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《英特尔将ARM核心转移到1.8纳米工艺用于代工》

  • 来源专题：新一代信息技术
  • 编译者： 张卓然
  • 发布时间：2023-05-22

  • 英特尔代工服务部（IFS）已与ARM就英特尔18A 1.8纳米半导体工艺签署了一项长期协议。

    此次合作将首先专注于移动片上系统（SoC）设计，但允许潜在的设计扩展到汽车、物联网（IoT）、数据中心、航空航天和政府应用。这笔交易是针对“多代”核心的，尽管ARM没有具体说明是哪一代。目前使用ARMv7和v8代内核上，并正在开发ARMv9-A。

    英特尔强调“强大的制造业足迹，包括美国和欧盟的产能”，以利用全球贸易的不确定性进行本地生产。

    英特尔代工服务部和ARM将为英特尔18A工艺技术的核心进行设计技术协同优化（DTCO）。这里有两种新技术，用于背面功率传输的PowerVia和用于更高性能和功率效率的RibbonFET栅极全方位（GAA）晶体管架构。

    英特尔代工服务部和ARM将开发一个移动参考设计，为代工客户展示软件和系统知识。两家公司还在研究系统技术协同优化（STCO），以优化从应用程序和软件到封装和芯片的平台。

  • 原文来源：https://www.eenewseurope.com/en/intel-moves-arm-cores-onto-1-8nm-process-for-foundry/
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相关报告

  • 《英特尔公布技术路线图：10年后推1.4纳米工艺》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2019-12-16
    • 据外媒报道，在今年的IEEE国际电子设备会议（IEDM）上，芯片巨头英特尔发布了2019年到2029年未来十年制造工艺扩展路线图，包括2029年推出1.4纳米制造工艺。 2029年1.4纳米工艺 英特尔预计其制造工艺节点技术将保持2年一飞跃的节奏，从2019年的10纳米工艺开始，到2021年转向7纳米EUV（极紫外光刻），然后在2023年采用5纳米，2025年3纳米，2027年2纳米，最终到2029年的1.4纳米。这是英特尔首次提到1.4纳米工艺，相当于12个硅原子所占的位置，因此也证实了英特尔的发展方向。 或许值得注意的是，在今年的IEDM大会上，有些演讲涉及的工艺尺寸为0.3纳米的技术，使用的是所谓的“2D自组装”材料。尽管不是第一次听说这样的工艺，但在硅芯片制造领域，却是首次有人如此提及。显然，英特尔(及其合作伙伴)需要克服的问题很多。 技术迭代和反向移植 在两代工艺节点之间，英特尔将会引入+和++工艺迭代版本，以便从每个节点中提取尽可能多的优化性能。唯一的例外是10纳米工艺，它已经处于10+版本阶段，所以我们将在2020年和2021年分别看到10++和10+++版本。英特尔相信，他们可以每年都做到这一点，但也要有重叠的团队，以确保一个完整的工艺节点可以与另一个重叠。 英特尔路线图的有趣之处还在于，它提到了“反向移植”（backporting）。这是在芯片设计时就要考虑到的一种工艺节点能力。尽管英特尔表示，他们正在将芯片设计从工艺节点技术中分离出来，但在某些时候，为了开始在硅中布局，工艺节点过程是锁定的，特别是当它进入掩码创建时，因此在具体实施上并不容易。 不过，路线图中显示，英特尔将允许存在这样一种工作流程，即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上，然后是3纳米反向移植到5++，2纳米反向移植到3++上，依此类推。有人可能会说，这个路线图对日期的限定可能不是那么严格，我们已经看到英特尔的10纳米技术需要很长时间才成熟起来，因此，期望公司在两年的时间里，在主要的工艺技术节点上以一年速度进行更新的节奏前进，似乎显得过于乐观。 请注意，当涉及到英特尔时，这并不是第一次提到“反向移植”硬件设计。由于英特尔10纳米工艺技术目前处于延迟阶段，有广泛的传闻称，英特尔未来的某些CPU微体系结构设计，最终可能会使用非常成功的14纳米工艺。 研发努力 通常情况下，随着工艺节点的开发，需要有不同的团队负责每个节点的工作。这副路线图说明，英特尔目前正在开发其10++优化以及7纳米系列工艺。其想法是，从设计角度来看，+版每一代更新都可以轻松实现，因为这个数字代表了完整的节点优势。 有趣的是，我们看到英特尔的7纳米工艺基于10++版本开发，而英特尔认为未来的5纳米工艺也会基于7纳米工艺的设计，3纳米基于5纳米设计。毫无疑问，每次+/++迭代的某些优化将在需要时被移植到未来的设计中。 在这副路线图中，我们看到英特尔的5纳米工艺目前还处于定义阶段。在这次IEDM会议上，有很多关于5纳米工艺的讨论，所以其中有些改进(如制造、材料、一致性等)最终将被应用于英特尔的5纳米工艺中，这取决于他们与哪些设计公司合作(历史上是应用材料公司)。 除了5纳米工艺开发，我们还可以看看英特尔的3纳米、2纳米以及1.4纳米工艺蓝图，该公司目前正处于“寻路”模式中。展望未来，英特尔正在考虑新材料、新晶体管设计等。同样值得指出的是，基于新的路线图，英特尔显然仍然相信摩尔定律。
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  • 《英特尔走向全面代工》
    • 来源专题：宽带移动通信
    • 编译者：张卓然
    • 发布时间：2021-05-21
    • 尼克·弗莱厄蒂写道，英特尔重返代工业务在政治上是明智的，尤其是在欧洲 英特尔已经大规模重回代工业务。 新任首席执行官帕特·基辛格表示，IDM2.0计划在设计、制造以及地缘政治方面都向前迈进了一步，而且这次将不同于七年前的那次半途而废的代工行动。 现在英特尔公司有范围十分广泛的技术可供提供，而且准备向客户提供这些技术。与过去截然不同的是，英特尔公司正在提供X86处理器内核技术以及ARM（让人想起英特尔在二十世纪九十年代后期的StrongARM和Xscale芯片设计），甚至提供RISC-V开源内核。所有这些都将与独立的图形处理单元、高速组网和内存知识产权一起提供，这将吸引数据中心ASIC（专用集成电路）芯片设计师。 英特尔将建设两座晶圆代工厂，为欧洲代工 英特尔公司真正缺乏的是前沿尖端技术。晶圆代工业务从22纳米开始，这凸显了英特尔在前沿尖端工艺技术方面面临的困境。尽管英特尔有可能提供FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的当前10纳米SuperFET变体，但是英特尔公司已落后于台积电和三星公司。 基辛格表示，7纳米波长的极紫外（EUV）问题已经得到解决，将在今年晚些时候用于下一代处理器。这是一个受欢迎的举措，但还不够。问题在于在欧洲和美国获得大量领先尖端技术的地缘政治。英特尔承诺投资200亿美元在其亚利桑那州园区内新建两座工厂，这或许是对台积电计划在亚利桑那州新建六座工厂的计划的陪衬。所有这些都是为了让全球大客户放心，他们的基本半导体供应稳定可靠。 英特尔将i3内核外包给台积电的5纳米工艺 英特尔公司还指出，自1989年以来，该公司花了150亿美元用于欧洲的制造能力建设，使爱尔兰的制造业翻了一番，到今年为止，又另外支出了70亿美元。 “这项投资旨在将英特尔的最新一代7纳米工艺技术引进到该地区，并且扩大我们的制造业务。它还将推动该地区的经济增长，一旦建成将创造一千六百个永久性的高科技工作岗位，还将创造五千多个建筑工作岗位，”英特尔爱尔兰公司生产与运营副总裁兼总经理伊蒙·辛诺特说道。但是未来还会有更多，这将取决于欧盟提供了多少支持。 “我们计划在年内宣布下一阶段的扩张，为我们在美国、欧洲和世界上其它地方的新代工业务提供支持，”辛诺特说。在整个欧洲，英特尔公司雇佣的员工超过了一万人。爱尔兰、德国、波兰、法国和欧洲其他国家的团队的工作涉及整个供应链，从研究与开发到制造，为全球创新注入了动力。这将在一定程度上取决于欧盟的反应。英特尔已经非常聪明地让自己向“欧洲2030”战略看齐，为欧洲地区带来更多领先的芯片制造能力。爱尔兰是这方面的核心。 “我们正在加速在欧洲的投资，并且支持实现欧盟的雄心壮志，即将全球20％的尖端芯片在本地生产，”辛诺提说道。“我们在欧洲这方面的投资已经打造了一个先进的制造中心，再加上我们在该地区的多样化能力，使我们处于一个独特的地位，为欧盟确保欧洲市场和其他地区市场先进半导体供应的议程提供支持，”辛诺提说。 “我们与欧盟有着共同的雄心抱负，那就是向欧洲提供最先进的半导体技术，并且建设地理上更均衡的制造能力。英特尔在支持欧盟到2030年实现数字化转型的愿景方面具有独特的优势，”辛诺提说。辛诺提在一个明确的短信上表示：“英特尔非常看重全球各地激励半导体创新和制造投资的营商环境和政策。” 下一步必须由欧盟采取行动，欧盟必须表明欧盟非常重视支持半导体供应链。
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