《Veeco推出Lumina As / P MOCVD平台》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-02-17
  • 美国外延沉积和工艺设备制造商Veeco Instruments公司推出了Lumina金属有机化学气相沉积(MOCVD)平台,该平台结合了专有的TurboDisc反应器技术,薄膜均匀性出色,且具有产量和设备优势,适用于各种光子学应用。新的MOCVD平台包括Lumina R480和Lumina R480S、将加速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)、边缘发射激光器(EEL)以及微型LED器件的生产。

    为了满足消费者对磷化砷(As / P)MOCVD技术的强烈需求,Lumina平台主要面向新一代高效光子器件,例如用于3D感测、自动驾驶和高速数据通信的VCSEL。Lumina平台还用于微型LED生产、下一代4K和8K电视、智能手机和可穿戴设备以及用于光通信和硅光子学应用的EEL设备中的高级显示器。

    Lumina R480和R480S系统基于Veeco的MOCVD TurboDisc技术,该技术在长时间的生产过程中均匀性高和缺陷率低,可实现高产量的目标。这是由于该公司的专有技术可实现均匀的热控制,从而实现了极好的厚度和成分的均匀。该系统提供了无缝晶圆尺寸转换功能,能够在直径最大6英寸的晶圆上沉积高质量的As / P外延层。并且R480和R480S系统允许用户定制系统以实现最大价值。

    产品线管理高级副总裁Gerry Blumenstock表示:“领先的光子学制造商看到了我们的Lumina MOCVD系统的好处,并正在验证其对未来大批量光子学设备制造产生的影响。凭借成熟的设计、技术和性能,Lumina将推动下一代光子学设备的发展。”

相关报告
  • 《Veeco的Propel HVM MOCVD平台被韩国A-Pro选中》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-10-24
    • 美国外延沉积和工艺设备制造商Veeco Instruments表示,其Propel HVM金属有机化学气相沉积系统被韩国A-Pro半导体业务子公司A-Pro Semicon Co Ltd选中,用于开发和生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体和5G RF器件。这是由于该系统具有出色的均匀性,操作效率和经过验证的性能,可进行大批量生产。 据联合市场研究公司(Allied Market Research)估计,2019年全球GaN功率器件市场为1亿美元,从2020年开始,将以35%的复合年增长率(CAGR)增长至2027年的12亿美元。增长的原因有GaN器件的价格下降,无线充电的GaN器件需求的增加、电动汽车(EV)中采用GaN器件的数量以及用于商业RF应用的GaN器件的增加等。 Veeco表示,其Propel HVM系统为基于GaN的应用提供了大容量、单晶片反应器配置,具有均匀性、重复性和成品率性能,这得益于GaN MOCVD技术数十年的生产规模专业知识。该系统提供200毫米和300毫米配置,最多6个模块化集群室,以实现最大生产力和灵活性,适用于铸造厂和集成设备制造商(IDM)。 Veeco的单晶片Propel HVM平台具有A-Pro Semicon所需要的灵活性和多功能性。因此A-Pro Semicon选择Propel HVM平台作为第一个MOCVD系统,可以帮助扩大其在GaN功率半导体和5G市场中的地位。Propel系统套件以其可靠的高性能和高产量推动了关键技术的革新,例如电源、5G RF和光子学应用,这些趋势正在推动着A-Pro Semicon使用GaN MOCVD技术扩展5G RF技术并使之商业化。
  • 《Transphorm选择Veeco MOCVD系统用于基于GaN的功率器件和5G RF设备》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-12-06
    • 美国外延沉积和工艺设备制造商Veeco Instruments Inc表示,其Propel 300 HVM金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统已被Transphorm 公司选中,用于生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压(HV)氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),以及批量生产用于高压(HV)功率转换、RF应用的GaN功率器件(国防和商业部/ 5G)和电力电子外延片。 该系统根据美国国防部海军研究办公室(ONR)的TAM / MINSEC计划购买,以建立美国专用高性能RF和毫米波电子产品的GaN外延的生产来源。选择该系统的原因是在于其具有最先进的工艺并且能够实现高产量交付,与其他MOCVD系统相比,该系统能够以高通量和最低的每片晶圆成本提供最先进的工艺。 Transphorm首席技术官兼创始人Umesh Mishra博士评论说:“要在提供效率和高功率密度的GaN基功率和5G器件方面走在最前沿,就需要具有世界一流水平的制造解决方案,这些解决方案必须能够扩大规模生产,同时又具有不断创新的灵活性。Veeco的Propel HVM系统可以做到这一点。多反应器单晶片技术以较低的拥有成本提供了灵活性和出众的吞吐量。” Propel系统可用于要求苛刻的GaN器件,这些器件对下一代通信基础设施和高效功率设备至关重要。Propel系统的单晶片反应器平台能够以小批量方式处理6英寸和8英寸晶片或2到4英寸晶片。并且具有更快的配方功能,与使用传统批处理工具时相比,它的速度提高了多达50%,从而加快了生产量。除了Veeco专有的TurboDisc技术之外,该系统还包括公司的IsoFlange和SymmHeat技术,它们在整个晶片上提供均匀的层流和均匀的温度分布,以实现最佳的均匀性和可重复性。 Veeco首席技术官Ajit Paranjpe博士说:“Transphorm决定采用我们大容量MOCVD技术证明了该系统相对于批处理技术的均匀性,吞吐量,可重复性和拥有成本优势。我们感谢Transphorm的Lee McCarthy博士、Umesh Mishra博士和Primit Parikh博士在技术评估中的所做的贡献。”