《美国NSF计划投资近5000万美元支持下一代半导体设计》

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  • 《美国国家科学基金会投资5000万美元支持下一代半导体设计项目》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:李衍
    • 发布时间:2023-01-31
    • 据官网1月26日报道,美国国家科学基金会(NSF)与爱立信、IBM、英特尔和三星达成合作,投资5000万美元支持下一代半导体设计项目,以作为其未来半导体(FuSe)计划的一部分。 通过这项合作活动,NSF将与爱立信、IBM、英特尔和三星合作:投资于培养广泛的科学和工程研究人员联盟的项目,以追求整体的“共同设计”方法;通过针对性资助支持研究人员开展材料、器件、架构、系统和应用的集成方法研究,以设计和开发新的半导体技术;开发协同设计方法同时考虑设备/系统的性能、可制造性、可回收性和对环境的影响。NSF主任Sethuraman Panchanathan表示:“本次合作对于满足研究需求、刺激创新、加速成果转化、为未来劳动力做好准备等方面至关重要”。 这一合作关系扩大了NSF最近的投资计划,以在美国培训和建设多样化的半导体制造业劳动力。2022年,NSF宣布了三个半导体劳动力发展机会——与半导体研究公司(SRC)的合作,与英特尔公司的1000万美元合作,以及与美光科技公司的1000万美元合作。
  • 《美NSF与企业合作推进半导体计划》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心—领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2023-02-09
    • 1月26日,美国国家科学基金会(NSF)宣布与爱立信、IBM、英特尔和三星联合投资5000万美元建立合作伙伴关系,作为“未来半导体计划”(Future of Semiconductors,FuSe)的一部分,支持下一代半导体设计与制造。 NSF主任在讲话中指出,未来半导体和微电子将需要跨材料、设备和系统的跨学科研究,以及学术和行业领域全方位人才的参与。这样的伙伴关系对于满足研究需求、激励创新、加速将成果转化为市场产品,以及为未来的劳动力做好准备至关重要。 此次合作,将资助培养科学和工程研究人员广泛联盟的项目,以追求整体的“协同设计”方法。通过支持材料、器件、架构、系统和应用的复合型研究人员,以集成的方式设计和开发新的半导体技术。协同设计方法同时考虑了设备/系统的性能、可制造性、可回收性,以及对环境的影响。 美国国内的半导体短缺,加上全球疫情的复杂情况,使得芯片行业难以满足对芯片基产品日益增长的需求。虽然美国的需求量很大,但全球芯片供应中,只有约10%是在美国国内生产。通过此次这种公私合作伙伴关系进行的投资,将激励研究和创新来解决这个问题,进而在半导体和微电子技术方面取得突破,帮助依靠这些设备的众多应用。