本文报道了近边缘x射线吸收精细结构(NEXAFS)光谱对有机-无机混合电阻的影响。这些材料是基于Si、Zr和Ti氧化物的非化学扩增系统，由有机改性的前驱物和溶胶-凝胶路线的过渡金属烷酸盐合成，设计用于紫外线、极端紫外线(EUV)和电子束光刻。实验采用扫描透射x射线显微镜(STXM)，结合高空间分辨率显微镜和NEXAFS光谱学。吸收光谱在原位暴露前后靠近碳边缘(~290 eV)处采集，可以测量有机基团(分别为苯基或甲基丙烯酸甲酯)的光诱导降解，其降解程度取决于配体的结构。用链苯取代基合成的抗蚀剂的光诱导降解效率高于桥联苯基体系。甲基丙烯酸甲酯的降解是相对有效的，大约一半的初始配体在暴露后被分离。我们的数据显示，这种离解可以产生不同的结果，这取决于结构配置。虽然所有的有机基团都被要求从抵抗体中完全分离和分离，但仍有相当数量的有机基团残留下来，形成了不希望的副产物，如烯烃链。在材料合成和工程的框架中，通过具体的构建块，这些结果提供了对电阻光化学的更深入的了解，特别是对EUV光刻。
——文章发布于2018年7月4日
