据SEMI大半导体产业网4月19日报道，电子科技大学信息与量子实验室、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，也是天府绛溪实验室在关键核心技术领域取得的又一创新成果。
据悉，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料进行研制，与之相比，氮化镓量子光源芯片在输出波长范围等关键指标上取得突破，输出波长范围从25.6纳米增加到100纳米，并可朝着单片集成发展。
此项研究工作得到国家科技创新2030重大项目、国家自然科学基金、四川省科技计划等大力支持。近日，以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”为题，发表在国际著名学术期刊《物理评论快报》上，并被选为“物理亮点”进行重点宣传报道。
