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《Iodide为高效长波长近红外发光二极管设置了PbS / cd芯壳量子点》

  • 来源专题：超级电容器
  • 编译者： 郭文姣
  • 发布时间：2017-11-17

  • 基于PbS的量子点(量子点)详细研究了潜在的应用在电致发光设备操作波长重要电信(1.3 - -1.6μm)。尽管量子点发光二极管(量子点发光二极管)领域最近取得了一些进展，但由于NIR发射技术的广泛应用和商业化，近红外(NIR)发射器件性能的进一步提高仍然是必要的。在这里,我们报告一个高性能1.51 -μm发射ql倒有机-无机杂化设备架构和PbS / cd核壳结构量子点作为发射器。合成QLEDs显示记录装置性能的QLEDs 1.5μm发射窗口,最大6.04 Wsr−−1米2的光辉和峰值外部量子效率(EQE)的4.12%,分别。

    ——文章发布于2017年11月07

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  • 《钙钛矿量子点及其在发光二极管中的应用》
    • 来源专题：纳米科技
    • 编译者：郭文姣
    • 发布时间：2017-12-18
    • 钙钛矿量子点(PQDs)由于其独特的光学性质，如可调谐波长、窄发射和高光致发光量子效率(PLQY)，近年来吸引了大量的关注。最近的研究报告的新类型formamidinium(FA)PbBr3 PQDs,PQDs与有机-无机混合阳离子,二价阳离子掺杂胶体CsPb1−xMxBr3 PQDs(M = Sn2 + Cd2 +,Zn2 + Mn2 +)部分阳离子交换、和多价阳离子掺杂PQDs(Bi3 +)。这些PQD类似物为光电器件提供了新的可能性。对于照明和背光显示的商业应用，PQDs的稳定性需要进一步改进以防止温度、氧气、湿度和光线的降低。氧和湿度促进离子迁移很容易蚀刻不稳定的PQDs。容易的离子迁移可能导致晶体生长，从而降低pqd的PLQY。表面涂层和处理是克服这些因素的重要步骤。本文介绍了PQDs的新类型和提高其稳定性的策略。最后，本文讨论了PQDs在发光二极管中的应用。 ——文章发布于2017年11月30日
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  • 《深紫外发光二极管的载流子定位工程》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2020-07-05
    • 北京大学已采用深紫外（DUV，波长小于300nm）发光的自组装侧壁量子阱（SQW）结构来改善基于氮化铝镓（AlGaN）化合物半导体合金的二极管的光输出功率性能。侧壁结构起因于在具有不同错切角的（0001）c面蓝宝石衬底上进行多量子阱（MQW）材料生长过程中的聚集效应。 北京研究人员认为他们的SQW方法是一种潜在的“颠覆性框架”，另外，SQW结构会产生载流子局部化效应，可以改善重组为光子的过程，并避免载流子被位错俘获，然后转变为基态而无光发射。 使用金属有机化学气相沉积c面蓝宝石上生长该材料。样品A、B、C相对于m平面的错切角分别为0.2°、2°、4°。然后进行相应的实验，通过比较室温和10K PL强度来评估内部量子效率（IQE）。对于样品A-C，室温IQE分别确定为46％，54％和59％。通过使用Lorentz曲线拟合将SQW和MQW排放行为分开，样本B的SQW区域的IQE估计为56％，而MQW仅管理45.6％。 试验后，直接在AlN模板层上生长的MQW的X射线分析表明，对于基材错切角分别为0.2°、2°和4°的线错位密度（TDD）分别为1.56x1010 / cm2、1.17x1010 / cm2和6.4x109 / cm2 。研究人员将4°MQW结构的较低TDD值视为有助于提高IQE的主要因素。 时间分辨的PL用于确定荧光寿命，结果表明，SQWs的荧光寿命比MQWs显着延长，这表明与MQWs相比，SQWs的非辐射重组得到了更有效的抑制。 研究人员评论表示，研究结果进一步证实了所提出的涉及SQW的有源区在器件性能方面比仅使用MQW具有更大的潜力，特别是当AlN和AlGaN的材料质量仍处于不良或中等水平时。
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