《Iodide为高效长波长近红外发光二极管设置了PbS / cd芯壳量子点》

  • 来源专题:超级电容器
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2017-11-17
  • 基于PbS的量子点(量子点)详细研究了潜在的应用在电致发光设备操作波长重要电信(1.3 - -1.6μm)。尽管量子点发光二极管(量子点发光二极管)领域最近取得了一些进展,但由于NIR发射技术的广泛应用和商业化,近红外(NIR)发射器件性能的进一步提高仍然是必要的。在这里,我们报告一个高性能1.51 -μm发射ql倒有机-无机杂化设备架构和PbS / cd核壳结构量子点作为发射器。合成QLEDs显示记录装置性能的QLEDs 1.5μm发射窗口,最大6.04 Wsr−−1米2的光辉和峰值外部量子效率(EQE)的4.12%,分别。

    ——文章发布于2017年11月07

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    • 美国Soraa 公司表示,在氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)的研究中发现,外部量子效率(EQE)的热下降主要是由传输效应引起的,例如载流子过冲。 热降是指结点通过高温运行或由于连续运行的设备中不良的散热(焦耳加热)导致的加热时效率的损失。这与电流下降相反,后者是指高电流注入时的效率损失。 先前报道的温度依赖性效应可归因于两个因素,一个是在异质外延样品中,其他与位错相关的效应可能导致不同的热活化。另一个是以前的研究从EL(电致发光)测量中得出了寿命,在这种情况下,重组效应和传输效应没有被解开。研究小组的测量直接探测了低缺陷材料中的有效区域重组,因此可以更直接地了解热降的本质。 因此,LED的EL性能下降是由于器件有源QW区域的复合问题引起的。 SQW LED由30nm p-i-n结构和AlGaN电子阻挡层组成。组装LED时,将芯片倒装到银色p触点上。银接触的一个目的是高光提取效率,大概是通过反射回到设备顶部来实现的。热下降归因于传输效应。研究人员进行了一项时间分辨的研究,该研究可以测量QW中的载流子逃逸时间,指数温度依赖性与热电子发射一致。 MQW结构可减少从有源区到p接触区的逸出。 产生捕获时候,可能还会产生补偿效应。这种补偿可以部分解释HC的性能。SQW LED在100°C下的峰值EQE相对下降了15%,而MQW结构下降了5%。下降不受载波扩展影响,因为它是考虑的峰值EQE,而与电流无关。
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    • 编译者:郭文姣
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    • 钙钛矿量子点(PQDs)由于其独特的光学性质,如可调谐波长、窄发射和高光致发光量子效率(PLQY),近年来吸引了大量的关注。最近的研究报告的新类型formamidinium(FA)PbBr3 PQDs,PQDs与有机-无机混合阳离子,二价阳离子掺杂胶体CsPb1−xMxBr3 PQDs(M = Sn2 + Cd2 +,Zn2 + Mn2 +)部分阳离子交换、和多价阳离子掺杂PQDs(Bi3 +)。这些PQD类似物为光电器件提供了新的可能性。对于照明和背光显示的商业应用,PQDs的稳定性需要进一步改进以防止温度、氧气、湿度和光线的降低。氧和湿度促进离子迁移很容易蚀刻不稳定的PQDs。容易的离子迁移可能导致晶体生长,从而降低pqd的PLQY。表面涂层和处理是克服这些因素的重要步骤。本文介绍了PQDs的新类型和提高其稳定性的策略。最后,本文讨论了PQDs在发光二极管中的应用。 ——文章发布于2017年11月30日