《韩国三星电子和SK海力士的EUV光刻技术策略》

  • 来源专题:集成电路与量子信息
  • 发布时间:2025-01-27
  • 据韩国商业报2024年12月27日报道,韩国半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外(EUV)光刻技术方面采取了不同的策略,引起了业内广泛关注[1]。两家公司都致力于在高度动态和竞争激烈的半导体市场中提高竞争力。

    三星电子在全球制造与基础设施总务部下成立了一个新的工作组团队,名为“EUV Synergy 工作组”,作为其年终机构重组的一部分。此举被视为提高3 nm代工厂等超细半导体制造良率的措施。EUV Synergy 工作组的任务是监督EUV设备管理,重点是提高光刻和监测设备的生产率,旨在最大限度地提高EUV光刻设备中使用的各种材料和组件的生产率,包括ASML独家提供的200亿美元光刻机和东京电子的EUV跟踪设备。三星电子对EUV技术的承诺在其对EUV光刻机的大量投资中显而易见。该公司的华城和平泽工厂已获得了30多台EUV光刻机。三星电子于2019年将EUV引入其制造工艺,此后在提高其10 nm级第六代DRAM和亚3 nm(sub-3 nm)代工厂的良率上面临挑战。

    相比之下,SK海力士采取了不同的方法。该公司在今年的机构重组中解散了EUV工作组,并将其整合到未来技术研究所。此举突显出SK海力士专注于长期技术进步,而不是立即提高产量。SK海力士于2021年开始将EUV应用于其10nm级第四代DRAM,目前在利川的M16工厂运营着10多台EUV机器。展望未来,SK海力士未来技术研究所预计将专注于为引入下一代EUV光刻设备(称为高NA EUV光刻设备)做准备。SK海力士预计最早将于明年下半年收到第一台高NA EUV光刻设备。


    [1] https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=232652


  • 原文来源:https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=232652
相关报告
  • 《三星、SK海力士开始研发EUV技术生产DRAM,最快2020年量产》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2018-11-02
    • 就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家存储器大厂SK海力士(Hynix)也传出消息,正在研发EUV技术来生产DRAM存储器,未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。 根据韩国媒体的报导,不论是处理器还是存储器,现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于采不采用最先进的EUV极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说,以逻辑芯片的处理器产品来看,因为在制程节点推进到7纳米制程之后,对EUV技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程,未来也就越仰赖EUV技术。 报导指出,而反观DRAM存储器产业,目前对EUV技术需求相对来说就没有处理器来得那么殷切。原因是目前最先进的DRAM存储器制程依然在18纳米以上。所以,除了三星与海力士之外,全球三大存储器厂之一的美光,之前就表态表示,即使到了1α及1β的制程技术节点,也还没有使用EUV技术的必要性。 不同于美光的看法,三星在处理器的逻辑芯片制程导入EUV技术之后,在DRAM存储器制程上也传出开始在1Y纳米制程节点上尝试EUV技术,而且最快在2020年量产EUV技术的1Y纳米DRAM存储器。而除了三星之外,SK海力士也将在韩国的利川市新建的DRAM生产工厂中,研发内含EUV技术的DRAM存储器生产技术。 至于,为何要采用EUV技术来生产DRAM存储器,其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低存储器单位容量成本。不过,虽然DRAM存储器希望以EUV技术来进行生产。只是,目前在此领域EUV技术还不够成熟,产能不如普通的光刻机,这部分还需要时间来进行改进。
  • 《三星将投资10万亿韩元,采购 ASML EUV 光刻机》

    • 来源专题:新一代信息技术
    • 编译者:刘华
    • 发布时间:2023-11-24
    • 11 月 15 日消息,韩国今日电子新闻报道称,三星计划进口更多 ASML 极紫外(EUV)光刻设备。 虽然由于合同中的保密条款未能披露具体细节,但证券市场消息称,该协议将使 ASML 在五年内提供总共 50 套设备,而每台单价约为 2000 亿韩元(当前约 11.02 亿元人民币),总价值可达 10 万亿韩元(当前约 551 亿元人民币)。 目前尚不清楚其合同中的产品是现有 EUV 光刻设备还是下一代“High NA EUV”光刻设备。不过,目前 EUV 光刻设备最大的问题是产量有限。据官方介绍,它“比卫星部件还复杂”,每年只能生产很有限的数量。据说去年是 40 台,今年 ASML 估计是 60 台。而目前需要且能购买到 EUV 光刻设备的厂商有五家:三星电子、台积电、英特尔、SK 海力士和美光。其中,台积电约占供应量的 70%,剩下四家公司争夺剩下的 30%。 三星电子于去年 6 月推出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的 3nm 代工技术,因此该公司一直在努力确保采购更多 EUV 光刻设备,目标是在明年上半年进入 3nm 世代的第二代工艺,在 2025 年进入 2nm 工艺,在 2027 年进入 1.4nm 工艺。 正因如此,李在镕董事长去年 6 月访问了 ASML 总部,与首席执行官 Peter Bennink 讨论了 EUV 采购问题,并在同年 11 月访问韩国期间与 Bennink 进行了进一步会谈。鉴于 EUV 的交付周期(从下单到收货)至少需要一年,这些会议看起来确实取得了实际成果。 实际上,半导体领域分析师也对三星电子增购 EUV 光刻设备的计划持积极态度。 祥明大学系统半导体工程教授 Lee Jong-hwan 说道:“三星已引进数十台 EUV 光刻设备,据说每台设备的成本约为 2000 亿韩元,这表明该公司打算扩大 3nm 量产机会,并在未来实现 2nm 计划。” 此前,三星电子宣布计划到 2025 年拥有 100 台 EUV 光刻机。市场估计三星目前的 EUV 机群约为 40 台。如果这 50 台设备的能够顺利交付,那么三星到 2028 年将能够拥有约 100 台设备。 荷兰应用科学研究所(TNO)韩国代表 Byung-hoon Park 解释称:“通常情况下,半导体工艺可以将每台机器的 10% 用于工艺研发和测试,拥有 100 台机器则意味着它们可以全天候用于研发。” 他还指出,“通过这样做,我们将能够确保有足够的工艺能力来正确使用设备”,他补充说,“ 预计这将减少工艺过程中的时间和成本,并提高产量。” “一旦我们拥有了大量的(EUV)设备,并且技术趋于稳定,我们将能够提高产量,并在代工方面取得进展” ,工业研究所的专家研究员Kim Yang-pang说。