《浙江:超前布局发展第三代半导体、前沿新材料等未来产业》

  • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
  • 编译者: 冯瑞华
  • 发布时间:2020-12-09
  • 11月19日,中国共产党浙江省第十四届委员会第八次全体会议通过《中共浙江省委关于制定浙江省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二○三五年远景目标的建议》(以下简称《规划建议》)。

     

    《规划建议》提出,浙江将持续推动经济发展质量变革、效率变革、动力变革,加快建设具有国际竞争力的现代产业体系。


    做优做强战略性新兴产业和未来产业。大力培育新一代信息技术、生物技术、新材料、高端装备、新能源及智能汽车、绿色环保、航空航天、海洋装备等产业,加快形成一批战略性新兴产业集群。大力培育生命健康产业,推动信息技术与生物技术融合创新,打造全国生命健康产品制造中心、服务中心和信息技术中心。大力培育新材料产业,谋划布局前沿领域新材料,打造新材料产业创新中心。促进平台经济、共享经济健康发展。超前布局发展人工智能、生物工程、第三代半导体、类脑芯片、柔性电子、前沿新材料、量子信息等未来产业,加快建设未来产业先导区。

     

    建设现代化基础设施体系。加快国家(杭州)新型互联网交换中心、5G、工业互联网、大数据中心建设和下一代互联网规模部署,推进新技术、算力和融合型智能化基础设施建设,推动传统基础设施升级,建设新一代信息基础设施体系。


    深入实施数字经济“一号工程2.0版”。深入实施数字经济五年倍增计划,大力建设国家数字经济创新发展试验区,打造数字强省、云上浙江。加快打造数字产业化发展引领区、产业数字化转型示范区、数字经济体制机制创新先导区,争取数字人民币试点,建设数字技术创新中心,加快打造数字变革策源地。创建国家制造业创新中心等高能级平台,培育壮大数字产业,形成一批具有国际竞争力的数字产业集群。加快国家新一代人工智能创新发展试验区建设。加快建设数字社会,拓展新基建应用场景,推进生活数字化、公共服务数字化。加强数字立法,探索数字化基础制度和标准规范,完善数据产权保护机制,深化数据开放共享,培育数据要素市场,保障数据安全,加强个人信息保护。

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    • 据媒体报道,华为今年4月刚成立的哈勃投资已于近期入股山东天岳,并获得了10%的股份。山东天岳核心产品为第三代半导体材料碳化硅。据公司官网介绍,碳化硅被称为是第三代半导体的核心材料,具有耐高压、耐高频等突出特点。 华为通过哈勃投资入股山东天岳,或许表明其对于第三代半导体材料前景的认可。资料显示,哈勃科技投资有限公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。 哈勃投资,名字颇具深意。哈勃望远镜自1990年搭乘美国“发现者号”航天飞机进入太空,开启了自己的传奇一生。如果要探索太空,是离不开哈勃的。设立哈勃投资,或表明了华为意图通过产业投资,对科技前沿领域进行探索的初衷。 历数三代半导体材料 自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在 集成电路 、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。 第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。 第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起,还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。 第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。 在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。 各国高度重视第三代半导体发展 目前,许多国家将第三代半导体材料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟, 致力于研发第三代功率半导体 功率器件 。 我国政府主管部门高度重视第三代半导体材料及相关技术的研究与开发。从2004年开始对第三代半导体技术领域的研究进行了部署,启动了一系列重大研究项目。2013年科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中,明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015年和2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。 碳化硅电力电子器件市场在2016年正式形成,根据Yole预测,碳化硅市场规模在2021年将上涨到5.5亿美元,年复合增长率可达到19%。由于我国具有广阔的应用市场,届时国产功率半导体市场也将实现大规模的增长。 哪些上市公司率先布局了碳化硅? 三安光电主要从事化合物半导体材料的研发与应用,专注于碳化硅、砷化镓、氮化镓等半导体新材料及相关领域。今年3月,三安光电旗下三安集成电路与美的集团达成战略合作,双方共同成立第三代半导体联合实验室,将通过研发第三代半导体功率器件导入白色家电,推动产业创新发展。 海特高新目前已完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅及磷化铟在内的6项工艺产品的开发,可支持制造功率放大器、混频器、低噪音放大器、开关、光电探测器、激光 器、电力电子等产品,产品广泛应用于5G移动通信、 人工智能 、雷达、 汽车电子 等领域。截止目前公司部分产品已实现量产,服务客户数和订单持续增加。 楚江新材在超高温热工装备领域具备领先优势,是国内唯一具有碳及碳化硅复合材料热工装备、高端真空热处理系列装备、粉末冶金系列热工装备三大系列且均保持领先的高端热工装备企业。
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    • 欧洲空间局记者近日从杭州湾新区管委会获悉,新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司——华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约。这是新区抢抓半导体材料技术迭代发展机遇的最新成果,标志着新区集成电路全产业链进一步完善,数字经济产业发展迎来“芯”动力。 项目总投资10.5亿元,计划年产8万片4吋至6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片,产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。 据悉,该项目是全省首个第三代半导体材料项目。第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,已成为半导体技术研究前沿和竞争焦点。 “设计、研发、制造、封装、测试……半导体产业链条上的任一环节的技术门槛都很高。华大宽禁带半导体材料项目专注半导体制造过程的前端工序——半导体材料,而且还是属于时下发展大热门的第三代半导体材料。”杭州湾新区管委会有关负责人表示,新时期集成电路产业发展背景下,该项目的签约对新区抢占下一代信息技术制高点具有较大发展意义。