全球工程材料和光电器件领导者II-VI 公司宣布推出用于150毫米SiC晶圆的加热离子注入代工服务。II-VI总部位于美国宾夕法尼亚州萨克森堡，是一家垂直整合的制造公司，主要生产碳化硅（SiC）衬底，并为微电子行业提供离子注入代工服务。
II-VI 指出，人们对清洁能源的需求日益增长，这在加速全球能源和交通基础设施的电气化，并推动高可靠性电力电子设备的发展。因此，该公司现在为150mm SiC晶圆提供离子注入代工服务和支持。II-VI 表示，其离子注入工艺可在高达 650?C 的温度下运行，以动态退火晶体结构并消除缺陷，从而实现高度可靠的电力电子设备，并且该工艺可在深度和浓度方面都提供高水平掺杂精度。
New Ventures & Wide执行副总裁 Sohail Khan 表示：“II-VI 是世界上第一家为150 毫米碳化硅晶圆提供这种先进离子注入代工服务的公司，计划在未来扩展到200毫米。II-VI 的新型离子注入工艺非常通用，可提供从 10keV 到 1MeV 的广泛能量范围，对于各种化合物半导体晶片材料和器件选择可以加热或不加热。该工艺与多种材料兼容，包括具有特殊用途的硅和金刚石，以及可以集成到晶圆级光学平台的材料。”
II-VI 表示，该公司每周植入数以万计的晶圆，并根据需要调整工具和产能以支持客户不断变化的需求，可以在需求紧急高峰期提供产品，改善周转。II-VI专有的技术特长、质量计划和丰富的工具为离子注入提供了灵活的外包选择，可以更好的服务于生产制造和研发环境。
II-VI 拥有可大量处理2英寸至 12 英寸基板的高、中电流和高能量生产注入机。该公司的晶圆代工服务范围包括碳化硅、砷化镓和磷化铟外延生长。它还提供离子注入磁盘翻新和修复服务，以最大限度地提高质量、利用率和延长正常运行时间。
