本文通过两步远程等离子体辅助电烫过程，演示了高性能的高功率WSe2场效应晶体管(FET)器件。高质量、低泄漏的氧化铝栅介电层被沉积在WSe2通道上，使用一种超薄(~ 1nm)钛缓冲层的远程等离子体辅助烫发工艺。最初几个纳米(~ 2海里)的氧化铝介质膜沉积在相对较低温度(即50°C),剩下的电影是在150°C,确保保形涂层沉积WSe2氧化铝的表面。此外，在ALD过程之前，在WSe2通道表面引入超细钛缓冲层，以减少氧等离子体诱导的掺杂效应。在WSe2 FET设备中，以30纳米的Al2O3型顶门电介质的few -layer WSe2 FET装置实现了具有电流开关率超过106的优良设备特性，以及高达70.1 cm2 v - 1 s - 1的场效应机动性。通过进一步的研究和仔细的优化，该方法可以在未来光电器件应用领域中发挥重要的作用。
——文章发布于2017年10月31日
