在2月将650V电压等级添加到其产品组合之后，德国慕英飞凌通过其专有的沟槽半导体技术在其1700V CoolSiC MOSFET产品中增加了1700伏表面贴装器件（SMD），这发挥SiC强大的物理特性，确保了新型器件具有高可靠性以及低开关和传导损耗。1700V CoolSiC MOSFET的目标是三相转换系统中的辅助电源，例如电机驱动器、可再生能源、充电基础设施和高压直流（HVDC）系统。
低功率应用通常在100W以下运行，在这些情况下，设计人员通常更喜欢单端反激式拓扑。采用SMD封装的新型1700V CoolSiC MOSFET可以为高达1000VDC输入电压的直流链路连接的辅助电路启用该拓扑，也减少了了占位面积和制造材料。
英飞凌表示，1700V的阻断电压消除了设计人员对过压裕度和电源可靠性的担忧。1700伏碳化硅场效应晶体管采用沟槽技术，使其具有该电压等级下最低的器件电容和门电荷。测试结果显示，与最先进的1500伏场效应晶体管相比，其功率损耗减少了50%以上，效率提高了2.5%，与其他1700伏碳化硅场效应晶体管相比，效率提高了0.6%。紧凑的表面安装组件可通过自然对流冷却而不需散热器，因此具有极低的器件电容和热损耗。
新型1700V CoolSiC沟槽MOSFET针对+ 12V / 0V栅源电压与通用PWM控制器兼容的反激式拓扑进行了优化。因此，它们不需要栅极驱动器IC，并且可以由反激控制器直接操作。导通电阻额定值为450mΩ、650mΩ或1000mΩ。新的7引脚D2PAK SMD封装可提供超过7mm的爬电距离和电气间隙。这样，它就可以满足通常的1700V应用要求和PCB规格，从而最大限度地减少了设计的隔离工作。
