《我国首套“双200”超高温高压直推存储式测井系统刷新记录》

  • 来源专题:能源情报网信息监测服务平台
  • 编译者: guokm
  • 发布时间:2022-03-24
  • 近日,中国电科22所联合研制的超高温高压直推存储式测井系统,顺利完成胜利油田东部油区重点风险探井渤深斜10井的测井作业,一举刷新国内直推存储式测井施工温度最高纪录——197.1℃。

    该系统是我国首套耐温200℃、耐压206MPa、连续工作不小于20小时的“双200”超高温高压直推存储式测井系统,标志着我国高温直推测井技术取得重大突破。目前,该系统在新疆顺北地区、胜利油田、四川得到很好应用。

    近年来,随着我国油气勘探开发进一步向深层挺进,很多油气井深达8000米以上,最深的突破万米,井内最高温度达到200℃,最大压力达到200MPa,国内外现有仪器无法满足这种条件下的测井任务。22所与胜利油田测井公司联合研制的“双200”超高温高压直推存储式测井系统,满足了我国超深油气井的测井需要。

    自1982年涉足石油电子仪器研制领域以来,22所始终坚持自主研发道路,培养了一支现场经验丰富、技术和作风过硬的队伍,以优质的产品和优良的售后服务赢得广大用户的信任与支持,成为石油测、录、随仪器制造领域的一支中坚力量。

    22所充分利用国内优势资源,完成了关键技术的突破,重点解决了一系列高温器件国产化问题。通过理论仿真与试验验证相结合,实现了仪器在高温高压条件下可靠工作的抗压抗拉设计;通过合理有效的保温瓶设计措施,解决了电气元器件在高温环境下可靠工作的问题。系统的结构接口、保温瓶设计、电源、数据采集和存储等技术形成了设计规范,确保了系统设计的一致性,有力提升了系统的可靠性。

    据悉,该存储式测井系统被评为“2021年中国电科民品产业单项冠军产品”。

  • 原文来源:https://www.in-en.com/article/html/energy-2314014.shtml
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    • 日前,正在渤深斜10井施工的中石化经纬胜利测井公司使用自主研制的特深层高温高压直推存储式测井系统,一举刷新了国内直推存储式测井施工温度最高纪录——197.1℃,我国高温直推测井技术取得重大突破。 渤深斜10井是中石化在东部油区部署的一口重点风险探井,6340米的井深,对应井底197.1℃的高温,最大井斜62°,水平位移2900米,测量井段长1628米,是典型的超深超高温大斜度井。这口井的最大施工难度在于井温,最高温度达到了197.1℃,对于下井仪器长时间稳定性的工作是一个巨大的挑战,国内大多数测井仪器,只能在175℃以下工作0.5—2小时左右,200℃则会停止工作。 深层、特深层油气是保障国家能源安全的勘探方向,而超高温高压测井系统则是特深层超高温高压复杂环境下油气勘探开发的一项关键技术,对于千米之下油气信息采集、评价,油气藏的勘探发现、建立产能等有着决定性意义。直推存储式超高温高压测井系统能够在温度200℃、压力2060个大气压下,正常工作20个小时,为深层、特深层油气勘探开发提供了有力的技术支撑。
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    • 随着人工智能技术的快速发展,高速数据中心已经成为支撑人工智能、大数据分析、云计算和5G网络等前沿技术的关键基础设施.目前数据中心大量使用多模垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)作为短距离高速光通信的核心技术,这是因为多模VCSEL具有成本低、能耗小等优点,适用于高密度的光互连.然而,随着更高数据速率(超过100 Gbps)的需求不断提升,多模VCSEL因模式色散、带宽限制和信号噪声等劣势难以满足要求.现有的方法在单模的模式增益体积扩展和表面微结构对横向模式的控制能力方面面临挑战,这限制了单横模VCSEL功率和效率的突破.单模VCSEL的发展历程如表1所示,从表中可以看出,自2006年以来,单模VCSEL的功率发展比较缓慢,一直维持在10 mW左右,且电光转换效率也比较低。 表1 单模VCSEL的发展历程 近年来在高速通信领域,随着PAM4+调制方案的采用,功率的重要性愈发凸显;人工智能技术的快速发展导致数据吞吐量大幅增加,使得器件能耗问题也成为关键关注点.因此,研究具有低成本、高功率、高效率、低发散角等特点的单模VCSEL对推动高速光通信的发展具有至关重要的意义。 研究亮点 针对以上问题,四川大学电子信息学院及苏州长光华芯光电技术股份有限公司王俊教授研究团队提出了一种基于多结VCSEL扩展纵向增益以提升单模VCSEL功率的方法,并构建了多结VCSEL的模式分析模型,解决了单模功率难以突破10 mW左右水平的难题,在直流驱动下实现了20.2 mW的单基横模激光输出,功率转换效率达42%,发散角为9.8° (1/e2)和5.1° (FWHM).这是迄今为止单颗VCSEL的最高单模功率,其功率值接近现有单模功率记录的两倍.这项研究将为高功率、高效率单模半导体激光器的进一步开发和应用提供创新方案,并对"绿色"高速光通信的发展具有重要的推动作用。 首先,该工作在保持低阈值的工作条件下,对比了低反射率输出镜的多结VCSEL和高反射率输出镜单结VCSEL的表面相位层厚度变化对反射率的调控能力.如图1所示,模拟实验结果表明9对p-DBR多结VCSEL设计的反射率变化高达20%,其表面结构调制能力远大于传统单结VCSEL设计。 图1 (a) 6结VCSEL示意图;(b) 单结VCSEL的p-DBR示意图;(c) 多结VCSEL的p-DBR示意图;(d) 不同DBR对数下输出镜反射率与表面相位层Si3N4厚度的关系 接着,该工作基于前期构建的实现了超高效率突破的多结VCSEL模型(Light Sci Appl 13, 60, 2024),分析了基于表面相位层厚度的单结与多结VCSEL的阈值增益变化,以及基于单结单模VCSEL现有水平的多结VCSEL效率扩展特性.如图2所示,结果表明,随着表面Si3N4厚度的变化,反射率变化幅度的不同会导致两类VCSEL的最大阈值增益存在明显差异,其中多结VCSEL的最大阈值增益约为单结VCSEL的2倍.实现单模VCSEL的核心思路是增大高阶模与单模的阈值增益差值,从而使得在一定工作条件范围内保持单模工作,但目前大部分方法基于各种表面微结构,使得模场分布集中在发光孔径外侧的高阶模具有更大的损耗.因此,该工作首次揭示了多结VCSEL在保持低阈值工作的同时能够增强表面微结构对高阶模式的调制能力,提出的方法能够显著增加高阶模式与基模之间的阈值增益差异,从而在更大的范围实现高阶模.多结VCSEL的扩展特性模拟实验表明高功率单模VCSEL的效率有望超过60%。 图2 19对p-DBR单结和9对p-DBR 6结VCSEL,(a) 表面Si3N4光学厚度与阈值增益的关系;(b) 多结VCSEL功率转换效率扩展特性 随后,该团队制备了不同尺寸的表面浮雕结构的6结VCSEL样品并进行了光电特性表征,结果如图3所示.6结VCSEL在连续电流驱动下实现了20.2 mW的激光输出功率,边模抑制比大于35 dB,对应的电光转换效率为42%,发散角为9.8°.近场光斑表明其为单基模激光工作模式.据团队研究人员所知,在室温连续工作的条件下,这是迄今为止单个VCSEL的最高单模功率,且功率值几乎是已知记录的两倍.此外,该方法只需在VCSEL的表面进行简单的微米级氮化硅蚀,无需特殊光刻工艺和复杂的工艺流程,保障了单模VCSEL的高可靠性和低成本优势。 图3 (a) L-I-V曲线;(b) SR=1 μm时不同电流下的光谱图;(c) 20.5 mW时的近场图;(d) 20.5 mW时的远场光斑图;(e) 20.5 mW时的远场发散角 综上,该团队提出了一种可实现高功率、高效率、强高阶模抑制能力、低发散角、低成本VCSEL的方法,基于该方法可扩展到VCSEL的各类通信波段,为实现高性能单模VCSEL提供了思路和有价值的参考,为未来高速光通信的发展开辟了一条全新的技术路线,在实现高速光通信方向具有极大的潜力.这里必须强调的是单模VCSEL的研究大多聚焦于直流驱动下的功率提升,这对于实际应用才具有重要的价值。