布里斯托尔大学设备热成像与可靠性中心（CDTR）教授Martin Kuball领导的团队发现，制造出了超纯氮化硼，并证明其具有高导热性。第一次导热率550W / mK为铜的两倍，这一发现为更安全、更高效的电子设备铺平了道路，包括移动电话、雷达甚至电动汽车（通过控制硼同位素浓度调节六角形氮化硼的导热系数）。
Martin Kubal：“大多数半导体电子产品在使用时都会发热，温度越高，他们降级的速度就越快，他们的表现也就越差，随着电子设备的广泛运用，找到可吸收余热的高导热性的材料变得越来越重要。氮化硼是一种这样的材料，预计其导热系数为550W / mK，是铜的两倍。然而，目前所有测量结果似乎都表明它的导热系数要低得多大约为220-420WmK，通过使这种材料'超纯'，我们能够首次证明其具有非常高的导热能力。具体而言，对于单同位素10B h-BN，测量的面内导热系数高达585WmK在室温下，比具有无序同位素浓度的h-BN高约80％（52％：10B和11B的48％混合物）。”
库巴尔表示，下一步是开始用氮化硼制造有源电子器件，并将其与其他半导体材料集成。为了展示超纯氮化硼的潜力，他们现在有一种材料可以在不久的将来用于制造高性能、高能效的电子产品。随着手机和电动汽车的使用，人们对电子产品的依赖只会增加，使用更有效的材料（如氮化硼）来满足这些需求将更好的造福人类。
