翻转等方面发挥关键作用。过去70年来,反常霍尔角长期处于0.1~3°(0.2%~5%)的较低水平,且缺乏调控模型和实验方案,导致反常霍尔这一重要物理效应长期不能得到有效应用。

    近年来,本征磁性拓扑材料的发现为研究自旋相关拓扑物态和物性提供了材料平台,而其拓扑增强的电输运性能也为反常霍尔角的调控带来了契机。磁性外尔半金属Co3Sn2S2具有大内禀反常霍尔电导率,为实现反常霍尔角的调控提供了理想载体。

    最近,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学实验室刘恩克课题组在磁性拓扑材料与物理研究方面取得新进展。他们提出了反常霍尔角的双变量数学模型,根据电导率及电阻率的张量转换,首次将反常霍尔角表达为纵向电阻率与反常霍尔电导率之积的函数。在金属区,反常霍尔角随着二者乘积的增加而增大。对于具有确定内禀反常霍尔电导率的体系,其反常霍尔角则随着纵向电阻率的增大而呈现一个极大值。根据反常霍尔电导率的内外禀机制特征,他们提出了基于磁性拓扑体系开展反常霍尔角调控的实验方案。利用拓扑态、微量掺杂、温度、维度等内外禀自由度,在Co3Sn2S2体系中进行了实验设计和验证,实现了纵向电阻率和反常霍尔电导率的同步大幅提升,获得了25°(46%)的零场巨反常霍尔角。同时,他们研制了新型反常霍尔传感器件,获得了低频23nT/Hz0.5@1Hz的磁场探测能力和7028μΩcm/T的霍尔灵敏度,分别是目前已知反常霍尔传感器的3倍和10倍。

    该研究为反常霍尔角的调控提供了一套可行的模型和方案,开启了磁性材料巨反常霍尔角的新阶段,实现了拓扑增强高性能磁传感的原理性验证。

    图1. a,b反常霍尔角的双变量函数关系,c巨反常霍尔角,d磁性外尔半金属反常霍尔传感

  • 原文来源:http://www.iop.cas.cn/xwzx/kydt/202504/P020250409595611777521.pdf
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  • 《量子反常霍尔效应:中国实验室里做出来的“诺奖级成果”》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2019-01-09
    • 从中国实验室里,继铁基超导、多光子纠缠、中微子振荡后,我国物理学再获突破性进展。1月8日,由清华大学教授、中国科学院院士薛其坤领衔的清华大学和中国科学院物理所实验团队在量子反常霍尔效应取得的突破性成果,获得2018年度国家自然科学奖一等奖。 全球首次发现:中国实验室里产生的世界级基础研究原创成果 “量子反常霍尔效应”——当第一次听说这个名字,许多人都会一头雾水。然而,走进这座自由王国,人们会发现一栋截然不同的摩天大楼。因为薛其坤团队的发现,中国标注了这座大楼的新高度。 微观世界的运行由量子力学规律支配,会显示完全不同于宏观世界的现象。霍尔效应是一种常见的电磁现象,广泛应用于磁传感器和半导体工业。那么当量子反常霍尔效应出现,会产生怎样的神奇? 科学家们认为,量子反常霍尔效应的最美妙之处是“不需要任何外加磁场就可以实现电子的量子霍尔态”。因此,这项研究成果将会推动新一代的低能耗晶体管和电子学器件的发展,可能加速推进信息技术革命的进程。 据介绍,量子反常霍尔效应,可以改变电子的运动轨迹,使其像在高速公路上行驶的汽车一样有序,减少了中间阻碍,降低了电子运动中的能量损耗。 这一发现经转化应用,对普通大众来说,最直接的影响就是有可能会解决手机或电脑发热、耗电快、运行慢等问题。 自1988年美国物理学家提出可能存在不需要外磁场的量子霍尔效应以来,不断有物理学家发表各种方案,但在实验上并没有取得任何实质性进展。2008年,薛其坤率领团队开始进入这一领域,经过四年研究,终于在世界范围内首次观测到量子反常霍尔效应。 这是世界物理学界近年来最重要的实验进展之一,引领了国际学术方向。这一发现的论文在美国《科学》杂志发表后,诺贝尔奖获得者杨振宁称:“这是从中国实验室里,第一次发表出了诺贝尔奖级的物理学论文!” 创新实验方法:学术道路前行每一步都有意义 从沂蒙山区走出来的薛其坤,个子不高、乡音浓浓,朴实而风趣。奋斗与执着,是他和团队成员王亚愚、何珂、马旭村、吕力等在科学之路上的人生信条。 薛其坤研究团队长期以来结合分子束外延生长、极低温强磁场扫描隧道显微镜、角分辨光电子能谱技术,在表面、界面、低维物理学领域做出了国际一流的工作。 2008年,薛其坤研究团队抓住拓扑绝缘体这个新领域兴起的契机,在国际上率先建立了拓扑绝缘体薄膜的生长动力学机制,利用分子束外延生长出国际最高质量的样品。所提出的生长方法现已成为国际上通用的拓扑绝缘体样品制备方法。 在此基础上,他们利用扫描隧道显微镜揭示出拓扑绝缘体表面态的拓扑保护性和朗道量子化等独特性质。该研究团队与国内相关科学家的努力使得中国在拓扑绝缘体领域研究中处于国际领先行列。 “这是过去二十多年来凝聚态物理和材料物理领域,最具挑战性的实验之一。”薛其坤坦言,实验的难度在于目标的不确定性,“我们所要实现的材料就像一个人既需要短跑运动员的速度、又要有举重运动员的力量、更要有花样滑冰运动员的技巧”。 “我们的实验结果得到了科学界的重复验证,量子反常霍尔效应的实验经受住了历史的考验。”薛其坤说,“想在科学原创上发现别人看不到、发现不了的东西,肯定你的眼睛要更亮,你使用的仪器工具分辨率、灵敏度必须要更高。” 量子反常霍尔效应和高温超导是物理学界最热门的两个课题。薛其坤已经完成了前者,下一步将朝着后者进发。他坦言这是一次崭新的尝试:“在学术的道路,前行的每一步都有意义,这就是科学的魅力。” 理解“物理之美”:中国基础科研正处“黄金时代” 科学探索就是无数次接近真理的过程。现在的薛其坤,越来越深刻地理解了“物理之美”。他认为,自己的生活每天就是回答为什么,探寻谜底的过程让他乐此不疲。 “我们的成果与改革开放40年来取得的成就密不可分。”薛其坤说,量子反常霍尔效应的发现是改革开放40年间我国在基础研究上的一个重大成果,日益强大的国力、良好完善的科技政策、科学系统的科技规划、催人奋进的创新氛围是基础和保障。 发现量子霍尔反常效应团队的五位主要完成人,平均年龄48岁,他们瞄准同一重大科学目标,各有所长但相对独立,单元科研团队的成员间形成了高效合作,其深度和持久性在国内外也不多见。 人类的生命稍纵即逝,物质也会随着时间湮灭,唯有不朽的知识闪耀在历史的长河里。团队成员们表示:“中国的基础科研正处在一个黄金时代,能成为这个时代的奋斗者,倍感幸福。” 薛其坤认为,必须让创新人才坐得住冷板凳、耐得住寂寞,在基础研究、原始创新上不断突破,夯实国家核心竞争力的基石。 “我们是党和国家培养起来的科学家。新时代为我们提供了更好的机遇,我们定要不负使命、努力奋斗,为国家强大、人民幸福和科学探索不断做出新的贡献。”薛其坤和他的同事们壮志满怀。
  • 《Paragraf推出全新石墨烯基霍尔效应传感器》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2021-03-18
    • 3月11日,石墨烯基转换电子传感器领导者Paragraf宣布推出全新石墨烯基霍尔效应传感器,可适用于电池应用,如电动汽车(EV)领域。 石墨烯GHS01AT霍尔效应传感器经优化后可用于低场强和常温环境下。此外,它还可以将磁场测量分辨率提高到与复杂磁传感器的分辨率一样,并采用体积小且易于使用的霍尔传感器,从而可完成常规技术无法提供有效解决方案的监视任务。 新型GHS01AT霍尔效应传感器非常适合电池市场。在电池市场中,该传感器可为研究电池化学衍生物的有效性提供重要价值,并在开发过程形成影响因素。通过使用这些磁传感器,人们可以获得更详细及局部(点对点)的电池单元性能信息。 借助GHS01AT提供的性能参数,可得到详细的实时电流密度(局部电池内部电阻)图,即电池在重复充放循环中不同位置的所有变化。若出现热点,这些区域中的电池内阻的局部图可洞悉热点形成前的物理变化过程。 为实现质量管控,预警信号会在发出时被监控或扫描,而电流密度图可能会突出显示预警信号,甚至提供电池化学特性开发和概念设计所需的信息,防止潜在故障的发生或降低热逃逸风险。此外,该传感器还可用于测量流入和流出电池的电流,可作为测量实时磁场(电流)数据的间接方法,保障电池本身以及电池内部的极耳/母线在测试过程中不被破坏。 平面内杂散磁场通常会对其他传感器的准确性造成严重影响。但该GHS01AT采用石墨烯单层(厚度仅为0.34nm),可不受平面内杂散磁场的影响,且占用空间小,可获得高空间分辨率。 除传感器外,Paragraf还提供GHS阵列入门套件。该紧凑型板可使8个GHS01AT传感器同步测量。每个传感器都由1.5m串行接口电缆与探头连接,并配备Paragraf的可同时进行温度监测和磁测量数据温度校正的温度传感器。这种即插即用的硬件很容易集成到现有的数据采集系统中,将帮助制造商在开始阶段就可应用采用大量GHS01AT器件的大型测试设备。 Paragraf首席执行官Simon Thomas博士表示:“随着安全增加EV续航里程和缩短充电时间的需求不断增多,电池制造商们面临着开发更高性能产品的巨大压力。未来,电池将变得更小、更轻,并具有更高的功率密度和更快的充电响应能力。为此,电池制造商们需要获得可分析的高级测试数据。而随着GHS01AT的推出,电池制造商们可拥有进行分析所必需的技术。” Thomas博士还表示:“从磁场和空间分辨率两方面来看,GHS01AT性能均优于现有其他设备。这表示,电池制造商将首次可从电流密度角度汇编与产品内部结构有关的综合数据集。通过应用内置GHS01AT传感器的测试台,电池制造商将能延长所生产电池组的寿命并确保安全性。”