《NexGen使用Aixtron的AIX G5 HT MOCVD平台于垂直GaN-on-GaN晶体管的生产》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-07-22
  • 位于德国Herzogenrath的沉积设备制造商Aixtron SE正在为美国纽约DeWitt的NexGen Power Systems公司(成立于2017年)提供高端金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以持续开发氮化镓电子器件,开发了更紧凑,更轻和更具成本效益的电源转换系统。 NexGen订购了Aixtron的AIX G5 HT行星平台,计划于2018年第三季度发货。

    Aixtron声称,作为市场上唯一嵌入晶圆级控制的MOCVD系统,AIX G5对于GaN-GaN,GaN-on-Si和GaN-on-SiC的外延生产非常高效,适用于电力电子和RF应用。

    Aixtron总裁Felix Grawert博士评论道:“我们期待着支持NexGen努力改革现有的电源转换系统,近年来,在半导体行业中我们的AIX G5 HT行星工具作为精确、可靠和具有成本效益的制造设备建立了良好的声誉 ,开启了快速采用GaN器件对抗硅及其等效产品方法的大门。”

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    • 位于德国Herzogenrath的沉积设备制造商Aixtron SE正在为美国纽约DeWitt的NexGen Power Systems公司(成立于2017年)提供高端金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以持续开发氮化镓电子器件,开发了更紧凑,更轻和更具成本效益的电源转换系统。 NexGen订购了Aixtron的AIX G5 HT行星平台,计划于2018年第三季度发货。 Aixtron声称,作为市场上唯一嵌入晶圆级控制的MOCVD系统,AIX G5对于GaN-GaN,GaN-on-Si和GaN-on-SiC的外延生产非常高效,适用于电力电子和RF应用。 Aixtron总裁Felix Grawert博士评论道:“我们期待着支持NexGen努力改革现有的电源转换系统,近年来,在半导体行业中我们的AIX G5 HT行星工具作为精确、可靠和具有成本效益的制造设备建立了良好的声誉 ,开启了快速采用GaN器件对抗硅及其等效产品方法的大门。”
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    • 编译者:Lightfeng
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    • 德国的沉积设备制造商爱思强(AixtronSE)表示,该公司已向美国一家一级LED制造商提供了AIX G5 + C金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统,该系统可以符合和满足微型LED制造业严格的要求。 Aixtron指出,下一代LED显示器需要将数百万个微米大小的LED转移到单个显示器上,这迫使LED供应商开发新的传质技术。为此,直接从已处理的LED芯片中取出LED阵列,以防止任何有缺陷芯片的前期晶圆装箱或分类。该公司补充说,至关重要的是,所生产的所有外延晶片都必须具有非常紧密的波长分布,并且还需要具有非常低的表面缺陷水平,因此需要创新的MOCVD方法。 因此,Aixtron的AIX G5 + C系统结合了紫外线(UV)高温测定法,在外延过程中使用晶片级的薄膜表面温度控制。这可以非常精确地控制铟掺入多量子阱(MQW)中,从而最终决定所生产晶圆之间波长的一致性。盒到盒转移模块与原位清洗相结合,有助于确保在处理或外延过程中没有颗粒污染胶片。 总裁Bernd Schulte博士说:“我们期待着进一步加micro-LED的推广,Micro-LED技术正在颠覆现有的LED市场的平衡,我们的AIX G5 + C平台完全满足了对Micro LED制造上日益严格的波长均匀性要求。” 高级评论员产品营销经理Arthur Becker表示:“Micro-LED技术是显示行业的颠覆者,明显优于现有的液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)技术,特别是在节省功耗方面,同时具有出众的像素密度、对比度和亮度,这将为消费类移动产品以及高级电视显示器开辟新的视野。”