《II-VI 推出用于150mm SiC 晶片的加热离子注入代工服务》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2021-06-27
  • 全球工程材料和光电器件领导者II-VI 公司宣布推出用于150毫米SiC晶圆的加热离子注入代工服务。II-VI总部位于美国宾夕法尼亚州萨克森堡,是一家垂直整合的制造公司,主要生产碳化硅(SiC)衬底,并为微电子行业提供离子注入代工服务。
    II-VI 指出,人们对清洁能源的需求日益增长,这在加速全球能源和交通基础设施的电气化,并推动高可靠性电力电子设备的发展。因此,该公司现在为150mm SiC晶圆提供离子注入代工服务和支持。II-VI 表示,其离子注入工艺可在高达 650?C 的温度下运行,以动态退火晶体结构并消除缺陷,从而实现高度可靠的电力电子设备,并且该工艺可在深度和浓度方面都提供高水平掺杂精度。
    New Ventures & Wide执行副总裁 Sohail Khan 表示:“II-VI 是世界上第一家为150 毫米碳化硅晶圆提供这种先进离子注入代工服务的公司,计划在未来扩展到200毫米。II-VI 的新型离子注入工艺非常通用,可提供从 10keV 到 1MeV 的广泛能量范围,对于各种化合物半导体晶片材料和器件选择可以加热或不加热。该工艺与多种材料兼容,包括具有特殊用途的硅和金刚石,以及可以集成到晶圆级光学平台的材料。”
    II-VI 表示,该公司每周植入数以万计的晶圆,并根据需要调整工具和产能以支持客户不断变化的需求,可以在需求紧急高峰期提供产品,改善周转。II-VI专有的技术特长、质量计划和丰富的工具为离子注入提供了灵活的外包选择,可以更好的服务于生产制造和研发环境。
    II-VI 拥有可大量处理2英寸至 12 英寸基板的高、中电流和高能量生产注入机。该公司的晶圆代工服务范围包括碳化硅、砷化镓和磷化铟外延生长。它还提供离子注入磁盘翻新和修复服务,以最大限度地提高质量、利用率和延长正常运行时间。

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