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《SK海力士引进存储器界首台商业化High NA EUV设备》

  • 来源专题：集成电路与量子信息
  • 发布时间：2025-09-04

  • 据官网9月3日报道，SK海力士宣布已将量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）引进韩国利川M16工厂。此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

    SK海力士计划通过引进该设备，简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。

    原文链接：https://news.skhynix.com/sk-hynix-introduces-industrys-first-commercial-high-na-euv/

  • 原文来源：https://news.skhynix.com/sk-hynix-introduces-industrys-first-commercial-high-na-euv/
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  • 《SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2020-10-10
    • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品，尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。 SK海力士于2018年11月成功开发全球首款16Gb DDR5 DRAM之后，向英特尔等核心客户提供样品，并完成了一系列测试与性能、兼容性验证等程序。此番成果意味着SK海力士在即将到来的DDR5市场随时能够销售相关产品。 期间，SK海力士与SoC1)（System On Chip）开发公司等不同企业共同运营现场分析研究室，并通过共同执行系统级别测试（System Level Test）及各种模拟测试完成了新产品的性能验证。与此同时，SK海力士还与诸多公司紧密合作，进行了包括RCD2)（Register Clock Driver）、PMIC3)（Power Management IC）等构成模组的主要部件的兼容性验证。 SK海力士推出的DDR5 DRAM的数据传输速率高达4,800 ~  5,600Mbps，其速率相较前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的传输速率意味着能够在1秒内传输九部全高清（Full-HD,  FHD）电影。不仅如此，该产品的动作电压由前一代的1.2V降到了1.1V，成功减少了20%的功耗。 SK海力士DDR5 DRAM的另一个显著特征是其芯片内置型错误纠正代码（Error Correction Code,  ECC）；内置ECC能够依靠自身功能修复DRAM单元（cell）单字节单位的错误。有助于该特性，采用SK海力士DDR5  DRAM的系统的可信赖度有望提升二十倍。若与硅通孔（Through Silicon Via,  TSV）技术相结合，更能够组成容量高达256GB的高容量模组。 SK海力士期待这种低功耗、高信赖度且绿色环保的DDR5 DRAM将帮助数据中心降低其功耗及运营成本。 英特尔数据平台部门（Data Platforms Group）的Carolyn Duran副总裁（Vice  President）表示：“为了树立基于JEDEC标准的初期结构概念（early architecture  concept）并完成DDR5标准规格的开发，英特尔与SK海力士维持了紧密的合作关系。双方为了确保产品性能，进行了试制产品的设计、验证；这意味着两家公司已经做好了满足客户需求的准备。” 吴钟勋SK海力士副社长兼首席营销官（Chief Marketing Officer, CMO）则表示：“SK海力士成功推出世界首款DDR5  DRAM，得以在DRAM市场占据未来技术优势。我公司将重点瞄准快速成长的高端服务器市场，进一步巩固在服务器DRAM领域拥有的领先地位。” 固态技术协会（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于2020年7月正式发布了DDR5 DRAM的标准规格。 而市场调研机构Omdia分析指出，对DDR5的市场需求将从2020年开始逐步显现；其市占率将在2022年占整个DRAM市场的10%，2024年则将进一步扩大至43%。 新思科技（Synopsys），瑞萨（Renesas），澜起科技（Montage Technology），Rambus等企业也纷纷表示将为了打造DDR5生态圈而保持紧密合作关系。 负责IP营销与战略的John  Koeter新思科技高级副总裁指出：“通过与SK海力士的合作，新思科技将为需要超高速、高容量存储器的高性能计算（High Performance  Computing, HPC）SoC提供高信赖度的DDR5解决方案。新思科技通过SK海力士的DDR5  RDIMM模组，在最大传输速率6,400Mbps的环境下完成了‘DesignWare DDR5/4  IP’的验证，这意味着将设计者的风险最小化的同时，能够实现数据密集型的高性能SoC。” Rami Sethi瑞萨副总裁兼数据中心业务部门（Data Center Business Division）总经理（General  Manager）表示：“瑞萨在过去二十年作为倡导存储器接口市场的企业，对与诸多合作公司及客户建立的合作关系感到十分自豪。通过此番与SK海力士的紧密合作，瑞萨成功完成了涉及服务器、客户、内置系统等诸多应用领域的DDR5  DRAM产品的验证。” 负责销售与经营开发（Sales and Business Development）的Geof  Findley澜起科技副总裁则表示：“我们非常高兴能够与SK海力士为了打造DDR5存储器生态圈而相互合作。澜起科技在早期DDR存储器萌芽之际就已经与SK海力士展开了合作关系，我公司承诺持续提供高性能、低能耗的存储器接口解决方案。目前，澜起科技能够提供涵盖不同领域的全方位DRAM模组接口产品，很高兴能够再次与SK海力士合作，为DDR5市场的加速发展添一份力。” Chien-Hsin Lee Rambus副总裁兼集成电路部门（Integrated  Circuits）总经理认为：“我们非常高兴在实现下一代新技术等领域与SK海力士合作，进而为营造DDR5生态圈贡献。我们相信，采用全新存储器接口的DDR5  DRAM模组将帮助提升服务器性能，并满足需要高容量、高带宽存储器的数据中心市场的需求。”
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  • 《英特尔宣布组装完成业界首台商用高数值孔径(High NA)极紫外光刻机》
    • 来源专题：集成电路
    • 发布时间：2024-04-22
    • 据官网4月18日报道，英特尔晶圆代工厂(Intel Foundry)宣布组装完成业界首台商用高数值孔径(High Numerical Aperture, High NA)极紫外(EUV)光刻扫描机，在先进半导体制造领域取得了重要里程碑。该来自光刻行业领导者ASML的TWINSCAN EXE:5000高NA EUV光刻机位于英特尔公司俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地，目前正在进行校准步骤，为英特尔未来工艺路线图的生产做准备。通过改变将印刷图案投射到硅片上的光学设计，WINSCAN EXE:5000高NA EUV光刻机能够显著提高下一代处理器的分辨率和特征缩放。 据英国电子周报报道，这台价值3.73亿美元的机器有双层巴士那么大，重达150多公吨，装在43个货运集装箱里的250多个板条箱，通过20辆卡车运往俄勒冈州。英特尔计划在2025年将该机器用于14A代芯片的开发，预计2026年早期生产，2027年全面商业化生产。高NA EUV预计能够印刷比现有EUV光刻机小1.7倍的图案，这将启用二维特征缩放，从而使集成电路密度增加2.9倍。 与0.33NA EUV相比，高NA EUV（或0.55NA EUV）可以为类似特征提供更高的成像对比度，这使得每次曝光量更少，从而减少了每层的印刷时间，并增加了晶片产生量。 原文链接：https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-foundry-opens-new-frontier-chipmaking.html
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