印度理工学院声称在使用p型铝钛氧化物（AlTiO）栅极绝缘材料条件下，首次实现了氮化铝镓/氮化镓（AlGaN / GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在增强模式（e模式）下工作。并称实验中使用p型AlTiO的高电子迁移率晶体管（HEMT）的ON-state性能很好，与目前最佳报告结果相当。
金属氧化物半导体（MOS）栅极叠层结合了氧化钛的高k介电特性（k大于60）和由氧化铝掺杂（k~9）提供的p型特性。简单的GaN HEMT是耗尽模式，并且需要特殊的额外处理来将阈值电压推向正方向以提供增强模式，通常是关闭性能。在栅极下方放置诸如镁掺杂的p-GaN的p型材料是一种用于移动到增强型器件的方法。与肖特基栅极HEMT相比，高k电介质可提高栅极下电流的静电控制，同时具有更尖锐的导通（低亚阈值摆幅），同时减少栅极泄漏。
通过使栅极凹陷来减小势垒使得能够获得正阈值电压。屏障厚度为8nm时，阈值为+ 0.5V。得到的晶体管以增强模式工作，器件处于OFF状态，栅极电位为0V。更薄的屏障还改善了通道控制，降低了关断状态电流（降低了100倍），并且在73mV /十倍频率下降低了亚阈值摆幅。
具有优化的p-氧化物和不同的阻挡层厚度的HEMT的传输特性，当栅极下的势垒厚度缩放时，阈值（VTH）从负值变为正值。漏极电流-栅极电压双扫描的阈值电压滞后分别为~30mV和~40mV，漏极偏压分别为0.1V和15V。
