东京大学和日本三菱电机株式会社的大学产业团队在12月4日在旧金山召开的第63届IEEE国际电子器件会议（IEDM 2017）上报告说，它首次量化了三个电子，用于确定功率半导体模块中的碳化硅（SiC）功率半导体器件的电阻的散射机制。他们发现SiC界面下的电阻可以通过抑制电荷的电子散射而降低三分之二。预计这将通过降低SiC功率半导体的电阻来帮助降低功率设备的能耗。
三菱电机先进技术研发中心碳化硅器件开发中心高级经理Satoshi Yamakawa表示：“直到现在，单独测量决定电子散射的阻力限制因素还是很难的。”
东京大学研究生院副教授Koji Kita说：“我们能够以前所未有的水平证实，SiC界面的粗糙度几乎没有影响，而SiC界面下的电荷和原子振动是主要因素。”
