作为一种研究热潮，范德瓦尔斯(vdW)异质结构在纳米电子领域产生了众多的综合优点和新颖的应用。在此，我们系统地研究了具有不同堆积模式的MnPSe3/CrSiTe3 vdW异质结构的电子结构。然后，通过双轴应变或电场对MnPSe3/CrSiTe3 vdW异质结构的带结构调制进行了研究。在拉伸应变下，异质结构的相对带边缘位置由i型(嵌套式)转变为type-II型(错构型)。传导带最小的迁移也带来了从间接到直接带隙的过渡。在压缩应变下，电子性能由半导体变为金属。在不同的原子轨道叠加的情况下，能量带的变化可归因于应变依赖带结构的物理机制。同时，我们的计算表明，MnPSe3/CrSiTe3异质结构的带隙值对电场不敏感。即使如此，通过应用合适的负电场强度，也可以实现从typei到type-II的带对齐转换。通过外部因素的有效频带结构调制，使MnPSe3/CrSiTe3异质结构在新型应用中具有巨大的潜力，如应变传感器、光催化、自旋电子器件和光电子器件。
——文章发布于2018年3月28日
