总部设在新加坡的研究人员使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）直接在200mm直径的硅晶片上生长III-V异质结双极晶体管（HBT）。
来自南洋理工大学和新加坡麻省理工学院研究与技术联盟（SMART）的团队希望该技术可以使用最有效的（001）晶体取向与主流硅互补金属氧化物半导体（CMOS）电子器件集成。
研究人员首先在200mm（001）p型硅衬底上生长锗缓冲层。在[110]方向上将基板切割6°，HBT结构也通过MOCVD生长，产生铟镓砷磷化物（InGaAsP）合金。
研究人员预测在于手机功率放大器的应用中，III-V异质结双极晶体管比纯硅器具有更高的高频性能。在更高的电压击穿和低噪声操作方面，带隙调谐可以进一步展现优点。
