韩国光州科学技术研究所使用镓掺杂氧化锌（ZnO）透明导电层（TCL）来提高氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED）的性能。研究人员发现，与使用氧化铟锡（ITO）作为TCL的器件相比，ZnO TCL减少了InGaN发光材料中的应变，增加了光输出功率并降低了正向电压。
ZnO在制造成本方面优于ITO，因为铟是一种昂贵的稀有元素，并且ITO还具有热不稳定性，在结温较高的高功率LED中尤为重要。
拉曼光谱表明，越厚的ZnO层使有源层的压缩应变松弛。对于0nm的ZnO层（具有180nm ITO TCL的LED A），180nm（B）和500nm（C），来自拉曼位移测量的双轴应变的估计值分别为-6.76％、-5.67％、-4.57％。放松压缩应变使发光的辐射波长峰在光致发光（PL）实验中从464.1nm下降到456.9nm。与此同时，估计的内部量子效率（IQE）增加了16.5％。
在电偏压下，LED的峰值波长在100mA注入时会聚到445nm和454nm之间。在10mA注入时，LED A的峰值为460.3nm，LED C的峰值为455.7nm。 LED A与10mA注入的蓝移6.13nm的会聚是由于注入载流子屏蔽压电场并填充导带。 LED B和C分别记录了1.99nm和1.93nm的较小偏移。 B和C的较小偏移反映了由于较小的应变而减小的压电场。
与LED A的性能相比，LED B和C的100mA光输出功率分别增加了26.9％和30.9％这种改进归因于由于应变减少而导致的辐射复合增加，以及与ITO相比，ZnO的较高折射率的光提取增强。
研究人员评论说：“与ITO相比，ZnO具有透射率更高，电阻率更低，温度稳定性更好，成本更低，无毒性的优点”
