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《d-Matrix与Alchip宣布联合开发全球首款基于3D DRAM的数据中心推理加速器》

  • 来源专题：集成电路与量子信息
  • 发布时间：2025-11-21

  • 据官网11月18日报道，d-Matrix与Alchip宣布联合开发全球首款基于3D DRAM的数据中心推理加速器。该技术旨在突破当前人工智能基础设施在性能、成本和可扩展性方面的限制。双方表示此次合作融合了各自团队的优势：Alchip的ASIC设计经验与d-Matrix的数字内存计算平台，特别是d-Matrix的3DIMC技术——这种三维堆叠DRAM方案旨在突破传统内存带宽瓶颈。

    据d-Matrix报道，3DIMC技术已在公司实验室的Pavehawk测试硅上得到验证；3DIMC的推理速度可比基于HBM4的解决方案快10倍。这标志着加速器设计可能迎来重大架构变革，评估下一代推理加速器的工程师将关注3D DRAM架构与基于HBM的先进解决方案在实际应用中的比较。

  • 原文来源：https://www.d-matrix.ai/announcements/d-matrix-and-alchip-announce-collaboration-on-worlds-first-3d-dram-solution-to-supercharge-ai-inference/
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  • 《三大国际巨头联合开发3D传感技术》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2020-07-28
    • 今年新冠肺炎疫情爆发，触发了对访问安全的新要求和对非接触式访问的新需求。据悉，三家国际领先企业安霸（Ambarella）、朗美通（Lumentum）和安森美半导体（ON Semiconductor）详细展示了一种生物识别精确度更高的 3D 传感技术。 这三家公司相信，他们共同开发的产品将引领具有人脸识别和活体检测功能的智能访问控制和视频安全的新潮流。这些公司的高管们认为，同样重要的是此类产品能保证不同种族人群的准确性和用户隐私不被泄露。 由于普通门把手和指纹扫描仪将被新型生物识别访问系统取代，预计到 2024 年，非接触式访问控制系统市场需求量将超过 1.35 亿个。该市场的增长将取决于基于先进人脸识别技术的产品何时能实现商用。 三家公司的高管在最近一次网络研讨会上详细介绍了如何将先进处理器组合与 3D 人脸识别技术而非更常见的 2D 技术产品相结合。 Wong 解释说，另一个关键问题：2D 人脸识别的安全“因性别和种族偏见而臭名昭著”，“此外，使用人脸图像尚有潜在的隐私问题，因为该图像还可被链接到用户的其它图像或随意发布在网络上。”他说，有数据表明这种方法的准确率约为 80%。 3D 生物识别安全系统通常使用近红外光投射到人脸上，形成密集的投射点图，创建出肉眼看不到的“深度图”。Wong 表示，此深度图用于与对象参考图像做比较，其准确率超过 99%。 3D 人脸识别本身并不是新奇独特的方案。这些公司宣称，单项技术的结合将使 3D 生物识别技术更经济、更准确，因而普及性更强。 可实现非接触式访问系统：Janus 参考平台设计 Janus 参考平台包括安霸的 CVflow 系列人工智能（AI）视觉 SoC 方案 CV25、Lumentum 的垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构光技术以及安森美半导体的 RGB-IR CMOS 图像传感器 AR0237，以上器件均已在售。三家公司早在 1 月份就宣布了合作伙伴关系。 安霸在单个芯片上集成深度处理、反欺诈算法、3D 人脸识别和视频编码，在降低系统复杂性的同时提高了性能。Lumentum 产品提供 VCSEL，可将红外（IR）和三原色（RGB）光可靠地投射到脸上。RGB 和 IR 深度感应是由安森美半导体的传感器执行，而无需单独的摄像头系统执行。 “通过在访问控制器件中使用个人身份识别，我们减少了公共接触点，从而改善了卫生和安全性。”安霸市场与业务开发副总裁 Chris Day 说。 他解释了 CV25 是如何在各种照明环境下工作的，而改变照明条件通常会给较早的人脸识别系统带来问题，但是像 Janus 这样的较新系统可以使用更高级的 HDR（高动态范围）算法来解决这些问题。同时，即使受试者戴着口罩，该平台也能够执行这些功能。
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  • 《SK海力士宣布：全球首款128层4D NAND下半年开卖》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2019-07-04
    • SK海力士于26日宣布，将量产全球首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。 这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后，时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导，SK海力士为使用TLC设计（每个Cell单元上安装3bit）开发新产品，应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术，制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品，不仅达到业界最高堆栈数，也超越三星电子量产的90层NAND。 虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品，但TLC的性能、处理速度皆优于QLC，在NAND市场中，TLC产品市占率更达85％。因此SK海力士首次以TLC技术开发出高容量NAND，备受外界关注。 特别的是，虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层，制程手续却减少5％，加上128层4D NAND的每硅片位元生产率比96层4D NAND高4成，即使不使用PUC技术（外围电路），128层4D NAND的位元生产率仍然能提高15％以上。SK海力士对此说明，通过此方式能节省转换新制程的花费，和上一代转换投资费用相比，约能减少6成。《朝鲜日报》指出，这是SK海力士活用去年10月开发的4D NAND工艺平台，并优化制程的成果。 SK海力士计划下半年开始销售128层4D NAND闪存。SK海力士相关人士表示，该产品即使在低电压（1.2V）环境，也能达到1400Mbps数据传输速度，适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案，以及企业用SSD（固态硬盘）中。
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