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《SK海力士宣布：全球首款128层4D NAND下半年开卖》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： shenxiang
  • 发布时间：2019-07-04

  • SK海力士于26日宣布，将量产全球首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。

    这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后，时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导，SK海力士为使用TLC设计（每个Cell单元上安装3bit）开发新产品，应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术，制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品，不仅达到业界最高堆栈数，也超越三星电子量产的90层NAND。

    虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品，但TLC的性能、处理速度皆优于QLC，在NAND市场中，TLC产品市占率更达85％。因此SK海力士首次以TLC技术开发出高容量NAND，备受外界关注。

    特别的是，虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层，制程手续却减少5％，加上128层4D NAND的每硅片位元生产率比96层4D NAND高4成，即使不使用PUC技术（外围电路），128层4D NAND的位元生产率仍然能提高15％以上。SK海力士对此说明，通过此方式能节省转换新制程的花费，和上一代转换投资费用相比，约能减少6成。《朝鲜日报》指出，这是SK海力士活用去年10月开发的4D NAND工艺平台，并优化制程的成果。

    SK海力士计划下半年开始销售128层4D NAND闪存。SK海力士相关人士表示，该产品即使在低电压（1.2V）环境，也能达到1400Mbps数据传输速度，适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案，以及企业用SSD（固态硬盘）中。

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    • 编译者：shenxiang
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    • SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10％以上。 据韩国科技媒体《DDaily》报导，SK海力士于25日发表2019年第一季财报，营收和营益分别为67727亿韩元、13665亿韩元。营收相较前一季下滑31.9％，和去年同期相比减少22.3％。营益相较前一季骤降了69.2％，与去年同期相比骤减68.7％。 DRAM因淡季需求放缓、服务器客户保守性购买等影响，和前一季相比，平均销售价格（ASP）下跌27％、出货量下降8％。NAND闪存则是受库存压力、同业竞争影响，平均销售价格（ASP）下跌32％、出货量下降6％。 随着之后新款智能手机采用12GB高容量DRAM，加上服务器用DRAM需求也将渐渐增加，SK海力士预期，第二季DRAM的需求将获得改善。另一方面，随着第二季进入后期，预计需求量也会逐渐恢复，NAND闪存需求将开始增加。目前NAND闪存价格已经下跌一年以上、IT对NAND的用量需求也在急速成长，未来SK海力士将扩大SSD（固态硬盘）的应用比例。 强化技术开发，应对存储器市场衰退 未来针对DRAM领域，SK海力士将着重转换细微工程。首先将逐渐扩大第一代10纳米（1X）产量，并从下半年起，将主力产品转换为第二代10纳米（1Y）产品。同时，为支援新款服务器芯片的高用量DRAM需求，将开始供给64GB模块产品。 在NAND领域中，未来将着重改善收益。将停止生产成本相对高的3D NAND初期产品－2代（36层）、3代（48层），并提高72层的生产比重。下半年则计划利用96层4D NAND产品刺激SSD、移动市场。青州新M15工厂考量目前的需求量，量产速度将比原计划慢，预计SK海力士今年的NAND晶圆投入量会比去年减少10％以上。 SK海力士对此表示：「在存储器需求不确定、期待需求恢复的市场中，将集中精力在降低成本和确保品质。
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  • 《SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2020-10-10
    • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品，尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。 SK海力士于2018年11月成功开发全球首款16Gb DDR5 DRAM之后，向英特尔等核心客户提供样品，并完成了一系列测试与性能、兼容性验证等程序。此番成果意味着SK海力士在即将到来的DDR5市场随时能够销售相关产品。 期间，SK海力士与SoC1)（System On Chip）开发公司等不同企业共同运营现场分析研究室，并通过共同执行系统级别测试（System Level Test）及各种模拟测试完成了新产品的性能验证。与此同时，SK海力士还与诸多公司紧密合作，进行了包括RCD2)（Register Clock Driver）、PMIC3)（Power Management IC）等构成模组的主要部件的兼容性验证。 SK海力士推出的DDR5 DRAM的数据传输速率高达4,800 ~  5,600Mbps，其速率相较前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的传输速率意味着能够在1秒内传输九部全高清（Full-HD,  FHD）电影。不仅如此，该产品的动作电压由前一代的1.2V降到了1.1V，成功减少了20%的功耗。 SK海力士DDR5 DRAM的另一个显著特征是其芯片内置型错误纠正代码（Error Correction Code,  ECC）；内置ECC能够依靠自身功能修复DRAM单元（cell）单字节单位的错误。有助于该特性，采用SK海力士DDR5  DRAM的系统的可信赖度有望提升二十倍。若与硅通孔（Through Silicon Via,  TSV）技术相结合，更能够组成容量高达256GB的高容量模组。 SK海力士期待这种低功耗、高信赖度且绿色环保的DDR5 DRAM将帮助数据中心降低其功耗及运营成本。 英特尔数据平台部门（Data Platforms Group）的Carolyn Duran副总裁（Vice  President）表示：“为了树立基于JEDEC标准的初期结构概念（early architecture  concept）并完成DDR5标准规格的开发，英特尔与SK海力士维持了紧密的合作关系。双方为了确保产品性能，进行了试制产品的设计、验证；这意味着两家公司已经做好了满足客户需求的准备。” 吴钟勋SK海力士副社长兼首席营销官（Chief Marketing Officer, CMO）则表示：“SK海力士成功推出世界首款DDR5  DRAM，得以在DRAM市场占据未来技术优势。我公司将重点瞄准快速成长的高端服务器市场，进一步巩固在服务器DRAM领域拥有的领先地位。” 固态技术协会（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于2020年7月正式发布了DDR5 DRAM的标准规格。 而市场调研机构Omdia分析指出，对DDR5的市场需求将从2020年开始逐步显现；其市占率将在2022年占整个DRAM市场的10%，2024年则将进一步扩大至43%。 新思科技（Synopsys），瑞萨（Renesas），澜起科技（Montage Technology），Rambus等企业也纷纷表示将为了打造DDR5生态圈而保持紧密合作关系。 负责IP营销与战略的John  Koeter新思科技高级副总裁指出：“通过与SK海力士的合作，新思科技将为需要超高速、高容量存储器的高性能计算（High Performance  Computing, HPC）SoC提供高信赖度的DDR5解决方案。新思科技通过SK海力士的DDR5  RDIMM模组，在最大传输速率6,400Mbps的环境下完成了‘DesignWare DDR5/4  IP’的验证，这意味着将设计者的风险最小化的同时，能够实现数据密集型的高性能SoC。” Rami Sethi瑞萨副总裁兼数据中心业务部门（Data Center Business Division）总经理（General  Manager）表示：“瑞萨在过去二十年作为倡导存储器接口市场的企业，对与诸多合作公司及客户建立的合作关系感到十分自豪。通过此番与SK海力士的紧密合作，瑞萨成功完成了涉及服务器、客户、内置系统等诸多应用领域的DDR5  DRAM产品的验证。” 负责销售与经营开发（Sales and Business Development）的Geof  Findley澜起科技副总裁则表示：“我们非常高兴能够与SK海力士为了打造DDR5存储器生态圈而相互合作。澜起科技在早期DDR存储器萌芽之际就已经与SK海力士展开了合作关系，我公司承诺持续提供高性能、低能耗的存储器接口解决方案。目前，澜起科技能够提供涵盖不同领域的全方位DRAM模组接口产品，很高兴能够再次与SK海力士合作，为DDR5市场的加速发展添一份力。” Chien-Hsin Lee Rambus副总裁兼集成电路部门（Integrated  Circuits）总经理认为：“我们非常高兴在实现下一代新技术等领域与SK海力士合作，进而为营造DDR5生态圈贡献。我们相信，采用全新存储器接口的DDR5  DRAM模组将帮助提升服务器性能，并满足需要高容量、高带宽存储器的数据中心市场的需求。”
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